三极管MOS管复习题.pdf

《三极管MOS管复习题.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《三极管MOS管复习题.pdf（16页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、习题 3客观检测题客观检测题一、填空题一、填空题2.三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。5.处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。6.工作在放大区的某三极管，如果当IB从 12A 增大到 22A 时，IC从 1mA 变为 2mA，那么它的 约为100。8.双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。9.三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持 反向 偏置。11.为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极组态的放大电路。12.题图 3.0.1 所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载

2、线。由此可以得出：（1）电源电压VCC=6V；（2）静态集电极电流ICQ=1mA；集电极电压UCEQ=3V；（3）集电极电阻RC=3k；负载电阻RL=3k；（4）晶体管的电流放大系数=50，进一步计算可得电压放大倍数Av=50；（rbb取 200）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为1.06V；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于20A。题图 3.0.113.稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极基极偏置电路。14.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和 B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电

3、压小，这说明A的输入电阻小。15.三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。16.共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。17.放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。18.共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；19.共射极、共基极放大电路有电压放大作用；20.共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；21.射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。22.射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指“小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情

4、况分析。24.放大器的静态工作点由它的直流通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通路决定。25.图解法适合于 求静态工作 Q 点；小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分析法则适合于 求交变小信号的工作情况分析。26.放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力；输入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能力。27.对放大器的分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为Q 点。28.在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和 VI的波形，则 VO和 VI的相位关系为 反相；当为共集电极电路时，则VO和 VI的相位

5、关系为 同相。29.在由 NPN 管组成的单管共射放大电路中，当Q 点 太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉波谷；当 Q 点太低（太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉波峰。32.PNP 三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。33.多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC 耦合，直接耦合，变压器耦合。34.BJT 三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极 三种组态。35.不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此，这种 BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持正向 偏置，它的集电结保持 反向 偏置。36.某三

6、极管处于放大状态，三个电极A、B、C 的电位分别为-9V、-6V 和-6.2V，则三极管的集电极是A，基极是 C，发射极是B。该三极管属于PNP 型，由锗 半导体材料制成。37.电压跟随器指共 集电极电路，其 电压 的放大倍数为 1；电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为 1。38.温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，ICBO增加，增加，正向发射结电压UBE减小，P PCMCM减小。40.放大器产生非线性失真的原因是三极管或场效应管工作在非放大区。41.在题图 3.0.2 电路中，某一参数变化时，VCEQ的变化情况（a.增加，b，减小，c.不变，将答案填入相应的空格内）。（1

7、）Rb增加时，VCEQ将增大。（2）Rc减小时，VCEQ将增大。（3）RC增加时，VCEQ将减小。（4）Rs增加时，VCEQ将不变。题图 3.0.2（5）减小时（换管子），VCEQ将增大。（6）环境温度升高时，VCEQ将减小。42.在题图 3.0.3 电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。）（1）若Rb阻值减小，则静态电流 IB将 增大，VCE将 减小，电压放大倍数Av将 增大。VCE将 增大，（2）若换一个值较小的晶体管，则静态的IB将不变，电压放大倍数Av将 减小。（3）若RC阻值增大，则静态电流IB将

8、不变，VCE将 减小，电压放大倍数Av将 增大。题图 3.0.343.放大器的频率特性表明放大器对不同频率信号适应程度。表征频率特性的主要指标是中频电压放大倍数，上限截止频率 和下限截止频率。44.放大器的频率特性包括幅频响应和相频响应两个方面，产生频率失真的原因是放大器对不同频率的信号放大倍数不同。45.频率响应是指在输入正弦信号的情况下，放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。46.放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性失真。二、判断题二、判断题1.下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。（4）5V，1.2V，0.5V；解：硅 NPN 型

9、BJT 管；5V 为集电极，1.2V 为基极，0.5V 为发射极（8）13V，12.8V，17V；解：锗 NPN 型 BJT 管，17V 为集电极，13V 为基极，12.8V 为发射极，（9）6.7V，6V，9V；解：硅 NPN 型 BJT 管，9V 为集电极，6.7V 为基极，6V 为发射极，2.判断三极管的工作状态和三极管的类型。1 管：VB 2V,VE 2.7V,VC 4V;答：NPN 管，工作在放大状态。2 管：VB 6V,VE 5.3V,VC 5.5V;答：NPN 管，工作在饱和状态。3 管：VB 1V,VE 0.3V,VC 7V;答：NPN 管，工作在截止状态。3.题图 3.0.4

10、 所列三极管中哪些一定处在放大区？2.3V6V9.3V0V2.3V3V5.7V1.9V3V6V5V1.6VCADB题图 3.0.4答：题图 3.0.4 所列三极管中，只有图（D）所示的三极管处在放大区。4.放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？答：题图 3.0.5 所示的三极管，B、E 极之间短路，发射结可能烧穿。题图 3.0.55.测得晶体管 3 个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA 和 3.6mA，则该管的为。为 60。为 61。0.98。无法确定。6.只用万用表判别晶体管3 个电极，最先判别出的应是 b 极。e 极b 极c 极9题图

11、 3.0.6 所示电路中，用直流电压表测出 VCE0V，有可能是因为C 或 D。ARb开路BRc短路CRb过小D过大题图 3.0.610.测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7 所示。试判断各三极管的工作状态。(a)(b)题图 3.0.7(c)(d)11.用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图 3.0.8 示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？题图 3.0.8主观检测题主观检测题3.1.3 硅三极管的 50，ICBO可以忽略，若接为题图 3.1.3（a），要求IC 2mA，问RE应为多大？现改接为图(b)，仍要求IC 2mA,问R

12、B应为多大？(a)题图 3.1.3(b)3.3.1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1 所示，试判断各晶体管的类型（PNP 管还是 NPN 管，硅管还是锗管），并区分 e、b、c 三个电极。(a)(b)题图 3.3.1(c)3.3.2 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图 3.3.2 所示，已测出I1 1.2mA，I2 0.03mA，I31.23mA，试判断 e、b、c 三个电极，该晶体管的类型（NPN 型还是PNP 型）以及该晶体管的电流放大系数。题图 3.3.23.3.3 共发射极电路如题图3.3.3 所示，晶体管 50,ICBO 4A，导通时VBE

13、0.2V，问当开关分别接在 A、B、C 三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流IC为多少？设二极管 D 具有理想特性。题图 3.3.33.3.4.题图 3.3.4 电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。(a)(b)(c)(d)3.4.1一个如题图 3.4.1（a）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图3.4.1（b）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。(a)题图 3.4.1(b)（1）确定VCC、RC和Rb的数值（设VBE可以略去不计）。（2）若接入RL 6k，画出交流负载线。（3

14、）若输入电流ib18sint(A)，在保证放大信号不失真的前提下，为尽可能减小直流损耗，应如何调整电路参数？调整后的元件数值可取为多大？3.4.3 分压式偏置电路如题图 3.4.3（a）所示。其晶体管输出特性曲线如图（b）所示，电路中元件参数R Rb b1 1 1515k k,R Rb b2 2 6262k k,R Rc c 3 3k k,R RL L 3 3k k,V,VCCCC 2424V V,R Re e 1 1k k，晶体管的 50,rbb 200,饱和压降VCES 0.7V,rs100。（1）估算静态工作点Q；（2）求最大输出电压幅值Vom；（3）计算放大器的AV、Ri、Ro和 Av

15、s；（4）若电路其他参数不变，问上偏流电阻Rb2为多大时，VCE 4V?(a)题图 3.4.3(b)3.4.4 用示波器观察题图 3.4.4（a）电路中的集电极电压波形时，如果出现题图3.4.4（b）所示的三种情况，试说明各是哪一种失真？应该调整哪些参数以及如何调整才能使这些失真分别得到改善？3.5.1 画出下列题图 3.5.1 中各电路的简化 h 参数等效电路，并标出Ib和Ib的正方向。（电路中各电容的容抗可不计）。(a)I Ib b1 1I Ib bR RL Lr rbebe1 1V Vi iR Rb b1 1R RR Rc c2 2V V I Io ob b2 2b b2 2R Re e

16、1 1r rbebe2 2(c c)I Ib br rbebeV Vi iV Vo oR RR R1 14 4I Ib b(e e)(a)题图 3.4.4(b)R Rb b I Ib bI IV Vi ib br rbebe(d d)R RL LV VR Rc co oI Ib b1 1 I Ib b1 1V Vi iR Rb br rbebe2 2r rbebe1 1I Ib b2 2 I Ib b2 2V Vo oR Rc c图 3.5.1(f f)3.5.2 在如图 3.5.2 电路中设VCC12V,Rc RL 3k，晶体管的 50,rbb 300，在计算IBQ时可认为VBE 0：（1）

17、若Rb 600k，问这时的VCEQ?（2）在以上情况下，逐渐加大输入正弦信号的幅度，问放大器易出现何种失真？（3）若要求VCEQ 6V，问这时的Rb?（4）在VCEQ 6V，加入Vi 5mV的信号电压，问这时的Vo?3.6.1 放大电路如题图 3.6.1 所示，已知VCC10V,Rb1 4k,Rb2 6k，Re 3.3k，题图 3.5.2Rc RL 2k，晶体管为50,rbb100,VBE 0.7V，各电容的容抗均很小。（1）求放大器的静态工作点Q(ICQ?,VCEQ?)；（2）求RL未接入时的电压放大倍数Av；（3）求RL接入后的电压放大倍数Av；（4）若信号源有内阻Rs，当Rs为多少时才能

18、使此时的源电压放大倍数Avs降为Av的一半？题图 3.6.13.7.1 某射极输出器用一个恒流源来设置射极电流，如题图3.7.1 所示，已知晶体管的100，VBE 0.7V，rbb 300，电容C1、C2在交流通路中可视为短路。（1）求静态时的ICQ和VCEQ；（2）求射极输出器的输出电阻Ro；（3）若RL，求输入电阻Ri和源电压放大倍数Avs；（4）若RL110，求输入电阻Ri和源电压放大倍数Avs；（提示：恒流源的特点：交流电阻极大，而直流电阻较小。）题图 3.7.13.7.2 在题图 3.7.2 所示电路中，晶体管的 100100,r rbbbb 0 0,V VBEBE 0 0.7 7V

19、 V,、电容C1、C2和C3都足够大。（1）求放大器静态工作点ICQ、IBQ、VCEQ；（2）求放大器电压放大倍数AV1和AV 2；（3）求放大器输入电阻Ri；（4）求放大器输出电阻Ro1、Ro2。题图 3.7.23.9.1 若放大器的放大倍数Av、Ai、Ap均为 540，试分别用分贝数表示它们。的表达式。3.9.2 已知某电路的波特图如题图3.29 所示，试写出Av图题 3.9.23.9.43.9.4已知单级共射放大电路的电压放大倍数 A Av v200200 j jf ff f f f 1 1 j j 1 1 j j4 45 5 1010？fL？fH?（1）Av m（2）画出波特图。习题习

20、题 4 4客观检测题客观检测题一、填空题一、填空题1.场效应管利用外加电压产生的电 场 来控制漏极电流的大小，因此它是电 压 控制器件。2.为了使结型场效应管正常工作，栅源间两 PN 结必须加反向电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比 MOS 管的输入电阻小。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。3.场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。N 沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET 管中的漏极电流不能穿过 PN 结（能，不能）。5.对于增强型 N 型沟道 MOS 管，VGS只能为 正，并且只能当 VGS VTH时，才能形有I

21、d。6.P 沟道增强型 MOS 管的开启电压为 负 值。N 沟道增强型 MOS 管的开启电压为 正 值。7.场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；噪声低；温度稳定性 好；饱和压降 大；放大能力较差；频率特性 较差（工作频率低）；输出功率 较小。8.场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流 控制器件。9.场效应管放大器常用偏置电路一般有 自偏压电路 和 分压器式自偏压电路 两种类型。10.由于晶体三极管 是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，由于场效应管 只有多数载流子参与导电，所以将其称为单极型的。11.跨导gm反映了场效应管栅源电压 对 漏极电流控制能力，其单位为ms(

22、毫西门子)。12.若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 VGS大于零，其输入电阻不 会明显变小。13.一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1 所示，则它是N 沟道的效应管，它的夹断电压 Vp是 4.5V，饱和漏电流 IDSS是5.4mA。题图 4.0.1填空题 13 图主观检测题主观检测题4.3.1 已知放大电路中一只 N 沟道增强型 MOS 管场效应管三个极、的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断、与 G、S、D 的对应关系。图 4.3.14.4.1 题图 4.4.1 所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，试问：（1）它是哪一种类型的场效应管？（2）它的夹断电压 Vp（或开启

23、电压 VT）大约是多少？（3）它的IDSS大约是多少？题图 4.4.14.4.2 已知场效应管的输出特性曲线如题图4.4.1 所示，画出恒流区 vDS=8V 的转移特性曲线。图 4.4.24.6.1 分别判断题图 4.6.1 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在放大区。4.6.2 试分析题图 4.6.2 所示的各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(c)(b)题图 4.6.24.6.3 场效应管放大器如题图 4.6.3 所示，若VDD 20V，要求静态工作点为IDQ 2mA，V VGSQGSQ 2 2V V,V,VDSQDSQ 1010V V，

24、试求R RS S和和R RD D。题图 4.6.34.6.5 题图 4.6.5（a）是一个场效应管放大电路，（b）是管子的转移特性曲线。设电阻RG1M，RD RL18k，电容C1、C2、C3足够大。试问：(a)题图 4.6.5(b)（1）所用的管子属于什么类型？什么沟道？管子的IDSS、V VP P或VT是多少？（2）RG、RS、C3的作用是什么？若要求VGS 2V，则Rs应选多大？4.6.6 场效应管放大电路如题图 4.6.6 所示，电路参数VDD 24V,RD 56k，RG1M，R2 4k场效应管的VP 1V，IDSS1mA；若要求漏极电位VD10V，试求R1的值。4.7.1已知题图 4.7.1(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。（1）利用图解法求解 Q 点；&、Ri和 Ro。（2）利用等效电路法求解A AV V4.6.6题图题 图 4.94.7.4 场效应管放大器如题图 4.7.4 所示，试画出其微变等效电路，写出A AV V、Ri、Ro表达式。设管子rds极大，各电容对交流信号可视为题图 4.7.1题图 4.7.4