几种常见生物医学传感器原理.pptx
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1、传感器传感器 第1页/共168页一、电阻应变式传感器一、电阻应变式传感器位移或应变能够引起某些材料的电阻值变化,因此可用它们构成电阻应变式传感器。特点:分辨率高(1m),误差小(1%),重量轻,量程大,尺寸小,价格低,可用来测动态和静态量。第2页/共168页工作原理工作原理电阻式传感器电阻式传感器测量原理测量原理:被测的非电量 R 电量输出 其其基基本本原原理理为为:设设有有一一根根长长度度为为L L,截截面面积积为为A,电电阻阻率率为为的的金金属属丝丝,则则它的电阻值它的电阻值R可用下式表示:可用下式表示:第3页/共168页 三个参数:长度L,截面积A,电阻率,如果发生变化,则它的电阻值R随
2、之发生变化,构成不同电阻传感器:1、长度L发生变化电位器式传感器;2、截面积A、长度L发生变化电阻应变片传感器;3、电阻率发生变化热敏电阻、光导性光检测器等。第4页/共168页1.1.电位器式传感器电位器式传感器 通通过过滑滑动动触触点点把把位位移移转转换换为为电电阻阻丝丝的的长长度度变变化化,从从而而改改变变电电阻阻值值大大小小,进进而而再将这种变化值转换成电压或电流的变化值。再将这种变化值转换成电压或电流的变化值。电位器式传感器分为直线位移型、角位移型和非线性型等,如图所示。第5页/共168页电电位位器器式式传传感感器器一一般般采采用用电电阻阻分分压压电电路路,将将电电参参量量R 转转换换
3、为为电电压压输输出出给给后后续续电路,如图所示。当触头移动时,输出电压为:电路,如图所示。当触头移动时,输出电压为:第6页/共168页2.电阻电阻应变片应变片片状电阻元件贴在构件上构成。有丝绕式,短接式,泊式,半导体,还可用硅条做成产品。第7页/共168页 典型结构典型结构第8页/共168页第9页/共168页康铜应用最广;半导体电阻温度系数大,要进行温度补偿;半导体有很高的压阻效应,灵敏度是康铜的7090倍,但非线性也比较大。第10页/共168页电桥电路又叫惠斯登电桥,它是将电阻、电容、电感等参数的变化转换为电压或电流输出的一种测量电路。电桥电路按其所采用的激励电源类型 直流电桥交流电桥工作方
4、式有两种:平衡电桥(零检测器)和不平衡电桥。在传感器的应用中主要是不平衡电桥。3 传感器测量电路第11页/共168页直流电桥 直流电桥直流电桥桥路输出第12页/共168页(1)平衡电桥:)平衡电桥:IL=0时 平衡条件平衡条件:R1R4=R2R3 R1/R2=R3/R4 R1+R1R2R4R3UILRL第13页/共168页(2)不平衡直流电桥)不平衡直流电桥 当电桥后面接放大器时,电桥输出端看成开路.电桥的输出式为:应变片工作时,其电阻变化应变片工作时,其电阻变化R 第14页/共168页采用等臂电桥,即采用等臂电桥,即R1=R2=R3=R4=R。此时有:。此时有:当当Ri R (i=1,2,3
5、,4)时,略去上式中的高阶微量,则时,略去上式中的高阶微量,则 第15页/共168页 Ri R时,电桥的输出电压与应变成线性关系。若相邻两桥臂的应变极性一致,即同为拉应变或压应变时,输出电压为两者之差;若相邻两桥臂的应变极性不同,则输出电压为两者之和。若相对两桥臂应变的极性一致,输出电压为两者之和;反之则为两者之差。电桥供电电压U越高,输出电压U0越大。但是,当U大时,电阻应变片通过的电流也大,若超过电阻应变片所允许通过的最大工作电流,传感器就会出现蠕变和零漂。增大电阻应变片的灵敏系数K,可提高电桥的输出电压。第16页/共168页略去分母中的R1/R1项,假设R1/R110R,r25R。实际应
6、用时还在输入回路中加接小的铜电阻,或者在受感臂中串接热敏电阻等,来实现温度补偿。第31页/共168页4.应用实例血管外血压传感器应用实例血管外血压传感器由插管技术将血液压力传到圆帽,膜片产生位移,带动活动元件移动,使R1,R4以及R2,R3发生反方向应变,使连接它们的全桥失去平衡,产生输出。第32页/共168页 5.应用实例脉象传感器应用实例脉象传感器脉搏波经传感顶子作用于等强度悬臂梁的自由端,使之弯曲变形。贴在梁上下面的应变片接入全桥或半桥,输出的电压即反应脉动规律。侧视图上视图第33页/共168页 6.水银橡胶管应变仪传感器水银橡胶管应变仪传感器在一个可伸缩的橡胶管中充满导电液体(如KCl
7、,水银),也可以是导电碳粒,可测量心脏,血管,手足,胸腔尺寸变化。可测的应变较小,保证电阻变化与应变成线性关系。频率上限为10Hz。第34页/共168页二、电容式传感器二、电容式传感器1.工作原理l被测量改变传感器的电容量,再转换成电量输出。基本形式是平板电容器,电容量为 C=0rS/xl常通过极距x来实现测量,也可以改变介电常数r和极板面积S。l上式微分得电容传感器的灵敏度 K=C/x=-0rS/x2 并得到 dC/C=-dx/xl说明在任何中心点附近电容量相对变化与位移的相对变化成正比关系。第35页/共168页工作原理工作原理 S 极板相对覆盖面积;d 极板间距离;r相对介电常数;0真空介
8、电常数,;电容极板间介质的介电常数。S第36页/共168页变极距()型:(a)、(e)变面积型(S)(S)型:(b)、(c)、(d)、(f)、(g)(h)变介电常数()型:(i)(l)第37页/共168页变极距型电容传感器变极距型电容传感器非线性关系 若d/d1时,则上式可简化为 若极距缩小d 最大位移应小于间距的1/10 差动式差动式改善其非线性初始电容第38页/共168页变面积型电容传感器变面积型电容传感器当动极板相对于定极板沿着长度方向平移时,其电容变化量化为C与x间呈线性关系 第39页/共168页电容式角位移传感器电容式角位移传感器 当=0时 当0时传感器电容量C与角位移间呈线性关系
9、第40页/共168页变介电常数型电容式传感器变介电常数型电容式传感器初始电容 电容式液位传感器 电容与液位的关系为:第41页/共168页2.测量电路测量电路1)直流极化电压电路)直流极化电压电路这是最简单的测量动态位移变化的电路,将传感器与直流电源V和大负载电阻R串接,在R上测量输出电压V0,它与极距x间有关系:X0是无位移时的电容极距,RC,R1M实际上是高通滤波器,增大R,C能降低fc,但会增加非线性,要求x/x0很小。第42页/共168页2)变频电路变频电路C被接入Hartley振荡器回路,信号频率为:位移输入被转换成信号频率的改变,通过测量f来了解位移量。能测量的位移可以接近直流,但是
10、存在非线性。第43页/共168页3)运放测量电路运放测量电路C是电容传感器低端频响很好,接近直流输出电压与位移成线性关系放大器增益等于反馈阻抗与输入阻抗之比,故输出是由位移x调制的调幅信号,用解调器和低通滤波器来得到正比与x的电压信号。第44页/共168页4)电桥测量电路)电桥测量电路用差动三端电容测量精确位移。d0平衡位置,x向上正向位移,有 C10rA/(d0-x),C20rA/(d0+x)第45页/共168页 可采用电容电桥测量,输出电压为第46页/共168页 也可采用变压器比率臂电桥,放大器电流正比于(C1-C2)=x(2A0r/(d02-x2),通常x1时,就会发生空间电子数成倍增长
11、现象,即电子倍增效应。第86页/共168页3.光电倍增管光电倍增管它是真空器件,能把微弱的光转换成电子流,并使电子流获得放大。各倍增极之间存在100V的压差,当入射的微弱光线以一定速度打在阴极K上后,引发光电子的二次发射。发射的电子在100V电压作用下得到加速,以更高的速度打在D1倍增电极上;再次激发出更多的二次电子,再在D2电压作用下得到进一步加速;。最后到达阳极,并在RL上形成大约1a的电流。其响应时间 Cc+Ca+Ct输入阻抗:101012 输出阻抗100M,响应才能低于,响应才能低于20Hz。第105页/共168页 2)血压传感器使用复合压电材料制作,包括:负荷压电材料换能元件、金属和
12、镀金属的塑料外壳、低噪声引出线、维持薄膜张力的弹性体等。结构简单、体积小、可靠、耐冲击、灵敏度响应好、再现性好。第106页/共168页 由于薄膜的韧性好,易于贴紧皮肤,能稳定检测脉搏压、脉搏数和波形。右面是在上腕部检测的动脉压波形。右下是实际使用的血压传感器。它被安装在加压装置上,然后把加压装置放在上腕的动脉部位,通过橡胶囊进行空气压力调节。第107页/共168页 3)加速度型心音传感器l这类传感器的结构形式很多,均根据惯性原理来测量振动或者加速度,采用压电元件是常用的一种方法。l结构上由(质量块,弹簧,外壳构成的振动系统)+(压电元件)两部分构成。为获得合适的阻尼,壳体内充硅油和橡胶。硬弹簧
13、和质量块一起向压电片施加静态预压缩载荷,它要远大于测量中可能承受的最大动应力。l当传感器向上运动时,质量块产生的惯性力使压电元件上的压力增加;反之,则压力减小。压电元件将惯性质量的位移或振动加速度转换成电量来实现测量。测量心音是一种典型的应用。第108页/共168页 p4)微震颤传感器l这也是一个加速度传感器,压电元件作为振动接受器。l可用橡皮胶布把它贴在手指上(通常为拇指球部)。当手震颤时,使质量块-弹性系统发生振动,压电片受力产生电荷,形成电信号。第109页/共168页 5)空气传导型脉搏波传感器l脉搏播引起空气振动,通过空气室传播到受压膜,使受压膜产生位移,作用到压电元件上,产生反映压力
14、大小的电量,输出。第110页/共168页 压阻传感器压阻传感器 第111页/共168页 p半导体晶体材料(例如半导体硅)在外力作用下电阻率发生改变的现象称为压阻效应。据此原理制作的半导体压阻传感器,通常也称为半导体应变式传感器。p压阻传感器主要包括两类:1)体型压力传感器(半导体应变式)2)固态压阻式压力传感器(扩散型),它正与集成电路技术结合发展成为智能传感器,除了把电阻条、信号调理电路、补偿电路集成到硅片上,还把计算处理电路也集成到了一起。p特点:灵敏度高、响应快、精度高、工作温度范围宽、稳定、容易小型化、智能化,使用方便,便于批量生产等,因此应用广泛,发展迅速。第112页/共168页p各
15、向同性材料的微观形式欧姆定律:E=J E-E-电场强度,电场强度,J-J-电流密度,电流密度,-电阻率电阻率p对于各向异性的晶体,此关系要用张量表示:Ei=i j Jj (i,j=1,2,3)脚标脚标1,2,31,2,3表示表示x,y,zx,y,z三个正交晶轴方向三个正交晶轴方向 i i电场强度方向,电场强度方向,j j电流密度方向电流密度方向 ij ij 表表示示i i方方向向电电场场强强度度和和j j方方向向电电流流密密度度之之间间关关系系的电阻率的电阻率1 压阻效应压阻效应第113页/共168页 p当应力作用于传感器时,其电阻率就发生改变,即产生压阻效应。可同时受到三个正应力和三个切应力
16、。p一般,如果晶体同时受到应力和电流的作用,从叠加原理可得:Ei=(ij+ijmm)Jj-ijm ijm 压阻系数压阻系数 -m m 应力分量应力分量 -正向电阻率,正向电阻率,=1111=2222=3333-i=1,2,3-i=1,2,3电流强度方向电流强度方向 -j=1,2,3-j=1,2,3电流密度方向电流密度方向 -m=1,2,3,-m=1,2,3,6,6应力的方向应力的方向第114页/共168页 p对称性的各向异性材料可以简化应力关系,具体使用时的应力条件也可以用来简化方程。例如,只受剪切应力,有例如,只受剪切应力,有1=2=3=0例如,一块矩形板受液体压力例如,一块矩形板受液体压力
17、p的作用,则的作用,则1=2=3=-p,且且4=5=6=0p为简化符号,可对i,j进行如下合并:11 1 22 2 33 3 23 4 13 5 12 6(32 4 31 5 21 6)于是于是ijm ijm 就成为就成为nmnm,n,m=1,2,3,n,m=1,2,3,6,6第115页/共168页 p单晶硅只有3个独立的压阻系数,因此其压阻系数矩阵就为:1111 1212 1212 0 0 0 0 0 0 1212 1111 1212 0 0 0 0 0 0 1212 1212 1111 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 4444 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
18、 4444 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 4444 1111 纵向压阻系数纵向压阻系数 1212 横向压阻系数横向压阻系数 44 44 切向压阻系数切向压阻系数p指定晶面内的压阻系数随晶体的取向而变,因此在制作传感器,选取电阻条的方向时,应充分利用这个性质,以获得最佳的元件特性。第116页/共168页压阻效应的计算公式压阻效应的计算公式设长度为L、横截面为A的导体或半导体材料,其电阻为:R=L/A对此式微分得:dR/R=d/+(1+2)dL/L =(E+1+2)dL/L -泊松比泊松比 E-弹性模量,单位为弹性模量,单位为Pa -压阻系数压阻系数第117页/共168页 半导体
19、的E乘积可高达50-100,而(1+2)2,所以可以认为 R/R=/=E L/L 即 E=/L/L=m1 m1称为弹性压阻系数称为弹性压阻系数 例如,在例如,在 111 方向作长轴切割的方向作长轴切割的P型半导体硅片,其型半导体硅片,其m1 在在100-175 第118页/共168页影响压阻系数的因素影响压阻系数的因素一、与扩散杂质的表面浓度有关 两两者者基基本本成成反反比比关关系系,即即浓浓度度增增加加,压压阻阻系系数数将将减小。减小。二、温度升高,压阻系数下降浓度较低时,温度升高引起压阻系数下降快浓度较低时,温度升高引起压阻系数下降快浓度较高时,温度升高引起压阻系数下降得慢浓度较高时,温度
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