C51单片机扩展存储器的设计课件.ppt

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1、第第8 8章章 89C5189C51单片机扩展存储器的设计单片机扩展存储器的设计8.1 8.1 系统扩展结构系统扩展结构 AT89C51AT89C51系统并行扩展结构如系统并行扩展结构如图图8-18-1所示。所示。图图8-18-1由图由图8-18-1可以看出，系统扩展主要包括可以看出，系统扩展主要包括存储器扩展存储器扩展和和I/OI/O接口接口部件扩展部件扩展。外部存储器扩展外部存储器扩展又包括又包括程序存储器扩展程序存储器扩展和和数据存储器扩展数据存储器扩展。AT89C51AT89C51采用的是采用的是哈佛结构哈佛结构。扩展后，系统形成了扩展后，系统形成了两个并两个并行的外部存储器空间行的外

2、部存储器空间。89C5189C51单片机采用并行总线结构，大大增加了系统的灵活性，单片机采用并行总线结构，大大增加了系统的灵活性，使扩展易于实现，各扩展部件只要符合总线规范，就能使扩展易于实现，各扩展部件只要符合总线规范，就能很方便地接入系统。很方便地接入系统。由于系统扩展是通过总线把由于系统扩展是通过总线把AT89C51AT89C51与各扩展部件连接起来。与各扩展部件连接起来。因此，要进行系统扩展因此，要进行系统扩展首先要构造系统总线首先要构造系统总线。系统总线按功能分为三组，如系统总线按功能分为三组，如图图8-18-1所示。所示。（1 1）地址总线（）地址总线（Adress BusAdre

3、ss Bus，ABAB）地址总线用于传送单片机发出的地址信号，以便进行存储单元地址总线用于传送单片机发出的地址信号，以便进行存储单元和和I/OI/O接口芯片中的寄存器选择。地址总线是接口芯片中的寄存器选择。地址总线是单向传输单向传输的。的。（2 2）数据总线）数据总线(Data Bus(Data Bus，DB)DB)数据总线用于在单片机与存储器之间或与数据总线用于在单片机与存储器之间或与I/OI/O端口之间传送数端口之间传送数据。数据总线是双向的，可以进行两个方向的传送。据。数据总线是双向的，可以进行两个方向的传送。（3 3）控制总线（）控制总线（Control BusControl Bus，

4、CBCB）控制总线实际上就是单片机发出的各种控制信号线。控制总线实际上就是单片机发出的各种控制信号线。下面讨论如何构造系统三总线下面讨论如何构造系统三总线 1 1以以P0P0口作为低口作为低8 8位地址位地址/数据总线数据总线AT89C51AT89C51由于受引脚数目的限制，数据线和低由于受引脚数目的限制，数据线和低8 8位地址线复用。位地址线复用。为了将它们分离出来，需要为了将它们分离出来，需要外加地址锁存器外加地址锁存器，从而构成与一般，从而构成与一般CPUCPU相类似的片外三总线，见相类似的片外三总线，见图图8-28-2。图图8-28-22.2.以以P2P2口的口线作为高位地址线口的口线

5、作为高位地址线P2P2口的全部口的全部8 8位口线用作高位地址线，再加上位口线用作高位地址线，再加上P0P0口经地址锁存口经地址锁存器提供的低器提供的低8 8位地址，便形成了位地址，便形成了完整的完整的1616位地址总线位地址总线（见图（见图8-28-2），使），使寻址范围达到寻址范围达到64KB64KB。3 3控制信号线控制信号线除了地址线和数据线之外，还要有系统的控制总线。这些信号除了地址线和数据线之外，还要有系统的控制总线。这些信号有的就是单片机引脚的第一功能信号，有的则是有的就是单片机引脚的第一功能信号，有的则是P3P3口第二功口第二功能信号。其中包括：能信号。其中包括：（1 1）PS

6、EN*PSEN*信号作为外扩程序存储器的读选通控制信号。信号作为外扩程序存储器的读选通控制信号。（2 2）RD*RD*和和WR*WR*信号作为外扩数据存储器和信号作为外扩数据存储器和I/OI/O接口的读、写选接口的读、写选通控制信号。通控制信号。（3 3）ALEALE信号作为低信号作为低8 8位地址的锁存控制信号。位地址的锁存控制信号。（4 4）EA*EA*信号作为内、外程序存储器的选择控制信号。信号作为内、外程序存储器的选择控制信号。可看出，尽管可看出，尽管89C5189C51单片机有单片机有4 4个并行的个并行的I/OI/O口，共口，共3232条口线，条口线，但由于系统扩展的需要，但由于系

7、统扩展的需要，真正作为数字真正作为数字I/OI/O使用的，就剩下使用的，就剩下P1P1口和口和P3P3口的部分口线了。口的部分口线了。8.2 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器地址空间分配和外部地址锁存器8.2.1 8.2.1 存储器地址空间分配存储器地址空间分配 如何把外部各自的如何把外部各自的64KB64KB空间分配给各个程序存储器、数据存储空间分配给各个程序存储器、数据存储器芯片，并且使程序存储器的各个芯片之间，数据存储器各器芯片，并且使程序存储器的各个芯片之间，数据存储器各芯片之间，为避免发生数据冲突，芯片之间，为避免发生数据冲突，一个存储器单元对应一个一个存储器单元对应一个地址地址

8、，这就是存储器的地址空间的分配问题。，这就是存储器的地址空间的分配问题。在外扩的多片存储器芯片中，在外扩的多片存储器芯片中，AT89C51AT89C51要完成这种功能，必须进要完成这种功能，必须进行行两种选择两种选择：一是必须选中该存储器芯片一是必须选中该存储器芯片（或（或I/OI/O接口芯片），这称为接口芯片），这称为“片选片选”，只有被只有被“选中选中”的存储器芯片才能被的存储器芯片才能被AT89C51AT89C51读出或写读出或写入数据。为了片选的需要，每个存储器芯片都有片选信号引入数据。为了片选的需要，每个存储器芯片都有片选信号引脚，脚，二是在二是在“片选片选”的基础上再选择该芯片的某

9、一单元，称为的基础上再选择该芯片的某一单元，称为“单单元选择元选择”。常用的存储器地址空间分配方法有两种：常用的存储器地址空间分配方法有两种：线性选择法线性选择法（简（简称线选法）和称线选法）和地址译码法地址译码法（简称译码法），下面分别介（简称译码法），下面分别介绍。绍。1 1线选法线选法直接利用系统的直接利用系统的高位地址线高位地址线作为存储器芯片（或作为存储器芯片（或I/OI/O接口芯接口芯片）的片）的“片选片选”控制信号控制信号。为此，只需要把用到的高位。为此，只需要把用到的高位地址线与存储器芯片的地址线与存储器芯片的“片选片选”端直接连接即可。端直接连接即可。线选法的线选法的优点优点

10、是电路简单，不需要另外增加地址译码器硬是电路简单，不需要另外增加地址译码器硬件电路，体积小，成本低。件电路，体积小，成本低。缺点缺点是可寻址的芯片数目受到限制。是可寻址的芯片数目受到限制。另外另外，地址空间不连续，每个存储单元的地址不唯一，不，地址空间不连续，每个存储单元的地址不唯一，不能充分有效地利用存储空间，这会给程序设计带来一些不便，能充分有效地利用存储空间，这会给程序设计带来一些不便，只适用于外扩芯片数目不多的单片机系统的存储器扩展。只适用于外扩芯片数目不多的单片机系统的存储器扩展。2 2译码法译码法使用译码器对使用译码器对89C5189C51的高位地址进行译码，将的高位地址进行译码，

11、将译码器的译码输译码器的译码输出作为存储器芯片的片选信号。出作为存储器芯片的片选信号。是最常用的地址空间分配是最常用的地址空间分配的方法，它能有效地利用存储器空间，适用于多芯片的存的方法，它能有效地利用存储器空间，适用于多芯片的存储器扩展。储器扩展。常用的译码器芯片常用的译码器芯片有有74LS13874LS138（3-83-8译码器）译码器）74LS13974LS139（双（双2-42-4译码器）译码器）74LS15474LS154（4-164-16译码器）。若全部高位地址线都参译码器）。若全部高位地址线都参加译码，称为加译码，称为全译码全译码；若仅部分高位地址线参加译码，称；若仅部分高位地址

12、线参加译码，称为为部分译码部分译码。部分译码存在着部分存储器地址空间相重叠的情。部分译码存在着部分存储器地址空间相重叠的情况。况。两种常用的译码器芯片。两种常用的译码器芯片。（1 1）74LS13874LS13874LS13874LS138是是3-83-8译码器译码器，有，有3 3个数据输入端个数据输入端,经译码产生经译码产生8 8种状态。种状态。其引脚如其引脚如图图8-38-3所示，真值表如所示，真值表如表表8-18-1所示。所示。由由表表8-18-1可见，当译码器的输入为某一固定编码时，其可见，当译码器的输入为某一固定编码时，其输出仅输出仅有一个固定的引脚输出为低电平有一个固定的引脚输出为

13、低电平，其余的为高电平其余的为高电平。而输。而输出为低电平的引脚就作为某一存储器芯片的片选端的控制出为低电平的引脚就作为某一存储器芯片的片选端的控制信号。信号。图图8-38-3 表表8-18-1 74LS138 74LS138译码器真值表译码器真值表 输输 入入 输输 出出 G1 G2AG1 G2A*G2B G2B*C B A Y7 C B A Y7*Y6Y6*Y5Y5*Y4Y4*Y3Y3*Y2Y2*Y1Y1*Y0Y0*（2 2）74LS13974LS13974LS13974LS139是是双双2-42-4译码器译码器。两个译码器完全独立，分别有各自的。两个译码器完全独立，分别有各自的数据输入端

14、、译码状态输出端以及数据输入允许端。其引脚数据输入端、译码状态输出端以及数据输入允许端。其引脚如如图图8-48-4所示，真值表如所示，真值表如表表8-28-2所示（见所示（见P138P138）。）。图图8-48-4下面下面以以74LS13874LS138为例，介绍如何进行地址分配。为例，介绍如何进行地址分配。例例 要扩要扩8 8片片8 8KBKB的的RAM 6264RAM 6264，如何通过如何通过7474LS138LS138把把6464KBKB空间分空间分配给各个芯片？配给各个芯片？64KB 64KB地址空间的分配如地址空间的分配如图图8-58-5所示。所示。图图8-58-5采用采用全地址译

15、码方式全地址译码方式，单片机发地址码时，每次只能选中一个，单片机发地址码时，每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。如果如果用用7474LS138LS138把把6464K K空间全部划分为每块空间全部划分为每块4 4KBKB，如何划分呢？如何划分呢？由于由于4KB4KB空间需要空间需要1212条地址线进行条地址线进行“单元选择单元选择”，而译码器而译码器的输入有的输入有3 3条地址线（条地址线（P2.6P2.6P2.4P2.4），），P2.7P2.7没有参加译码，没有参加译码，P2.7P2.7发出的发出的0 0或或1 1决定了

16、选择决定了选择64KB64KB存储器空间的前存储器空间的前32KB32KB还是后还是后32KB32KB，由于，由于P2.7P2.7没有参加译码，就没有参加译码，就不是全译码方式不是全译码方式，这样前，这样前后两个后两个32KB32KB空间就重叠了。空间就重叠了。那么，那么，这这32KB32KB空间利用空间利用74LS13874LS138译码器可划分为译码器可划分为8 8个个4KB4KB空间空间。如果把如果把P2.7P2.7通过一个非门与通过一个非门与74LS13874LS138译码器的译码器的G1G1端连接起来，端连接起来，如如图图8-68-6所示，就不会发生两个所示，就不会发生两个32KB3

17、2KB空间重叠的问题了。空间重叠的问题了。8.8.2.2 2.2 外部地址锁存器外部地址锁存器地址锁存器芯片地址锁存器芯片:74:74LS373LS373、82828282、74LS57374LS573等。等。1.1.锁存器锁存器7474LS373LS373带有三态门的带有三态门的8 8D D锁存器锁存器,其引脚及内部结构如其引脚及内部结构如图图8-78-7和和图图8-88-8。89C5189C51与与74LS37374LS373的连接如的连接如图图8-98-9所示。所示。图图8-68-6引脚说明如下引脚说明如下:D7D7D0:D0:8 8位数据输入线。位数据输入线。Q7Q7Q0:Q0:8 8

18、位数据输出线。位数据输出线。G:G:数据输入锁存选通信号数据输入锁存选通信号,图图8-78-7图图8-88-8OEOE*:数据输出允许信号数据输出允许信号图图8-98-974LS373功能如功能如表表8-3所示。所示。表表8-3 74LS3738-3 74LS373功能表功能表OE*OE*G GD DQ Q0 01 11 11 10 01 10 00 00 00 0不变不变1 1高阻态高阻态2 2锁存器锁存器7474LS573LS573 输入的输入的D D端和输出的端和输出的Q Q端依次排在芯片的两侧，端依次排在芯片的两侧，为绘制印刷电为绘制印刷电路板时的布线提供了方便。路板时的布线提供了方便

19、。图图8-108-1074LS57374LS573的各的各引脚说明引脚说明如下如下:D7D7D0D0：8 8位数据输入线。位数据输入线。Q7Q7Q0Q0：8 8位数据输出线。位数据输出线。G G：数据输入锁存选通信号，该引脚与数据输入锁存选通信号，该引脚与74LS37374LS373的的G G端功能相同。端功能相同。OE*OE*：数据输出允许信号，低电平有效。当该信号为低电平时，数据输出允许信号，低电平有效。当该信号为低电平时，三态门打开，锁存器中数据输出到数据输出线。当该信号三态门打开，锁存器中数据输出到数据输出线。当该信号为高电平时，输出线为高阻态。为高电平时，输出线为高阻态。8.8.3

20、3 程序存储器程序存储器EPROMEPROM的扩展的扩展 采用只读存储器，非易失性。采用只读存储器，非易失性。（1 1）掩膜）掩膜ROMROM在制造过程中编程。成本较高，因此只适合于大批量生产。在制造过程中编程。成本较高，因此只适合于大批量生产。（2 2）可编程）可编程ROMROM（PROMPROM）用独立的编程器写入。但用独立的编程器写入。但PROMPROM只能写入一次，且不能再修改。只能写入一次，且不能再修改。（3 3）EPROMEPROM电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。（4 4）E E2 2PROMPROM（EEPROM EEPROM）电信

21、号编程，电信号擦除的电信号编程，电信号擦除的ROMROM芯片。读写操作与芯片。读写操作与RAMRAM几乎没有什几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。（5 5）Flash ROMFlash ROM又称闪烁存储器，简称闪存。又称闪烁存储器，简称闪存。大有取代大有取代E E2 2PROMPROM的趋势。的趋势。目前许多公司生产的以目前许多公司生产的以80518051为内核的单片机，在芯片内部大为内核的单片机，在芯片内部大多集成了数量不等的多集成了数量不等的Flash ROMFlash ROM。例如例如，美国美国ATMELAT

22、MEL公司公司生产的与生产的与5151系列单片机兼容的产品系列单片机兼容的产品89C2051/89C51/89C52/89C5589C2051/89C51/89C52/89C55，片内分别有，片内分别有2KB/4KB/8KB/20KB2KB/4KB/8KB/20KB的的Flash ROMFlash ROM，来作为，来作为EPROMEPROM使用。使用。对于这类单片机，在片内的对于这类单片机，在片内的Flash ROMFlash ROM满足要求的情况下，扩满足要求的情况下，扩展外部程序存储器的工作就可省去。展外部程序存储器的工作就可省去。8.8.3.1 3.1 常用常用EPROMEPROM芯片芯

23、片典型芯片是典型芯片是2727系系列列产品，例如，产品，例如，27642764（8 8KB8KB8）、）、2712827128（16KB816KB8）、）、2725627256（32KB832KB8）、）、2751227512（64KB864KB8）。）。“27”“27”后面的数字表示其位存储容量。后面的数字表示其位存储容量。随着大规模集成电路技术的发展，大容量存储器芯片的产量剧随着大规模集成电路技术的发展，大容量存储器芯片的产量剧增，售价不断下降，其性价比明显增高，而且由于有些厂家增，售价不断下降，其性价比明显增高，而且由于有些厂家已停止生产小容量的芯片，使市场上某些小容量芯片的价格已停止生

24、产小容量的芯片，使市场上某些小容量芯片的价格反而比大容量芯片还贵。反而比大容量芯片还贵。所以，所以，在扩展程序存储器设计时，应尽量采用在扩展程序存储器设计时，应尽量采用大容量大容量芯片。芯片。1.1.常用的常用的EPROMEPROM芯片芯片2727系列系列EPROMEPROM芯片的引脚如芯片的引脚如图图8-118-11所示，参数见所示，参数见表表8-48-4（P143P143，略）。略）。图图8-118-11中的中的引脚功能如下：引脚功能如下：A0A0A15A15：地址线引脚。数目决定存储容量来定，用来进行单元地址线引脚。数目决定存储容量来定，用来进行单元选择。选择。D7D7D0D0：数据线引

25、脚数据线引脚CECE*：片选输入端片选输入端OE*OE*：输出允许控制端输出允许控制端PGM*PGM*：编程时，加编程脉冲的输入端编程时，加编程脉冲的输入端VppVpp：编程时，编程电压（编程时，编程电压（+12+12V V或或+25+25V V）输入端输入端VccVcc：+5V+5V，芯片的芯片的工作工作电压。电压。GNDGND：数字地。数字地。NCNC：无用端无用端 表表8-48-4所示为所示为2727系列系列EPROMEPROM芯片的技术参数，其中芯片的技术参数，其中V VCCCC是芯片供是芯片供电电压，电电压，V Vpppp是编程电压，是编程电压，I Im m为最大静态电流，为最大静态

26、电流，I Is s为维持电为维持电流，流，T TRMRM为最大读出时间。为最大读出时间。图图8-118-112.2.EPROMEPROM芯片的工作方式芯片的工作方式5 5种工作方式如种工作方式如表表8-58-5所示。所示。（1 1）读出方式）读出方式 片选控制线为低片选控制线为低,同时输出允许控制线为低，同时输出允许控制线为低，VppVpp为为+5+5V V，指定地址单元的内容从指定地址单元的内容从D7D7D0D0上读出。上读出。（2 2）未选中方式）未选中方式 片选控制线为高电平。片选控制线为高电平。（3 3）编程方式）编程方式 Vpp Vpp端加上规定高压端加上规定高压,CECE*和和OE

27、OE*端加合适电平端加合适电平(不同的芯片不同的芯片要求不同要求不同)，就能将数据线上的数据写入到指定的地址单，就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。元。（4 4）编程校验方式）编程校验方式 （5）编程禁止方式）编程禁止方式 输出呈高阻状态，不写入程序。输出呈高阻状态，不写入程序。8.8.3.2 3.2 程序存储器的操作时序程序存储器的操作时序1.1.访问程序存储器的控制信号访问程序存储器的控制信号（1 1）ALE ALE（2 2）PSENPSEN*（3 3）EAEA*如果指令是从片外如果指令是从片外EPROMEPROM中读取，中读取，ALEALE用于低用于低8 8位地址锁存，位地址锁存，

28、PSENPSEN*接外扩接外扩EPROMEPROM的的OEOE*脚。脚。P0P0口口:分时低分时低8 8位地址总线和数据总线，位地址总线和数据总线，P2P2口口:高高8 8位地址线。位地址线。2.2.操作时序操作时序 (1)(1)应用系统中无片外应用系统中无片外RAM RAM 图图8-12(a)8-12(a)(2)(2)应用系统中接有片外应用系统中接有片外RAM RAM 图图8-12(b)8-12(b)由图由图8-12(b)8-12(b)可看出：可看出：（1 1）将将ALEALE用用作作定定时时脉脉冲冲输输出出时时，执执行行一一次次MOVXMOVX指指令令就就会会丢丢失失一个脉冲一个脉冲。（2

29、 2）只只有有在在执执行行MOVXMOVX指指令令时时的的第第二二个个机机器器周周期期期期间间，地地址址总总线线才由数据存储器使用。才由数据存储器使用。8.8.3.3 AT89C513.3 AT89C51与与EPROMEPROM的接口电路设计的接口电路设计 1.1.硬件接口电路硬件接口电路 设设计计时时，由由于于EPROMEPROM在在正正常常使使用用中中只只能能读读出出，不不能能写写入入，故故EPROMEPROM芯芯片片没没有有写写入入控控制制脚脚，只只有有读读出出控控制制脚脚，记记为为OE*OE*，它它与与89C5189C51单单片片机机的的PSEN*PSEN*相相连连，地地址址线线、数数

30、据据线线分分别别与与89C5189C51的的地地址址线线、数数据据线线相相连连，片片选选端端的的控控制制可可采采用用线线选选法法或或译译码码法法。图图8-138-13为为外扩一片外扩一片2712827128的接口电路图的接口电路图 。图图8-138-133.3.使用多片使用多片EPROMEPROM的扩展电路的扩展电路AT89C51AT89C51扩展扩展4 4片片2712827128。图图8-148-14图图8-148-14中的片选控制信号由译码器产生。中的片选控制信号由译码器产生。4 4片片2712827128各自所占的各自所占的地址空间，请读者自己分析。地址空间，请读者自己分析。8.8.4

31、4 静态数据存储器的扩展静态数据存储器的扩展在单片机应用系统中，外扩的数据存储器都采用静态数据存储在单片机应用系统中，外扩的数据存储器都采用静态数据存储器（器（SRAMSRAM），所以），所以只讨论只讨论SRAMSRAM与与89C5189C51的接口的接口。所扩展的数据存储器空间地址由所扩展的数据存储器空间地址由P2P2口提供高口提供高8 8位地址，位地址，P0P0口分时口分时提供低提供低8 8位地址和位地址和8 8位双向数据总线。片外数据存储器位双向数据总线。片外数据存储器RAMRAM的的读读和和写写由由89C5189C51的的RD*RD*（P3.7P3.7）和）和WR*WR*（P3.6P3

32、.6）信号控制，而片外）信号控制，而片外程序存储器程序存储器EPROMEPROM的输出允许端（的输出允许端（OE*OE*）由）由89C5189C51的程序存储器的程序存储器读选通信号读选通信号PSEN*PSEN*控制。控制。尽管与尽管与EPROMEPROM的地址空间范围都是相同的，但由于控制信号不同，的地址空间范围都是相同的，但由于控制信号不同，故不会发生总线冲突。故不会发生总线冲突。8.8.4.1 4.1 常用的静态常用的静态RAMRAM（SRAMSRAM）芯片芯片典型型号有典型型号有:61166116、62646264、6212862128、6225662256。+5+5V V电源供电，双

33、列电源供电，双列直插封装，直插封装，61166116为为2424引脚封装，引脚封装，62646264、6212862128、6225662256为为2828引引脚封装，引脚如脚封装，引脚如图图8-158-15。各引脚功能各引脚功能:A0 A0A14A14：地址输入线。地址输入线。D0 D0D7D7：双向三态数据线。双向三态数据线。CECE*：片片选选信信号号输输入入。对对于于62646264芯芯片片，当当2626脚脚(CS)CS)为为高高电电平平时时,且且CECE*为低电平时才选中该片。为低电平时才选中该片。OE OE*：读选通信号输入线。：读选通信号输入线。WE WE*：写允许信号输入线，低

34、电平有效。写允许信号输入线，低电平有效。图图8-158-15VccVcc：工作电源工作电源+5+5V VGNDGND：地地工作方式有工作方式有读出、写入、维持读出、写入、维持三种，这些工作方式的操作控制三种，这些工作方式的操作控制如如表表8-68-6(P148)P148)。8.8.4.2 4.2 外扩数据存储器的读写操作时序外扩数据存储器的读写操作时序1.1.读片外读片外RAMRAM操作时序操作时序 图图8-168-162.2.写片外写片外RAMRAM操作时序操作时序 写是写是CPUCPU主动把数据送上主动把数据送上P0P0口总线。故在时序上，口总线。故在时序上，CPUCPU先向先向P0P0口

35、口总线上送完总线上送完8 8位地址后，在位地址后，在S3S3状态就将数据送到状态就将数据送到P0P0口总线。口总线。图图8-178-178.8.4.3 AT89C514.3 AT89C51与与RAMRAM的接口电路设计的接口电路设计 图图8-8-1818为线选法扩展外部数据存储器的电路为线选法扩展外部数据存储器的电路。图图8-188-18地址线为地址线为A0A0A12A12，故故80318031剩余地址线为三根。用线选法可扩剩余地址线为三根。用线选法可扩展展3 3片片62646264。3 3片片62646264对应的存储器空间如对应的存储器空间如表表8-78-7。表表8-78-7译码选通法扩展

36、译码选通法扩展,如如图图8-19所示。所示。图图8-198-19各各6212862128芯片的地址分配见芯片的地址分配见表表8-8-8 8。例例8-18-1 编写程序将片外数据存储器中编写程序将片外数据存储器中50005000H H50FFH50FFH单元全部单元全部清零清零方法方法1 1：用用DPTRDPTR作为数据区地址指针，同时作为数据区地址指针，同时使用字节计数器使用字节计数器。MOV DPTRMOV DPTR，#5000H#5000H；设置数据块指针的初值设置数据块指针的初值 MOV R7 MOV R7，#00H#00H ；设置块长度计数器初值设置块长度计数器初值 CLR A CLR

37、 ALOOPLOOP：MOVX DPTR MOVX DPTR，A A ；把某一单元清零；把某一单元清零 INC DPTR INC DPTR ；地址指针加地址指针加1 1 DJNZ R7DJNZ R7，LOOP LOOP；数据块长度减数据块长度减1 1，若不为，若不为 ；0 0则继续清零则继续清零HEREHERE：SJMP HERE SJMP HERE ；执行完毕，原地踏步执行完毕，原地踏步方法方法2 2：用用DPTRDPTR作为数据区地址指针，但不使用字节计数器，而是作为数据区地址指针，但不使用字节计数器，而是比比较特征地址较特征地址。MOV DPTRMOV DPTR，#5000H#5000H

38、CLR ACLR ALOOPLOOP：MOVX DPTRMOVX DPTR，A AINC DPTRINC DPTRMOV R7MOV R7，DPLDPLCJNE R7CJNE R7，#0#0，LOOP LOOP；与末地址与末地址+1+1比较比较HEREHERE：SJMP HERESJMP HERE8.8.5 EPROM5 EPROM和和RAMRAM的综合扩展的综合扩展8.8.5.1 5.1 综合扩展的硬件接口电路综合扩展的硬件接口电路例例8-28-2 采用采用线选法线选法扩展扩展2 2片片8 8KBKB的的RAMRAM和和2 2片片8 8KBKB的的EPROMEPROM。RAMRAM选选626

39、46264，EPROMEPROM选选27642764。扩展接口电路见。扩展接口电路见图图8-208-20。图图8-208-20（1 1）控制信号及片选信号）控制信号及片选信号IC2IC2和和IC4IC4占用地址空间为占用地址空间为20002000H H3FFFH3FFFH共共8 8KBKB。同理同理IC1IC1、IC3IC3地址范围地址范围40004000H H5FFFH5FFFH（P2.6=1P2.6=1、P2.5=0P2.5=0、P2.7=0P2.7=0）。）。线线选法地址不连续，地址空间利用不充分。选法地址不连续，地址空间利用不充分。（2 2）各芯片地址空间分配）各芯片地址空间分配IC2

40、IC2和和IC4IC4占用的地址空间为占用的地址空间为A000HA000HBFFFHBFFFH共共8KB8KB。同理同理IC1IC1、IC3IC3的地址范围为的地址范围为C000HC000HDFFFHDFFFH。4 4片存储器各自所片存储器各自所占的地址空间如占的地址空间如表表8-98-9所示。所示。例例8-38-3 采用采用译码器法译码器法扩展扩展2 2片片8 8KB EPROMKB EPROM，2 2片片8 8KB RAMKB RAM。EPROMEPROM选选用用27642764，RAMRAM选用选用62646264。共扩展。共扩展4 4片芯片。扩展接口电路见片芯片。扩展接口电路见图图8-

41、28-21 1。图图8-218-21各存储器地址范围如下：各存储器地址范围如下：表表8-98-9可见译码法进行地址分配，各芯片地址空间是连续的。可见译码法进行地址分配，各芯片地址空间是连续的。8.8.5.2 5.2 外扩存储器电路的工作原理及软件设计外扩存储器电路的工作原理及软件设计 1.1.单片机片外程序区读指令过程单片机片外程序区读指令过程单片机上电复位后，单片机上电复位后，PCPC=0000H0000H，CPUCPU就从就从0000H0000H地址开始取指令，地址开始取指令，执行程序。执行程序。在取指令期间，在取指令期间，PCPC地址低地址低8 8位位送往送往P0P0口，经锁存器锁存输出

42、作为口，经锁存器锁存输出作为A0A0A7A7地址线。地址线。PCPC高高8 8位位地址送往地址送往P2P2口，直接由口，直接由P2.0P2.0P2.4P2.4锁锁存到存到A8A8A12A12地址线上，地址线上，P2.5P2.5P2.7P2.7输入给输入给74LS13974LS139进行译码进行译码输出片选。这样，根据输出片选。这样，根据P2P2口、口、P0P0口状态则选中了第一个程序口状态则选中了第一个程序存储器芯片存储器芯片IC1IC1（27642764）的第一个单元地址）的第一个单元地址0000H0000H。然后当然后当变为低电平变为低电平时，把时，把0000H0000H中的指令代码经中的

43、指令代码经P0P0口读入内部口读入内部RAMRAM中进行译码，从而决定进行何种操作。中进行译码，从而决定进行何种操作。取出一个指令字节后取出一个指令字节后PCPC自动加自动加1 1，然后取第二个字节，依次类推，然后取第二个字节，依次类推当当PCPC=1FFFH1FFFH时，从时，从IC1IC1最后一个单元取指令，然后最后一个单元取指令，然后PCPC=2000H2000H，CPUCPU向向P2P2口、口、P0P0口送出口送出2000H2000H地址时，则选中第地址时，则选中第二个程序存储器二个程序存储器IC2IC2，IC2IC2的地址范围为的地址范围为2000H2000H3FFFH3FFFH，读

44、指，读指令过程同令过程同IC1IC1，不再赘述。，不再赘述。2.2.单片机片外数据区读单片机片外数据区读/写数据过程写数据过程 例如，例如，把片外把片外6000H6000H单元的数送到片内单元的数送到片内RAM 50HRAM 50H单元，程序如下：单元，程序如下：MOV DPTRMOV DPTR，#6000H#6000HMOVX AMOVX A，DPTRDPTRMOV 50HMOV 50H，A A 例例如如，把把片片内内5050H H单单元元的的数数据据送送到到片片外外4000H4000H单单元元中中，程程序序如如下下：MOV A,50HMOV A,50HMOV DPTR,#4000HMOV

45、DPTR,#4000HMOVX MOVX DPTR,ADPTR,AAT89C51AT89C51单片机读写片外数据存储器中的内容，除用单片机读写片外数据存储器中的内容，除用MOVX MOVX A,DPTRA,DPTR和和MOVX DPTR,AMOVX DPTR,A外，还可使用外，还可使用MOVX A,RiMOVX A,Ri和和MOVX MOVX Ri,ARi,A。这时通过这时通过P0P0口输出口输出RiRi中的内容（低中的内容（低8 8位地址），而把位地址），而把P2P2口原有的内容作为高口原有的内容作为高8 8位地址输出。位地址输出。例例8-48-4 将程序存储器中以将程序存储器中以TABTA

46、B为首址的为首址的3232个单元的内容依次传个单元的内容依次传送到外部送到外部RAMRAM以以70007000H H为首地址的区域去。为首地址的区域去。DPTRDPTR指指向向标标号号TABTAB的的首首地地址址。R0R0既既指指示示外外部部RAMRAM的的地地址址，又又表表示示数数据据标标号号TABTAB的的位位移移量量。本本程程序序的的循循环环次次数数为为3232，R0R0的的值值：0 03131，R0R0的值达到的值达到3232就结束循环。程序如下：就结束循环。程序如下：MOVMOVP2,#70HP2,#70HMOVMOVDPTR,#TABDPTR,#TABMOVMOVR0,#0R0,#

47、0AGIN:AGIN:MOVMOVA,R0A,R0MOVCMOVCA,A+DPTRA,A+DPTRMOVXMOVXR0,AR0,AINCINCR0R0CJNECJNER0,#32,AGINR0,#32,AGINHERE:HERE:SJMPSJMPHEREHERETAB:TAB:DB DB 8.8.6 ATMEL89C51/89C556 ATMEL89C51/89C55单片机的片内闪烁存储器单片机的片内闪烁存储器 AT89C51/89C52/89C55AT89C51/89C52/89C55是低功耗、高性能的是低功耗、高性能的片内含有片内含有4 4KB/8KB/20KBKB/8KB/20KB闪烁可

48、编程闪烁可编程/擦除只读存储器，芯片内的闪存擦除只读存储器，芯片内的闪存允许在线编程或采用通用的编程器对其重复编程。允许在线编程或采用通用的编程器对其重复编程。8.6.1 89C518.6.1 89C51的性能及片内闪烁存储器的性能及片内闪烁存储器1.1.89C5189C51的主要性能的主要性能2.2.（1 1）片内有）片内有4 4KBKB可在线重复编程的闪烁存储器（可在线重复编程的闪烁存储器（Flash Flash 3.3.Memory Memory）（2 2）存储器可循环写入存储器可循环写入/擦除擦除10001000次次。（3 3）存储器）存储器数据保存时间数据保存时间为为1010年年。（

49、4 4）宽工作电压范围：）宽工作电压范围：VccVcc可为可为+2.7+2.76 6V V。（5 5）全静态工作：可从全静态工作：可从0 0HzHz16MHz16MHz。（6 6）程序存储器具有程序存储器具有3 3级加密保护。级加密保护。（7 7）空闲状态维持低功耗和掉电状态保存存储器内容。）空闲状态维持低功耗和掉电状态保存存储器内容。下面介绍下面介绍AT89C51AT89C51单片机片内闪烁存储器的主要性能及其编程方单片机片内闪烁存储器的主要性能及其编程方法。法。AT89C51AT89C51单片机的片内程序存储器除由闪烁存储器取代了单片机的片内程序存储器除由闪烁存储器取代了87C5187C5

50、1的的EPROMEPROM外，其余部分完全相同。外，其余部分完全相同。AT89C51AT89C51单片机的引脚与单片机的引脚与87C5187C51的引脚也是完全兼容的。的引脚也是完全兼容的。AT89C51AT89C51的的I/OI/O口口P0P0、P1P1、P2P2和和P3P3除除具具有有与与80318031相相同同的的一一些些性性能能和和用用途途外外，在在对对FlashFlash编编程程时时，P0P0口口还还可可接接收收代代码码字字节节，但但在在程序校验时需要外加上拉负载电阻。程序校验时需要外加上拉负载电阻。在在FlashFlash编程和程序校验期间编程和程序校验期间，P1P1口口接收低位地