电容触摸屏原理与工艺制.pptx
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1、电容触摸屏的原理及工艺制程电容触摸屏的原理及工艺制程电容屏工作简单数学模型当手指或导体触摸到TP时,电容值Cp就会产生变化工作原理概括1.触摸TP,寄生电容产生变化2.发射极发射信号,经过容抗,阻抗后,信号产生滞后或超前,接收极接受信号后计算出具体数值,扫描整屏,产生数据矩阵3.和基准数据矩阵对比,产生DIFF值矩阵,使用重心算法映射到LCD分辨率,得出具体坐标值,赋予ID号4.产生中断,主控使用IIC读走数据电容触摸屏分类CTP(CapacityTouchPanel)表面电容式投射电容式自电容:检测通道与地之间的寄生电容变化,有手指存在时寄生电容会增加,IC通道pin既是发射极 又是接收极互
2、电容:检测发射通道和接受通道交叉处的互电容(也就是耦合电容)的变化,有手指存在时互电容会减小,IC通道pin发射极和接受极是分开的自电容触摸屏结构串行驱动/感应特点lM+N个电容lM+N条连线l模拟多点(2点)互电容触摸屏结构串行驱动 并行感应特点lM*N个电容lM+N条连线l真实多点互电容 VS自电容电容式触摸屏常见工艺结构G/FG/F/FG/F2GIFG/G(G/GS,G/GD)OGS(TOL)OnCellInCellG/F结构解析盖板/Lens/CoverGlass/CoverLens作用:保护/功能/装饰要求:强度/硬度/透光率OCA(固态光学胶,LOCA液态光学胶)要求:透光率/粘性
3、FilmSensor特点:单层/单点+手势/或者单层多点,支持最大尺寸5寸G/G结构解析结构同于G/F,区别在于FilmSensor变为GlassSensor特殊的两种情况:G/GD双面玻璃工艺(eg.:Apple)G/GS单面搭桥工艺(MetalJump)电容式触摸屏堆叠结构比较CoverLensCoverLensCoverLensITOGlassITOFilm:RXITOFilm:TXITOGlassCoverLensITOFilm:RXCoverLensPETG/F/FG/FG/G DG/G SG2TPTypeG/F/FG/GSG/GDG/FG2Thickness1.1-1.3mm1.3
4、-1.4mm1.3-1.4mm0.9-1.1mm1.1mmTransmittance85%89%89%88%90.8%WeightLightHeaviestHeaviestLightestHeavyStrengthBestAverageAverageGoodGoodSensitivityGoodAverageGoodAverageAverageCostHighHighAverageLowLowCoverLensITOFilm:RXP/FITO 铟锡氧化物 图形方案菱形+Cypress条形+Synaptics网形+Atmel自电容三角形三角形+Atmel图形方案实物菱形菱形长条形长条形三角形三角
5、形G/GS工艺通常使用搭桥工艺只需要一片只需要一片ITO玻璃玻璃一面搭桥做一面搭桥做ITO层另一层另一面做屏蔽层面做屏蔽层主要用于小尺寸的屏主要用于小尺寸的屏艺少,成本、良率好艺少,成本、良率好控制控制电容式触摸屏新工艺OGS/TOL(OneGlassSolution/TouchOnLens)单层多点OnCell(触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间)InCell(触摸面板功能嵌入到液晶像素中)控制芯片厂家CypressSynaptics新思 4层结构 Atmel2层结构敦泰、汇顶、威盛、联发科瀚瑞、义隆电控制芯片厂家LOGO电容式触摸屏几种工艺制程的特点酸碱脱膜:效率高、成本低、精度
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