薄膜技术及应用课件.ppt
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1、薄膜技术及应用ThinFilmTechnologyandApplications电子科学与应用物理学院微纳功能材料与器件研究室电子科学与应用物理学院微纳功能材料与器件研究室1薄膜材料制备原理、技术及应用薄膜材料制备原理、技术及应用唐伟忠,冶金工业出版社唐伟忠,冶金工业出版社薄膜物理与技术薄膜物理与技术杨邦朝,电子科技大学出版社杨邦朝,电子科技大学出版社薄膜物理与技术薄膜物理与技术陈国平,东南大学出版社陈国平,东南大学出版社参参考考书书23在材料科学的各分支中,薄膜材料科学发展的在材料科学的各分支中,薄膜材料科学发展的地位极为重要地位极为重要。薄膜材料是采用特殊的方法,在体材料的表面薄膜材料是采
2、用特殊的方法,在体材料的表面沉积或制备的一层性质与体材料性质完全不同的物沉积或制备的一层性质与体材料性质完全不同的物质层质层。薄膜材料往往具有特殊的材料性能或性能组合薄膜材料往往具有特殊的材料性能或性能组合。4薄膜材料科学成为材料科学中发展最迅速分支薄膜材料科学成为材料科学中发展最迅速分支的原因:的原因:(1)(1)现代科学技术的发展,特别是微电子现代科学技术的发展,特别是微电子技术的发展,过去需要众多材料组合才能实现技术的发展,过去需要众多材料组合才能实现的功能,现在仅仅需要少数几个器件或一块集的功能,现在仅仅需要少数几个器件或一块集成电路板就可以完成成电路板就可以完成。薄膜技术正是实现器件
3、薄膜技术正是实现器件和系统微型化的最有效的技术手段和系统微型化的最有效的技术手段。5薄膜材料科学成为材料科学中发展最迅速分支薄膜材料科学成为材料科学中发展最迅速分支的原因:的原因:(2)(2)器件的微小型化不仅可以保持器件原器件的微小型化不仅可以保持器件原有的功能并使之更加强化,而且随着器件的尺有的功能并使之更加强化,而且随着器件的尺寸减小并接近了电子或其他粒子量子化运动的寸减小并接近了电子或其他粒子量子化运动的微观尺度,薄膜材料或其器件将显示出许多全微观尺度,薄膜材料或其器件将显示出许多全新的物理现象。薄膜技术作为器件微型化的关新的物理现象。薄膜技术作为器件微型化的关键技术,是制备这类具有新
4、型功能器件的有效键技术,是制备这类具有新型功能器件的有效手段手段。6薄膜材料科学成为材料科学中发展最迅速分支薄膜材料科学成为材料科学中发展最迅速分支的原因:的原因:(3)(3)薄膜技术作为材料制备的有效手段,薄膜技术作为材料制备的有效手段,可以将各种不同材料灵活地复合在一起,构成可以将各种不同材料灵活地复合在一起,构成具有优异特性的复杂材料体系,发挥每种材料具有优异特性的复杂材料体系,发挥每种材料各自的优势,避免单一材料的局限性薄膜材各自的优势,避免单一材料的局限性薄膜材料学在科学技术以及国民经济的各个领域发挥料学在科学技术以及国民经济的各个领域发挥着越来越大的作用着越来越大的作用。78薄膜分
5、类(按功能及其应用领域):薄膜分类(按功能及其应用领域):电学薄膜电学薄膜半导体器件与集成电路中使用的导电材料半导体器件与集成电路中使用的导电材料与介质薄膜材料与介质薄膜材料 AlAl、CrCr、PtPt、AuAu、多晶硅、硅化物薄膜;、多晶硅、硅化物薄膜;SiOSiO2 2、SiSi3 3N N4 4、TaTa2 2O O5 5、SiOFSiOF薄膜。薄膜。9超导薄膜超导薄膜 YbaCuOYbaCuO系高温超导薄膜;系高温超导薄膜;BiSrCaCuOBiSrCaCuO系高温超导薄膜;系高温超导薄膜;TiBaCuOTiBaCuO系高温超导薄膜。系高温超导薄膜。YBa2Cu3O7-x Film1
6、0光电子器件中使用的功能薄膜光电子器件中使用的功能薄膜 GaAs/GaAlAsGaAs/GaAlAs、HgTe/CdTeHgTe/CdTe、a-Sia-Si:H H、A-SiGeA-SiGe:H H、a-SiCa-SiC:H H、a-SiNa-SiN:H H、a-Si/a-SiCa-Si/a-SiC等一系列晶态与非等一系列晶态与非晶态超晶格薄膜。晶态超晶格薄膜。C-V Characteristics of GaAs/AlGaAs Superlattice C-V Characteristics of GaAs/AlGaAs Superlattice Structure showing capa
7、citance Oscillations Associated Structure showing capacitance Oscillations Associated with charge accumulation due to the sequential with charge accumulation due to the sequential tunneling of electrons.tunneling of electrons.11薄膜敏感元件与固态传感器薄膜敏感元件与固态传感器 薄膜可燃气体传感器、薄膜氧敏传感器、薄膜应薄膜可燃气体传感器、薄膜氧敏传感器、薄膜应变电阻与压
8、力传感器、薄膜热敏电阻和薄膜离子敏传变电阻与压力传感器、薄膜热敏电阻和薄膜离子敏传感器等。感器等。ThinFilmPressureSensor12DiamondThinFilmUVsensorSchematic of fiber optic cable Schematic of fiber optic cable with chemochromic hydrogen with chemochromic hydrogen sensor deposited on end.sensor deposited on end.13薄膜电阻、薄膜电容、薄膜阻容网络与混合集成电路薄膜电阻、薄膜电容、薄膜阻容网
9、络与混合集成电路HybridIC14Copper-indium-diselenide(CuInSe2,or CIS)Thin-film material with efficiency of up to 17%.The material is promising,yet not widely used due to production specific procedures.薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池 非晶硅、非晶硅、CuInSeCuInSe2 2和和CdSeCdSe薄膜太阳电池。薄膜太阳电池。1516 平板显示器件平板显示器件 液晶显示、等离子体显示和电致发光显示三大类液晶显示、等离子体
10、显示和电致发光显示三大类平板显示器件所用的透明导电电极(平板显示器件所用的透明导电电极(ITOITO薄膜)。薄膜)。电致发光多层薄膜(包括电致发光多层薄膜(包括ITOITO膜,膜,ZnSZnS:MnMn等发光等发光膜,膜,AlAl电极膜等)组成的全固态平板显示器件及电极膜等)组成的全固态平板显示器件及OLEDOLED显示器件。显示器件。OLED Displays:Better Than OLED Displays:Better Than Plasma Or LCD Plasma Or LCD 17 用用ZnOZnO、AlNAlN等薄膜制成的声表面波滤波器。等薄膜制成的声表面波滤波器。磁记录薄膜
11、与薄膜磁头磁记录薄膜与薄膜磁头 高质量和录象的磁性材料薄膜录音带与录象带;高质量和录象的磁性材料薄膜录音带与录象带;计算机数据存储的计算机数据存储的CoCrTaCoCrTa、CoCrNiCoCrNi等的薄膜软盘和等的薄膜软盘和 硬盘;硬盘;垂直磁记录中垂直磁记录中FeSiAlFeSiAl薄膜磁头等。薄膜磁头等。静电复印鼓用静电复印鼓用Se-TeSe-Te、SeTeAsSeTeAs合金薄膜及非晶硅薄合金薄膜及非晶硅薄膜。膜。18铁电存储器铁电存储器19ANTI-REFLECTION CHARTthreelayers 光学薄膜光学薄膜 减反射膜、反射膜、分光镜、滤光片;减反射膜、反射膜、分光镜、滤
12、光片;照明光源所用的反热镜与冷光镜薄膜;照明光源所用的反热镜与冷光镜薄膜;建筑物、汽车等交通工具所用的镀膜玻璃;建筑物、汽车等交通工具所用的镀膜玻璃;激光唱片与光盘中的光存储薄膜;激光唱片与光盘中的光存储薄膜;集成光学元件所用的介质薄膜与半导体薄膜。集成光学元件所用的介质薄膜与半导体薄膜。20刀具表面氮化物、氧化物、碳化物镀膜刀具表面氮化物、氧化物、碳化物镀膜硬质膜、耐蚀膜、润滑膜硬质膜、耐蚀膜、润滑膜有机分子薄膜有机分子薄膜装饰膜装饰膜包装膜包装膜2122薄膜材料学涉及的内容:薄膜材料学涉及的内容:(1)(1)薄膜材料的制备手段;薄膜材料的制备手段;(2)(2)薄膜材料的形核与生长理论;薄膜
13、材料的形核与生长理论;(3)(3)薄膜材料的表征技术;薄膜材料的表征技术;(4)(4)薄膜材料的体系、性能及应用薄膜材料的体系、性能及应用。232425262728HighperformanceNano-FETsNano-OptoelectronicDevicesPhotodetectorsNanoLEDsSensorsSolarcell29第一章 薄膜制备的真空技术基础1.1 气体分子运动论的基本概念1.1.1气体分子的运动速度及其分布气体分子运动论:气体分子一直处无规热运动;平均运动速度取决于温度;分子之间和分子与器壁之间相互碰撞。结果:气体分子的速度服从一定统计分 布,气体本身对外显压力
14、。30 理想气体气体模型:气体分子之间除相互碰撞的瞬间之外,不存在相互作用,可看作是相互独立运动硬球,且硬球的半径远小于球与球之间的距离。在一般的温度和压力条件下,所有气体可看作理想气体。31In a solid,a metal for example,the particles are atoms,arranged in an orderly array.The atoms are relatively close to one another,and the motion of each atom is restricted by its interaction with other at
15、oms.32In a liquid,the atoms or molecules,are further apart than in a solid,and are not arranged in any special order.There is less interaction between the molecules,and they are free to move in any direction,but as interactions between the molecules are still present,most molecules are confined to t
16、he volume occupied by the liquid sample.33In a gas,the atoms or molecules are further apart and have little interaction with one another.The motion of these particles is confined by the walls of the containing vessels.34Maxwell-Boltzmann分布分布气体分子的运动速度的一维分量气体分子的运动速度的一维分量 气体分子的速度分布只取决于分子的相对气体分子的速度分布只取决
17、于分子的相对原子质量原子质量M M与气体的热力学温度与气体的热力学温度T T的比值。的比值。3536Distributionofmolecularspeeds:effectsofmolarmassandtemperature37f(v)v38Distributionofmolecularspeeds-hydrogengasat0C.Thepercentagesofmoleculeswithacertainspeedareplottedasafunctionofthespeed.Threedifferentspeedsarenotedonthegraph.391.1.2气体的压力和气体分子的平均
18、自由程气体的压力和气体分子的平均自由程Theidealgasequation40 Pressure unit Pressure unit SI SI(System InternationalSystem International)Unit Unit 1 Pa1 Pa(PascalPascal)1 Newton/m1 Newton/m2 2 1 atm1 atm1.0131.01310105 5 Pa Pa760 mmHg 760 mmHg 1 bar1 bar105 N/m105 N/m2 210105 5 Pa Pa Practical Unit Practical Unit 1 Torr
19、1 Torr1 mmHg 1 mmHg 1 mTorr1 mTorr10103 3 mmHg mmHg 1 Pa1 Pa7.57.510103 3 Torr Torr 1 Torr1 Torr133.3 Pa 133.3 Pa 1 bar1 bar10105 5 PaPa750 Torr 750 Torr 1 atm1 atm1.0131.01310105 5 Pa Pa760 Torr 760 Torr 41气体分子的平均自由程气体分子的平均自由程424344Freezeothermoleculesandexaminemotionofonemolecule:45由于气体分子的平均自由程与气体
20、分子的密度由于气体分子的平均自由程与气体分子的密度n n成反比,因而气体分子自由程随着气体压力的下成反比,因而气体分子自由程随着气体压力的下降而增加。降而增加。在气体压力低于在气体压力低于0.1Pa0.1Pa的情况下的情况下,气体分子间气体分子间的碰撞几率很小,气体分子的碰撞主要是其与容的碰撞几率很小,气体分子的碰撞主要是其与容器器壁间的碰撞。器器壁间的碰撞。461.1.3气体分子的通量气体分子的通量 单位面积上气体分子的通量单位面积上气体分子的通量:气体分子对于单位气体分子对于单位 表面的碰撞频率。表面的碰撞频率。气体分子对衬底碰撞气体分子对衬底碰撞-薄膜沉积。薄膜沉积。薄膜沉积速度正比于分
21、子的通量。薄膜沉积速度正比于分子的通量。47 气体分子的通量与压力呈正比,与温度和气体分子的通量与压力呈正比,与温度和相对原子质量乘积的相对原子质量乘积的1/21/2次方成反比。是真空次方成反比。是真空和薄膜沉积技术中最常用的方程之一。和薄膜沉积技术中最常用的方程之一。克努森方程克努森方程48例:计算在高真空的条件下,清洁衬底被环境中例:计算在高真空的条件下,清洁衬底被环境中的杂质气体分子污染所需时间。假设每一个向衬的杂质气体分子污染所需时间。假设每一个向衬底运动过来的气体分子都是杂质,且每一个分子底运动过来的气体分子都是杂质,且每一个分子都被衬底所俘获。都被衬底所俘获。衬底完全被一层杂质气体
22、分子覆盖所需要的衬底完全被一层杂质气体分子覆盖所需要的时间为时间为 其中其中N N为衬底表面的原子面密度。在常温、常压为衬底表面的原子面密度。在常温、常压条件下,洁净表面被条件下,洁净表面被杂质完全覆盖杂质完全覆盖所需的时间约为所需的时间约为3.5x103.5x10-9-9 s s,而在,而在3x103x10-8-8 Pa Pa的超高真空中,上述时间的超高真空中,上述时间可延长至可延长至10h10h左右。这说明了在薄膜技术中获得和保左右。这说明了在薄膜技术中获得和保持适当的真空环境的极端重要性。持适当的真空环境的极端重要性。49真空环境划分真空环境划分低真空低真空102Pa中真空中真空1021
23、0-1Pa高真空高真空10-110-5Pa超高真空超高真空10-5Pa50不同薄膜制备和分析技术对于真空度要求不同不同薄膜制备和分析技术对于真空度要求不同真空蒸发沉积需要高真空和超高真空范围(真空蒸发沉积需要高真空和超高真空范围(10-3Pa);溅射沉积需要中、高真空(溅射沉积需要中、高真空(10-210-5Pa);低压化学气相沉积需要中、低真空(低压化学气相沉积需要中、低真空(10100Pa);电子显微技术维持的分析环境需要高真空电子显微技术维持的分析环境需要高真空;材料表面分析需要超高真空。材料表面分析需要超高真空。51521.2气体的流动状态和真空抽速气体的流动状态和真空抽速1.2.1气
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- 薄膜 技术 应用 课件
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