（浙江专用）备战2019高考物理一轮复习 第三部分 加试30分题型强化练（六）.doc

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1、1加试加试 3030 分题型强化练分题型强化练( (六六) )二、选择题14. 加试题 (2018诸暨市诸暨中学段考)下列说法正确的是( )A、 射线都是电磁波B原子核中所有核子单独存在时，质量总和大于该原子核的总质量C在LC振荡电路中，电容器刚放电时电容器极板上电荷量最多，回路电流最小D大量处于n4 激发态的氢原子，共能辐射出四种不同频率的光子15. 加试题 (2018台州市书生中学月考)某同学在学校实验室采用甲、乙单摆做实验时得到的振动图象分别如图 1 中甲、乙所示，下列说法中正确的是( )图 1A甲、乙两单摆的摆长相等B两摆球经过平衡位置时，速率可能相等C乙单摆的振动方程是x7sin t

2、(cm)D在任意相同时间内，两摆球的路程之比为 10716. 加试题 分别用波长为和 2的光照射同一种金属，产生的速度最快的光电子速度之比为 21，普朗克常量和真空中光速分别用h和c表示，那么下列说法正确的是( )A该种金属的逸出功为hc 3B该种金属的逸出功为hc C波长超过 2的光都不能使该金属发生光电效应D波长超过 4的光都不能使该金属发生光电效应三、非选择题21. 加试题 (2018宁波市重点中学联考)小结同学在做“探究单摆周期与摆长的关系”实验中：(1)在利用游标卡尺测量摆球直径时，测得示数如图 2 甲所示，则该摆球的直径d_ mm；(2)在测摆长L时，她将毫米刻度尺的零刻度线与悬点

3、对齐，示数如图乙所示，由此可知该单摆的摆长为L_ cm；2图 2(3)以下是实验过程中的一些做法，其中正确的有_A摆线要选择细些的，伸缩性小些的，并且尽可能长一些B摆球尽量选择质量大些，体积小些的C为了使摆的周期大一些，以方便测量，开始时拉开摆球，使摆线相距平衡位置有较大的角度D拉开摆球，使摆线偏离平衡位置小于 5 度，在释放摆球的同时开始计时，当摆球第n次回到开始位置时停止计时，若所用时间为 t，则单摆周期Tt n22. 加试题 (2018义乌市模拟)如图 3 所示，在平面直角坐标系xOy中有一个等腰直角三角形硬质细杆框架FGH，框架竖直放在粗糙的水平面上，其中FG与地面接触空间存在着垂直于

4、框架平面的匀强磁场，磁感应强度为B，FG的长度为 8L，在框架中垂线OH上2S(0，L)处有一体积可忽略的粒子发射装置，在该平面内向各个方向发射大量速度大小相2等、带正电的同种粒子，射到框架上的粒子立即被框架吸收粒子的质量为m，电荷量为q，不计粒子间的相互作用以及粒子的重力图 3(1)试问速率在什么范围内所有粒子均不可能打到框架上？(2)如果粒子的发射速率为，求出框架上能被粒子打中的长度；2qBLm(3)如果粒子的发射速率仍为，某时刻同时从S点发出粒子，求从第一个粒子到达底2qBLm边FG至最后一个到达底边的时间间隔 t.323. 加试题 如图 4 所示，两根金属导体棒a和b的长度均为L，电阻

5、均为R，质量分布均匀且大小分别为 3m和m.现用两根等长的、质量和电阻均忽略不计且不可伸长的柔软导线将它们组成闭合回路，并悬跨在光滑绝缘的水平圆棒两侧其中导体棒b处在宽度为H的垂直纸4面向里、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，导体棒a位于磁场的正上方现将导体棒b从磁场的下边界由静止释放，若磁场宽度H足够大，导体棒b穿过磁场的过程中，导体棒a未能进入磁场，整个运动过程中导体棒a、b始终处于水平状态，重力加速度为g.求：图 4(1)导体棒b在磁场中运动时获得的最大速度v；(2)若导体棒b获得最大速度v时，恰好到达磁场的上边界，则b棒从释放到穿出磁场所需要的时间t；(3)在(2)问过程中产生的热量Q.

6、答案精析答案精析14BC 射线为高速电子流，不是电磁波，选项 A 错误原子核的质量小于组成它的核子的质量之和，选项 B 正确LC振荡电路中，电容器开始放电时，由于自感线圈的阻碍作用，因此回路电流从小变大，选项 C 正确处于n4 激发态的氢原子可以放出 C 6 种不2 4同频率的光子，选项 D 错误15AC 由题图可知，两单摆周期相等，根据单摆周期T2，甲、乙两单摆的摆长相l g等，A 正确；T2.0 s， rad/s，所以乙单摆的振动方程是x7sin t(cm)，2 TC 正确16AD 由hW0Ek知hW0mv，hW0mv，又v12v2，得W0，Ac 1 21 2c 21 22 2hc 3正确

7、，B 错误光的波长小于或等于 3时都能发生光电效应，C 错误，D 正确21(1)14.3 (2)76.200.02 cm (3)AB522(1)v (2)()L (3)2qBL2m267m 6qB解析 (1)如图甲所示，以OS为直径的粒子在运动过程中刚好不碰到框架根据几何关系，OS2r0L2根据牛顿第二定律得qv0Bm，解得v0v0 2 r02qBL2m则满足v的粒子均不可能打到三角形框架上2qBL2m(2)当粒子速率v1时，可求得其做圆周运动的半径rL，2qBLm2如图乙所示，当粒子的入射速度方向沿SO方向时，运动轨迹与FG相切于J点；当粒子的入射速度方向沿OS方向时，运动轨迹与FG相切于I

8、点，介于这二者之间的入射粒子均可打在框架FG上，框架上被粒子打中的长度为图丙中JK之间的距离，其中OJrL2SK2r2L，OKL2SK2OS26挡板上被粒子打中的长度JK()L26(3)如图丁所示，粒子从S点发出到达底边FG的最长时间为，最短时间为 ，T3T 4T 62m qBtTTT.3 41 67 127m 6qB23(1) (2)4mgR B2L28mR B2L2B2L2H 4mgR6(3)2mgH32m3g2R2 B4L4解析 (1)设导线的拉力大小为FT，导体棒b受到的安培力为F安对导体棒a：3mg2FT3ma对导体棒b：2FTmgF安ma联立以上两式解得 2mgF安4ma导体棒b切割磁感线产生的感应电动势EBLv感应电流I，F安BILBLv 2RB2L2v 2R当b棒的速度最大时，a0整理后解得v4mgR B2L2(2)由(1)可知，导体棒b上升过程中的加速度ag1 2B2L2v 8mR由微元法得vatgtvtgtH1 2B2L2 8mR1 2B2L2 8mR解得t8mR B2L2B2L2H 4mgR(3)对导体棒a、b组成的系统，由能量守恒定律有(3mm)gHQ 4mv21 2解得 Q2mgH.32m3g2R2B4L4