《物理特性实验》PPT课件.ppt
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1、物理特性实验物理特性实验引入:引入:今天我们要进行的实今天我们要进行的实验是高温超导材料物验是高温超导材料物理特性测试实验,在理特性测试实验,在大家作实验前我从以大家作实验前我从以下个方面对实验进下个方面对实验进行讲述,讲的过程中行讲述,讲的过程中大家可以提问,在作大家可以提问,在作实验前大家要把各个实验前大家要把各个细节都搞清楚:细节都搞清楚:高温超导材料物理特性测试高温超导材料物理特性测试实验实验一、超导的历史与应用超导的历史与应用二、高温超导材料物理特性测试实验原理二、高温超导材料物理特性测试实验原理三、低温制冷手段简介三、低温制冷手段简介四、实验装置和电测量线路四、实验装置和电测量线路
2、五、实验内容五、实验内容六、思考与讨论六、思考与讨论一、超导的历史与应用超导的历史与应用历史历史1911年年:卡茂林昂尼斯意外地发现,将汞冷却到卡茂林昂尼斯意外地发现,将汞冷却到268.98时,时,汞的电阻突然消失;后来他发现许多金属和合金都具有与上述汞汞的电阻突然消失;后来他发现许多金属和合金都具有与上述汞相类似的低温下失去电阻的特性相类似的低温下失去电阻的特性1987年年2月月16日日:美国国家科学基金会宣布,朱经武与吴茂昆获得美国国家科学基金会宣布,朱经武与吴茂昆获得转变温度为转变温度为98K的超导体的超导体 1987年年2月月20日日:中国也宣布发现中国也宣布发现100K以上超导体。以
3、上超导体。1987年年3月月3日,日,日本宣布发现日本宣布发现123K超导体。超导体。1996:年改进高温超导电线的研究工作取得进展,制成了第一条地年改进高温超导电线的研究工作取得进展,制成了第一条地下输电电缆。欧洲电缆巨头皮雷利电缆公司、美国超导体公司和下输电电缆。欧洲电缆巨头皮雷利电缆公司、美国超导体公司和旧金山的电力研究所的工人,共同把旧金山的电力研究所的工人,共同把6000米长的铋、锶、钙、铜米长的铋、锶、钙、铜和氧制成的线缠绕到一根保持超导温度的液氮的空管子上。和氧制成的线缠绕到一根保持超导温度的液氮的空管子上。一、超导的历史与应用超导的历史与应用应用应用超群的超导磁体超群的超导磁体
4、超导计算机超导计算机 高温超导薄膜高温超导薄膜 二、高温超导材料物理特性二、高温超导材料物理特性测试实验原理测试实验原理1、概述、概述 低温物理实验是把样品温度从室温开始冷却到低温物理实验是把样品温度从室温开始冷却到120K以下进各种测量研究,在低温状态下,许多物以下进各种测量研究,在低温状态下,许多物质都具有一些与常温状态下不同的独特性质,特别质都具有一些与常温状态下不同的独特性质,特别是一些固体材料,在低温状态下,其光学、电学和是一些固体材料,在低温状态下,其光学、电学和磁学等性质都会发生很大的变化,甚至可以观察到磁学等性质都会发生很大的变化,甚至可以观察到宏观尺度的量子效应,例如超导电性
5、、量子霍尔效宏观尺度的量子效应,例如超导电性、量子霍尔效应等。在超导现象发现以后,人们一直在为提高超应等。在超导现象发现以后,人们一直在为提高超导临界温度而努力,目前氧化物高温超导材料体系导临界温度而努力,目前氧化物高温超导材料体系较多,较多,YB2Cu3O7材料的转变温度材料的转变温度TC在在90K以上。以上。本实验的目的本实验的目的:是了解高临界温度超导材料的基本特性是了解高临界温度超导材料的基本特性及其测试方法;及其测试方法;了解金属和半导体了解金属和半导体PNPN结的伏安特性随温结的伏安特性随温度的变化以及温差电效应;度的变化以及温差电效应;学习几种低温温度计的对比和使用学习几种低温温
6、度计的对比和使用方法,以及低温温度控制的简便方法方法,以及低温温度控制的简便方法2、高临界温度超导电性、高临界温度超导电性同时具有完全导电性和完全抗磁性的物质称为超同时具有完全导电性和完全抗磁性的物质称为超导体。完全导电性和完全抗磁性是超导电性的两导体。完全导电性和完全抗磁性是超导电性的两个最基本的性质。个最基本的性质。(1)零电阻现象:)零电阻现象:当物质的温度下降到某一确定值当物质的温度下降到某一确定值TC(临界温度)时,物质的电阻率由有(临界温度)时,物质的电阻率由有限值变为零的现象称为零电阻现象,限值变为零的现象称为零电阻现象,也称为物质的完全导电性。临界温度也称为物质的完全导电性。临
7、界温度TC是一个由物质本身内部性质确定的、是一个由物质本身内部性质确定的、局域的内禀参量。若样品很纯,且结局域的内禀参量。若样品很纯,且结构完整,超导体在一定温度下,由正构完整,超导体在一定温度下,由正常的有阻状态(常导态)急剧地转为常的有阻状态(常导态)急剧地转为零电阻状态(超导态),如图的曲线零电阻状态(超导态),如图的曲线。在样品不纯或不均匀情况下,超。在样品不纯或不均匀情况下,超导转变所跨越的温区会展宽,如图的导转变所跨越的温区会展宽,如图的曲线曲线。(2)迈斯纳效应)迈斯纳效应 1933年,迈斯纳()和奥克森菲尔德年,迈斯纳()和奥克森菲尔德(R.0chsenfeld)把锡和铅样品放
8、在磁场中冷却把锡和铅样品放在磁场中冷却到其转变温度以下到其转变温度以下,测量了样品外部的磁场分布测量了样品外部的磁场分布.他们发现他们发现,不论是在没有外加磁场或有外不论是在没有外加磁场或有外加磁场的情况下使样品从正常态转变为超导态加磁场的情况下使样品从正常态转变为超导态,只要只要T Rr,因此有i(T)。例如,铂的德拜温度D为225,在63K到室温的范围内,它的电阻i(T)近似地正比于温度T。然而,稍许精确的测量就会发现它们偏离线形关系,如图3-1-2所示。在液氮正常沸点到室温温度范围内,铂电阻温度计具有良好的线形电阻温度关系,可表示为 R(T)ATB 2或 T(R)aRb 3其中A、B和a
9、、b是不随温度变化的常量。因此,根据我们给出的铂电阻温度计在液氮正常沸点和冰点的电阻值,可以确定所用的铂电阻温度计的A、B和a、b的值,并由此可得到用铂电阻温度计测温时任一电阻所相应的温度值。铂电阻的温度关系铂电阻的温度关系 3、金属电阻随温度的变化、金属电阻随温度的变化半导体电阻以及半导体电阻以及PN结的正向电压随温度的变化结的正向电压随温度的变化 半导体具有与金属很不相同的电阻温度关系。一般而言,在较大半导体具有与金属很不相同的电阻温度关系。一般而言,在较大的温度范围内,半导体具有负的温度系数。半导体导电的机制比较复的温度范围内,半导体具有负的温度系数。半导体导电的机制比较复杂,如图所示,
10、锗电阻温度计的电阻温度关系可以分为四个区。在杂,如图所示,锗电阻温度计的电阻温度关系可以分为四个区。在区中,半导体本征激发占优势,它所激发的载流子的数目随着温度的区中,半导体本征激发占优势,它所激发的载流子的数目随着温度的升高而增多,使其电阻随着温度的升高而指数下降。当温度降低到升高而增多,使其电阻随着温度的升高而指数下降。当温度降低到和和区时,半导体杂质激发占优势,在区时,半导体杂质激发占优势,在区中温度开始升高时,它所区中温度开始升高时,它所激发的载流子的数目也是随着温度的升高而增多的,从而使其电阻随激发的载流子的数目也是随着温度的升高而增多的,从而使其电阻随温度的升高而指数下降;但当温度
11、升高而进入温度的升高而指数下降;但当温度升高而进入区中时,杂质激发已区中时,杂质激发已全部完成,因此当温度继续升高时,由于晶格对载流子散射作用的增全部完成,因此当温度继续升高时,由于晶格对载流子散射作用的增强以及载流子热运动的加剧,所以电阻随温度的升高而增大。最后,强以及载流子热运动的加剧,所以电阻随温度的升高而增大。最后,在在区中温度已经降低到本征激发和杂质激发几乎都不能进行,这时区中温度已经降低到本征激发和杂质激发几乎都不能进行,这时靠载流子在杂质原子之间的跳动而在电场下形成微弱的电流,因此温靠载流子在杂质原子之间的跳动而在电场下形成微弱的电流,因此温度越高电阻越低。适当调整掺杂元素和掺杂
12、量,可以改变度越高电阻越低。适当调整掺杂元素和掺杂量,可以改变和和这两这两个区所覆盖的温度范围以及交接处曲线的光滑程度,从而做成所需的个区所覆盖的温度范围以及交接处曲线的光滑程度,从而做成所需的低温锗电阻温度计。此外,硅电阻温度计、碳电阻温度计、渗碳玻璃低温锗电阻温度计。此外,硅电阻温度计、碳电阻温度计、渗碳玻璃电阻温度计和热敏电阻温度计也都是常用的低温半导体温度计。显然,电阻温度计和热敏电阻温度计也都是常用的低温半导体温度计。显然,在大部分温区中,半导体具有负的电阻温度系数,这与金属完全不同在大部分温区中,半导体具有负的电阻温度系数,这与金属完全不同的。的。在恒定的电流下,硅和砷化镓二极管在
13、恒定的电流下,硅和砷化镓二极管PN结的正向电阻随着温度的降低结的正向电阻随着温度的降低而升高,如图所示。由图可见,用一支二极管温度计就能测量很宽范而升高,如图所示。由图可见,用一支二极管温度计就能测量很宽范围的温度,且灵敏度很高。由于二极管温度计的发热量较大,常把它围的温度,且灵敏度很高。由于二极管温度计的发热量较大,常把它作为控温元件。作为控温元件。3、金属电阻随温度的变化、金属电阻随温度的变化半导体锗的电阻温度关系半导体锗的电阻温度关系 3、金属电阻随温度的变化、金属电阻随温度的变化温差电偶温度计温差电偶温度计 当两种金属所做成的导线联成回路,并使其两个接触点维持在不同的温度时,该闭合回路
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