直流电源()精品文稿.ppt
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1、直流电源()第1页,本讲稿共51页 整流电路是将工频交流电转为具有直流电成分的脉动直流电。滤波电路是将脉动直流中的交流成分滤除,减少交流成分,增加直流成分。稳压电路对整流后的直流电压采用负反馈技术进一步稳定直流电压。电子电路工作时都需要直流电源提供能量,电池因使用费用高,一般只用于低功耗便携式的仪器设备中。本章讨论如何把交流电源变换为直流稳压电源。第2页,本讲稿共51页图 初始磁化曲线和磁滞回线QQ*磁化曲线和磁滞回线第3页,本讲稿共51页单相半波整流电路如图(a)所示,波形图如图(b)所示。(a)电路图 (b)波形图 图 单相半波整流电路10.1.1 10.1.1 单相半波整流电路单相半波整
2、流电路没利用第4页,本讲稿共51页 根据图可知,输出电压在一个工频周期内,只是正半周导电,在负载上得到的是半个正弦波。负载上输出平均电压为流过负载和二极管的平均电流为二极管所承受的最大反向电压 基波峰值与输出电压平均值之比定义为输出电压的脉动系数S(ripple factor)第5页,本讲稿共51页 单相整流电路的优点是:使用元件少。缺点:输出波形脉动大;只利用了变压器次级电源u2的半个周期,电源利用率低;直流成分小;变压器电流中含有直流成分,磁感应通量容易饱和(半波整流后的电是脉动直流电相当于直流+交流,其中的交流成份能产生变化的磁场,而这个变化的磁场就能在次级变成交流电)。将其改进之后可得
3、到单相全波整流电路。单相全波整流单相全波整流电路引入引入注意“变化”二字含有直流成分的脉动电,其中的直流成分只是相当于加在变压器线圈自身电阻上而产生热量,因变压器线圈阻值很小,所以绝对会烧掉变压器的。第6页,本讲稿共51页 单相全波整流电路如图(a)所示,波形图如图(b)所示。(a)电路图 图 单相全波整流电路 (b)波形图10.1.2 10.1.2 单相全波整流电路单相全波整流电路2个半波整流第7页,本讲稿共51页 根据图(b)可知,输出平均电压为流过负载的平均电流为 因为无论正半周还是负半周,均是一管导通,而另一管截止,故变压器次级两个绕组的电压全部加至截止二极管的两端。二极管所承受的最大
4、反向电压(比半波大一倍,这时它的缺点)第8页,本讲稿共51页全波整流电路的优点是:电源利用率高,输出电压提高了一倍。每个管子仅提供输出电流Io的一半。缺点是:需要有一个具有中心抽头的变压器,工艺复杂,成本高,且半波和全波整流电路中均有直流分量流过(2个半波整流)。引入引入单相桥式整流电路单相桥式整流电路第9页,本讲稿共51页(1)工作原理 单相桥式整流电路如图(a)所示。(a)桥式整流电路 (b)波形图图 单相桥式整流电路10.1.3 10.1.3 单相桥式整流电路单相桥式整流电路第10页,本讲稿共51页直流电源的应用电路举例第11页,本讲稿共51页 在分析整流电路工作原理时,整流电路 中的二
5、极管是作为开关运用,具有单向导电性。根据图10.1.3(a)的电路图可知:当正半周时二极管D1、D3导通,在负载电阻上得到正弦波的正半周。在负载电阻上正负半周经过合成,得到的是同一个方向的单向脉动电压。单相桥式整流电路的波形图见图(b)。当负半周时二极管D2、D4导通,在负载电阻上得到正弦波的负半周。第12页,本讲稿共51页 根据图(b)可知,输出电压是单相脉动电压。通常用它的平均值与直流电压等效。输出平均电压为(2)参数计算 流过负载的平均电流为流过二极管的平均电流为二极管所承受的最大反向电压第13页,本讲稿共51页 单相桥式整流电路的变压器中只有交流电流流过(变压器次级线圈在正负半周都有电
6、流流过),而半波和全波整流电路中(变压器次级线圈抽头的一半有电流流过)均有直流分量流过。所以单相桥式整流电路的变压器效率较高,在同样的功率容量条件下,体积可以小一些。桥式整流具有全波整流的全部优点,而且避免了全部整流的缺点.唯一缺点就是使用了4只二极管。故广泛应用于直流电源之中。单相桥式整流电路波形图单相全波整流电路波形图第14页,本讲稿共51页10.2 滤波电路(1)滤波的基本概念 无论哪种整流电路,它们的输出电压都含有较大的脉动成分。因此要采取一定的措施,一方面尽量降低输出电压中的脉动成分,另一方面又要尽量保留其中的直流成分,使输出电压接近于理想的直流电压。这样的措施就是滤波。电容和电感的
7、滤波原理1.电容和电感对于交流成分和直流成分反映出来的阻抗不同。2.电容两端的电压不能突变和流过电感的电流不能突变。3.电容和电感有能量存储和能量释放的特点(理想情况下自己不损耗能量)。惯性环节:如:R-C、R-L.特征:输出不能立即跟随输入的变化。第15页,本讲稿共51页滤波电路的结构特点:电容与负载RL并联或电感与负载RL串联 并联的电容器C在输入电压升高时,给电容器充电,可把部分能量存储在电容器中。而当输入电压降低时,电容两端电压以指数规律放电,就可以把存储的能量释放出来。经过滤波电路向负载放电,负载上得到的输出电压就比较平滑,起到了平波作用。若采用电感滤波,当输入电压增高时,与负载串联
8、的电感L中的电流增加,因此电感L将存储部分磁场能量,当电流减小时,又将能量释放出来,使负载电流变得平滑,因此,电感L也有平波作用。常用平滑滤波器电路(右图)第16页,本讲稿共51页 电路如图所示,在负载电阻上并联了一个滤波电容C。(2 2)电容滤波电路)电容滤波电路在负载电阻上并联一个电容为什么能起滤波作用呢?图 单相桥式电容滤波整流电路第17页,本讲稿共51页 空载时,RL断开,由于充电回路等效电阻很小,故充电很快,UC 迅速被充到V2的最大值 .故二极管均截止,电容不可能放电,输出电压uo恒=,滤波效果很好.(这时要注意二极管的反向耐压和大的电流冲击)(a)电路图 (b)波形图图 空载时桥
9、式整流电容滤波电路第18页,本讲稿共51页带负载时(a)电路图 (b-1)波形图图 带载时桥式整流滤波电路 接通交流电源后(从0变大),二极管(D1/D3)导通,v2同时向电容充电和向负载提供电流,输出电压的波形是正弦形(图(b-1)红色线所示)。在达到v2 90峰值时,u2开始下降,此时二极管是否关断,取决于二极管承受的是正向电压还是反向电压。先设达到90后,二极管关断,那么只有滤波电容以指数规律向负载放电,从而维持一定的负载电流。但是90后指数规律下降的速率快,而正弦波下降的速率慢,所以超过90以后有一段时间二极管仍然承受正向电压,二极管仍然导通。随着u2的下降,正弦波的下降速率越来越快,
10、vC 的下降速率越来越慢。所以在超过90后的某一点,例如图(b-2)中的t2 时刻,二极管开始承受反向电压,二极管才关断。此后只有电容器C向负载以指数规律放电的形式提供电流,直至下一个半周的正弦波来到,v2再次超过vC,如图(b-2)中的t3时刻,二极管重新导电.(b-2)波形图(3)滤波原理第19页,本讲稿共51页 需要指出的是,当放电时间常数RLC增加时,t1点要右移,t2点要左移,二极管关断时间加长,导通角减小,见曲线3;反之,RLC减少时,导通角增加。显然,当L很小,即IL很大时,电容滤波的效果不好,见图滤波曲线中的2。图 电容滤波的效果 反之,当L很大,即IL很小时,尽管C较小,RL
11、C仍很大,电容滤波的效果也很好,见滤波曲线中的3。所以电容滤波适合输出电流较小的场合。*第20页,本讲稿共51页 电容滤波的计算比较麻烦,因为决定输出电压的因素较多。工程上有详细的曲线可供查阅。一般常采用以下近似估算法:一种是用锯齿波近似表示,即 另一种是在RLC=(35)T/2的条件下,近似认为VL=VO=1.2V2。(或者,电容滤波要获得较好的效果,工程上也通常应满足RLC 610。)*(4)电容滤波的计算第21页,本讲稿共51页 利用储能元件电感器的电流不能突变的性质,把电感与整流电路的负载L相串联,也可以起到滤波的作用。图 电感滤波电路 图 波形图 电感滤波电路如下图所示。电感滤波的波
12、形图如右图所示。当v2正半周时,D1、D3导电,电感中的电流将滞后v2。当负半周时,电感中的电流将经由D2、D4提供。因桥式电路的对称性,和电感中电流的连续性,四个二极管D1、D3;D2、D4的导通角都是180。(6)(6)电感滤波电路电感滤波电路io电感阻碍电流的变化第22页,本讲稿共51页*使用条件:各种滤波电路的比较 第23页,本讲稿共51页10.3.1 10.3.1 稳压电路概述稳压电路概述1、引起输出电压不稳定的原因 引起输出电压变化的原因是引起输出电压变化的原因是负载电流的变化负载电流的变化和和输入电压的输入电压的变化,变化,参见下参见下图图。即负载电流的变化会负载电流的变化会在整
13、流电源的内阻上产生电压降,在整流电源的内阻上产生电压降,从而使输入电压从而使输入电压V VI I 发生变化。发生变化。10.3 10.3 稳压电路稳压电路第24页,本讲稿共51页如果考虑温度对输出电压的影响,则输出电压是输入电压、负载电流和温度的函数(1).稳压系数Sr稳压系数的定义为 (2).输出电阻ro 2稳压管稳压电路的性能指标第25页,本讲稿共51页一、硅稳压二极管稳压电路的原理硅稳压二极管稳压电路的电路图如下图所示。它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的,由于反向特性陡直,较大的电流变化,只会引起较小的电压变化。图 硅稳压二极管稳压电路10.3.2 10.3.2 硅稳压二极管稳压电路
14、硅稳压二极管稳压电路UI反向击穿反向击穿电压电压V VZ Z反向漏电流反向漏电流(很小,(很小,A级)级)图二极管伏安特性第26页,本讲稿共51页根据电路图可知 输入电压VI的增加,必然引起VO的增加,即VZ增加,从而使IZ增加,IR增加,使VR增加,从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下:V VI IV VOOV VZ ZI IZ ZI IR RV VR RV VOO图图 硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路UI反向击穿反向击穿电压电压V VZ Z(1)当VI变化时如何稳压(IL一定)第27页,本讲稿共51页 负载电流IL的增加,必然引起IR的增加,即VR增加,从而使VZ=VO减
15、小,IZ减小。IZ的减小必然使IR减小,VR减小,从而使输出电压VO增加。这一稳压过程可概括如下:ILIRVRVZ(VO)IZIRVRVOUI反向击穿反向击穿电压电压V VZ Z(2)(2)当负载电流变化时如何稳压(当负载电流变化时如何稳压(VIVI一定一定)第28页,本讲稿共51页二、稳压电阻的计算二、稳压电阻的计算 R的选择:要保证当的选择:要保证当VI波波动或动或RL变化时,变化时,Dz始终工作在始终工作在反向击穿状态。(第一章课件反向击穿状态。(第一章课件P45-47)UI反向击穿电反向击穿电压压V VZ ZIZminIZmaxIZ设设I IZ Z 在在I Izmax zmax 和和
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