(中职）电子测量仪器第九章课件.pptx

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1、(中职）电子测量仪器第九章课件晶体管晶体管特性特性图图示示仪仪的使用的使用文字边框项目九晶体管特性图示仪的使用9 9文字边框文字边框晶体管特性图示仪的使用项目概述 晶体管特性图示仪是一种专用示波器，它能直接显示各种晶体管特性曲线及曲线簇。本项目主要介绍晶体管特性图示仪的面板、功能特点和使用方法，以及测试前的注意事项，希望学习者学习完本项目后能够完成简单的检测操作。文字边框晶体管特性图示仪的使用学习目标（1）熟悉晶体管特性图示仪面板上常用旋钮的作用。（2）掌握晶体管特性图示仪的使用方法和使用技巧。（3）能够使用晶体管图示仪完成检测操作。文字边框晶体管特性图示仪的使用安全规范（1）仪器运行时，切勿

2、打开外盖。（2）进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。（3）仪器通电工作时，禁止敲打机壳。文字边框晶体管特性图示仪的使用延伸阅读 晶体管特性图示仪的使用 文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作1.晶体管特性图示仪的操作步骤晶体管特性图示仪的操作步骤如下：（1）按下电源开关，指示灯亮，预热 15 min 后，即可进行测试。（2）调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。（3）将峰值电压旋钮调至零，将峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。（4）对 X、Y 轴放大器进行 10 度校准。（5）调节阶梯调零。（6）选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于合适挡位，调节

3、级/簇旋钮，使阶梯信号为 10 级/簇，阶梯信号置重复位置。（7）插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作2.晶体管 hFE 和 值的测量 以 NPN 型 3DK2 晶体管为例，查晶体管手册得知 3DK2 的 hFE 测试条件为 U CE=1 V，I C=10 mA，将光点移至荧光屏的左下角作坐标零点，仪器部件的置位详见表。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作2.晶体管 hFE 和 值的测量 逐渐加大峰值电压，就能在显示屏上看到一簇特性曲线，如图 9-1 所示。读出 X 轴集电极电压U CE=1 V 时最上面一条曲线（每条曲线为 20

4、A，最下面一条 I B=0 不计在内）的 I B 值和 Y 轴 I C 值，且文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作2.晶体管 hFE 和 值的测量 若把 X 轴选择开关放在基极电流或基极源电压位置，即可得到电流放大特性曲线。PNP 型三极管 hFE 和 的测量方法同上，只需改变扫描电压极性、阶梯信号极性，并把光点移至荧光屏右上角即可。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作3.晶体管反向电流的测试 以 NPN 型 3DK2 晶体管为例，查晶体管手册得知 3DK2 的 I CBO、I CEO 测试是在 U CB、U CE 均为10 V 条件下进行的。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作 逐渐调

5、高峰值电压使 X 轴 U CB=10 V，读出 Y 轴的偏移量，即为被测值。其中图测 I CBO值和I CEO 值。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作晶体管反向电流测试曲线如所示。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作4.晶体管击穿电压的测试 以 NPN 型 3DK2 晶体管为例，查晶体管手册得知 3DK2 的 BV CBO、BV CEO、BV EBO，测试是在 I C 分别为 100 A、200 A 和 100 A 的条件下进行的。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作4.晶体管击穿电压的测试 逐步调高峰值电压，Y 轴 I C=0.1 mA 时，X 轴的偏移量为 BV CEO 值；Y 轴

6、 I C=0.2 mA 时，X 轴的偏移量为 BV CEO 值；Y 轴 I C=0.1 mA 时，X 轴的偏移量为 BV EBO 值。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作5.稳压二极管的测试 以 2CW19 型稳压二极管为例，查二极管手册得知其稳定电压的测试条件为 I R=3 mA。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作5.稳压二极管的测试 逐渐加大峰值电压，即可在荧光屏上看到被测管的特性曲线。读数：正向压降约为 0.7 V，稳定电压约为 12.5 V。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作6.整流二极管反向漏电电流的测试 以 2DP5C 型整流二极管为例，查二极管手册得知其反向电流应不小于

7、 500 nA。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作6.整流二极管反向漏电电流的测试 逐渐增大峰值电压，在荧光屏上即可显示被测管反向漏电电流特性。读数：I R=4 div0.2 A0.1（倍率）=80 nA。测量结果表明，被测管性能符合要求。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作7.二簇特性曲线比较测试 以 NPN 型 3DG6 晶体管为例，查晶体管手册得知其输出特性的测试条件为 I C=10 mA，U CE=10 V。文字边框晶体管特性图示仪的使用实践操作7.二簇特性曲线比较测试 将被测的两只晶体管分别插入测试台左、右插座内，然后按表 9-6 置位各功能键，参数调至理想位置。按下测试选择按

8、钮的二簇琴键，逐步增大峰值电压，即可在荧光屏上显示二簇特性曲线。文字边框晶体管特性图示仪的使用延伸阅读 WQ4832晶体管特性图示仪 文字边框晶体管特性图示仪的使用知识链接7.二簇特性曲线比较测试 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN 型和 PNP 型）的共发射极、共基极电路的输入、输出特性；可以测试各种反向饱和电流和击穿电压；还可以测量场效应管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以 XJ4810 型晶体管特性图示仪为例介绍其使用方法。文字边框晶体管特性图示仪的使用知识链接一、XJ4810 型晶体管

9、特性图示仪面板（1）集电极电源极性按钮。可按面板指示选择。（2）集电极峰值电压保险丝。熔断电流为 1.5 A。（3）峰值电压%。可在 0 10 V、0 50 V、0 100 V、0 500 V 连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。（4）功耗限制电阻。功耗限制电阻串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，也可作为被测半导体管集电极的负载电阻。（5）峰值电压范围。分 0 10 V/5 A、0 50 V/1 A、0 100 V/0.5 A、0 500 V/0.1 A 共 4 挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。

10、AC 挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。文字边框晶体管特性图示仪的使用知识链接一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面板（6）电容平衡。由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。（7）辅助电容平衡。辅助电容平衡旋钮是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称而再次进行电容平衡调节。（8）电源开关及辉度调节。电源开关及辉度调节旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。（9）电源指示灯。接通电源时电源指示灯亮

11、。（10）聚焦旋钮。调节聚焦旋钮可使光迹清晰。（11）荧光屏。指示波管屏幕，外有座标刻度片。（12）辅助聚焦旋钮。辅助聚焦旋钮与聚焦旋钮配合使用。文字边框晶体管特性图示仪的使用一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面板（13）Y 轴选择（电流/度）开关。具有 22 挡 4 种偏转作用的开关，可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。（14）电流/度 0.1 倍率指示灯。灯亮时，仪器进入电流/度 0.1 倍工作状态。（15）Y 轴移位及电流/度倍率开关。Y 轴移位旋钮可调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大 10 倍，电流/度各挡 I C 标值 0.1，同时电流/度 0.

12、1 倍率指示灯亮。（16）Y 轴增益旋钮。Y 轴增益旋钮可校正 Y 轴增益。（17）X 轴增益旋钮。X 轴增益旋钮可校正 X 轴增益。（18）显示开关。分转换、接地、校准 3 挡，其作用如下。转换：使图像在 I、象限内相互转换，便于由 NPN 管转测 PNP 管时简化测试操作。（19）X 轴移位旋钮。文字边框晶体管特性图示仪的使用一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面板（20）X 轴选择（电压/度）开关。X 轴选择（电压/度）开关可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接 4 种功能的转换，共 17 挡。（21）“级/簇”调节按钮。“级/簇”调节按钮在 0 10 的范围内可连续调节阶梯信号的

13、级数。（22）调零旋钮。测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键零电压，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。（23）阶梯信号选择开关。可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共 22 挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时则选用基极源电压/级。（24）串联电阻开关。当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。文字边框晶体管特性图示仪的使用一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面板（25）“重

14、复-关”按键。弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。（26）阶梯信号待触发指示灯。重复按键按下时阶梯信号待触发指示灯亮，阶梯信号进入待触发状态。（27）单簇按键开关。按动的作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被测管的各种极限特性。（28）极性按键。极性的选择取决于被测管的特性。（29）测试台。文字边框晶体管特性图示仪的使用一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面板（30）测试选择按键。左、右、二簇键：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，

15、此时“级/簇”调节旋钮应置于适当位置，以利于观察。二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。零电压键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置。零电流键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量 I CEO 特性。文字边框晶体管特性图示仪的使用一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面板（31）左测试插孔。左、右测试插孔插上专用插座（随机附件），可测试 FI.F2 型管座的功率晶体管。（32）右测试插孔。（33）晶体管测试插座。（34）二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。在仪器右侧板上分布有图 9-11 所示的旋钮和端子。文字边框晶体管特性图示仪的使用一、XJ4810 型晶体管特性图示仪面

16、板（35）二簇移位旋钮。可在二簇显示时，改变右簇曲线的位置，更方便配对晶体管各种参数的比较。（36）Y 轴信号输入。Y 轴选择开关置于外接时，Y 轴信号由 Y 轴信号输入插座输入。（37）X 轴信号输入。X 轴选择开关置于外接时，X 轴信号由 X 轴信号输入插座输入。（38）校准信号输出端。1 V、0.5 V 校准信号由校准信号输出端二孔输出。文字边框晶体管特性图示仪的使用二、晶体管特性图示仪测试前的注意事项（1）对被测管的主要直流参数应有一个大概的估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率 P CM、最大允许电流 I CM 和击穿电压 BV EBO、BV CBO。（2）选择好扫描和阶梯信

17、号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。（3）根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零；更改扫描电压范围时，也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一些，同时将 X、Y 偏转开关置于合适挡位。测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。（4）对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。（5）在进行 I CM 的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。文字边框晶体管特性图示仪的使用二、晶体管特性图示仪测试前的注意事项（6）在进行 I C 或 I CM 的 测试时，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过本仪器规定的最大电流。（7）进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕，应及时将电压调到零。Thanks ForThanks ForWatchingWatching文字边框