电力电子技术8374200724.pdf

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1、电力电子技术试题填空电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括_信息电子技术_和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。0000001、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变直流、直流变交流 和 交流变交流。0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 _开关_状态。当器件的工作频率较高时，_开关_损耗会成为主要的损耗。0000001、电力变换通常分为四大类，即 交流变直流、直流变直流、直流变交流、交流变交流。0100004、过电压产生的原因 操作过电压、雷击过电压，可采取 RC 过电压抑制电路、压敏电阻 等措施进行保护。0100002

2、、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管 MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。（可作简答题）0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器。0100004、抑制过电压的方法之一是用 电容 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消

3、耗。0100001、型号为 KP100-8 的晶闸管表示其额定电压为 800 伏、额定有效电流为 100 安。0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器；RC 过电压抑制电路/阻容吸收；硒堆；压敏电阻 等几种。（写出 2 种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR、GTO、MOSFET、IGBT 几种。0100003、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 阳极 A，阴极 K 和 门极 G 晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或1/55者 UAK0 且 UGK0；关断条件是 使流过晶闸管的阳极电流降到维持电

4、流以下。0100002、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是，绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；0100003、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极，以 电力晶体管发射极和集电极 作为发射极与集电极复合而成。0100004、有一晶闸管的型号为KK2009，请说明KK快速晶闸管；200表示表示额定电流 200A，9 表示额定电压 900V。0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为 15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为（1.52）1.414220；晶闸管的额定电流可选为（1.52）15

5、/1.57。0100003、常用的过电流保护措施有电子电路、快速熔断器、直流快速熔断器、过电流继电器。（写出 2 种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压；在门极加上 正向门极 电压，并形成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于 擎住 电流之前，如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管 GTO；功率场效应晶体管 MOSFET；绝缘栅双极型晶体管 IGBT；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必须考

6、虑均流的问题，解决的方法是首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于 1.57 倍 IT（AV），如果IT（AV）=100 安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.52倍的裕量。0100001、晶闸管的维持电流 IH是指在 40 度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大2/55通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小 阳极 电流。0100001、普通晶闸管内部有PN 结,，外部有三个电极，分别是极极和 极。1、两个、阳极 A、阴极 K、门极 G。0100001、晶闸管在其阳极与

7、阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。3、阻断、导通、阻断。0100002、某半导体器件的型号为 KP50KP507 7 的，其中 KPKP 表示该器件的名称为，50 表示，7表示。4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压 700V。0100001、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。0100003、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止损坏晶闸管的。15、（关断）过电压。0100002、GTOGTO 的全称是，图形符号为；GTRGTR 的全称是，图形符号为；P-MOS

8、FET 的全称是，图形符号为；IGBTIGBT 的全称是，图形符号为。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。0100003、GTOGTO 的关断是靠门极加出现门极来实现的。33、负脉冲、反向电流。0100001、大功率晶体管简称。34、GTR。0100003、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是和。35、电流不够大、耐压不够高。0100002、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是_MOSFET_，单管输出功率最大的是_GTO_，应用最为广泛的是_IGBT_。0100003、_GTR_存在二次击穿现象，_IGBT_存在擎住

9、现象。3/550100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是 均压_措施。0100003、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流 IL在数值大小上有 IL_ 大于 _IH。0100003、常用的过电流保护措施有电子电路、快速熔断器。（写出二种即可）0100001、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 螺栓型 与 平板型。0100002、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 1.52。0100003、晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者 UAK0 且 UGK0。0100004、晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转

10、折电压 UBO在数值大小上应为，UDSM IH。0100003、某晶闸管的型号为 KP200-5，其中 200 表示 额定电流为 200A，5 表示 额定电压为 500V。0100004、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC 电路是 均压 措施。0100001、晶闸管的三个电极分别是 阳极 A、阴极 K、门极 G。0100002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 1.52 倍，使其有一定4/55的电压裕量。0100002、当晶闸管加上正向 阳极电压 后，门极加上适当的正向 触发电流，使晶闸管导通的过程，称为触发。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是

11、 均压 措施。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为 ITn等于 1.57 倍 IT（AV），如果 IT（AV）=100 安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.52 倍的裕量。0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是_出现换相重叠角，整流输出电压平均值降低_、_整流电路的工作状态增多_、_使电网电压出现缺口，称为干扰源_。0200001、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由_负载_决定。0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是 给负载并联续流二极管。0200004、单相全控桥电阻性负载时，电路的移相X 围

12、0180或 180；三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相X 围 0150或 150；三相全控桥电阻性负载时，电路的移相 X 围 0120或 120。0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由 同步环节、锯齿波形成环节、脉冲形成与脉冲移相 及其它环节成。0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 导通角。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFM等于2U2（设 U2为相电压有效值）。0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角/2，同时|Ed|Ud|。0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的

13、晶闸管同时导05/55通，对应的电角度称为 换相重叠角。0200003、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差 180。0200004、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角 30时，电流连续。0200002、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 触发角。0200004、触发脉冲可采取 宽脉冲 触发与 双窄脉冲 触发两种方法，目前采用较多的是 双窄脉冲 触发方法。0200002、三相半波 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。0200003、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角大于 30 度 时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管

14、。0200004、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平均值 降低。0200002、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 电网 的逆变电路。0200002、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势 Ed的极性成 反向 相连，且满足|Ud|/2，使Ud为负值。（可做简答题）0200002、有源逆变指的是把 直流 能量转变成 交流 能量后送给 电网 的装置。0200003、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为6U2。（电源相电压为 U2）02000

15、03、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60小于 120的宽脉冲 触发；二是用 脉冲前沿相差 60的双窄脉冲 触发。0200002、逆变角与控制角之间的关系为。3、=0200004、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。5、顺向串、逆变失败、逆变颠覆。0200004、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。6、30350300002、斩波器是接在恒定直流电源和负载电路之间，用于 将直流电变为另一直流电。0300004、设 DC/DC 变换器的 Boost 电路中，E=10V，=0.7，则 Uo=_10/0.3

16、_。0300002、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。8、斩波。0300003、斩波器的时间比控制方式分为 脉冲宽度调制、频率调制、混合调制 三种方式。0300003、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有式，式和式三种工作方式。1、定频调宽，定宽调频。调宽调频。0300003、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有 脉冲宽度调制、频率调制、混合调制 三种。0300003、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 升压 斩波电路；降8/55压 斩波电路；升降压 斩波电路。0300004、在下图中，_V1_和_VD1_构成降压斩

17、波电路使直流电动机电动运行；_V2_和_VD2_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行。0400003、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相 X 围是 0180，负载是阻感性时移相 X 围是180。0400003、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。15、交流交流，交流直流交流。0500004、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦 波，输出电流波形为矩形/方波。0500001、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源逆变器与 无源 逆变器两大类。0500003、通常变流电路实现换流的方式有 器件换流、电网换流、负

18、载换流、强迫换流 四种。0500001、逆变电路分为逆变电路和逆变电路两种。2、有源、无源。0500003、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源 逆变，如果接到负载，则称为 无源逆变。0500004、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示)。(1)0t1 时间段内，电流的通路为_VD1_；(2)t1t2 时间段内，电流的通路为_V1_；(3)t2t3 时间段内，电流的通路为_VD2_；(4)t3t4 时间段内，电流的通路为_V2_；9/55(5)t4t5 时间段内，电流的通路为_VD1_；0500002、逆变器按直流侧提供的电

19、源的性质来分，可分为 电压 型逆变器和 电流 型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用 电容 器进行滤波；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用 电感滤波。0500004、在电压型逆变器中，输出电压波形为矩形 波，输出电流波形与负载阻抗 有关。0500002、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接 供给负载 的过程称为无源逆变。0500003、电压型逆变器其中间直流环节以 电容 贮能。0500003、换流的方式有器件换流、电网换流、负载换流 和 强迫换流 四种。0500004、换流的方式有_器件换流_、_电网换流_、_负载换

20、流_、_强迫换流_，全控型器件用_器件换流_方式换流0600002、PWM 波形的生成方法主要有_计算法_和_调制法_两种。0600004、SPWM 脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输出端得到 一系列幅度相等，脉宽与正弦波幅值成正比的 脉冲列来等效正弦波。0600003、PWM 调制方式有 同步调制、异步调制、分段同步调制 三种。0600003、PWM 逆变电路的控制方法有 计算法、调制法、跟踪控制法 三种。其中调制法又可分为 同步调制、异步调制 两种。10/550600003、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_载波比_，当它

21、为常数时的调制方式称为_同步_调制。将逆变电路的输出频率 X 围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为恒定的调制方式称为_分段同步_调制。0600003、面积等效原理指的是，_冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。0600004、载波比(又称频率比)K 是 PWM 主要参数。设正弦调制波的频率为 fr，三角波的频率为 fc，则载波比表达式为 K=fc/fr。0700002、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零点压电路/开关 与 零电流电路/开关 两大类。0700002、为了减小变流电

22、路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零电压电路 与 零电流电路 两大类。0700003、软开关电路种类很多，大致可分成 零电压 电路、零电流 电路两大类。0800003、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有 恒压频比控制、转差频率控制、矢量控制、直接转矩控制 等四种0000002、下面哪种功能不属于变流的功能（C）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波0100003、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为 825V，则该晶闸管的额定电压应为（B）A、700VB、750VC、800VD、850V01000

23、01、晶闸管内部有（C C）PN 结。A 一个，B 二个，C 三个，D 四个0100002 晶闸管可控整流电路中的控制角减小，则输出的电压平均值会（B B）。A 不变，B 增大，C 减小。0100003、晶闸管两端并联一个RC 电路的作用是（C C）。A 分流，B 降压，C 过电压保护，D 过电流保护。0100002、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C C）。A 分流，B 降压，C 过电压保护，D 过电流保护。11/550100002、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C C）来表示的。A 有效值 B 最大值 C 平均值0100001、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（C

24、）。A A、GTR GTR B、MOSFET MOSFET C、IGBTIGBT0100001、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（A）A、GTRGTR B、MOSFET MOSFET C、IGBTIGBT。0100003.晶闸管导通的条件是（A）。A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲 B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲 D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲0100003、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（B）A、du/dt 抑制电路 B、抗饱和电路C、di/dt 抑制电路 D、吸收电路0100002、已经导通的晶闸管的可被关断的

25、条件是流过晶闸管的电流（A）A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下 D、减小至 5A 以下0100002、IGBT 是一个复合型的器件，它是（B）A、GTR 驱动的 MOSFET B、MOSFET 驱动的 GTRC、MOSFET 驱动的晶闸管 D、MOSFET 驱动的 GTO0100002、晶闸管稳定导通的条件（C）A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流0100001、具有自关断能力的电力半导体器件称为(A)A、全控型器件B、半控型器件12/55C

26、、不控型器件D、触发型器件0100002、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的(D)A、转折电压C、阈值电压B、反向击穿电压D、额定电压0100002、晶闸管的伏安特性是指(C)A、阳极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系0100002、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B)A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定0100002、在型号 KP1012G 中，数字 10 表示(B)A、额定电压 10V B、额定电流 10AC、额定

27、电压 1000V D、额定电流 100A0100002、对于同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流 IL在数值大小上有，IL（A）IHA、大于 B、等于 C、小于 D、无关0100002、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（D）A、可靠触发区 B、不可靠触发区C、安全工作区 D、不触发区0100003、功率晶体管的安全工作区由以下4 条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和_ D _A、基极最大允许直流功率线 B、基极最大允许电压线C、临界饱和线 D、二次击穿功率线0100003、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电

28、流为（B）A、157A B、100A C、80A D、246.5A0100004、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（B C），属于电压控制型的器件是（A D）13/55A、P-MOSFET B、GTO C、GTR D、IGBT0200004、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(B)2U22A.B.2U2 C.2 2U2 D.6U20200004、在下列可控整流电路中，不能实现有源逆变的是（C）A、单相全控桥整流电路 B、单相全波整流电路C、单相半控桥整流电路 D、三相全控桥整流电路0200003、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压Ud为（B）A、Ud

29、=0 B、Ud=E C、Ud=E/2 D、Ud=E0200004、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角=0时，输出的负载电压平均值为D。A、0.45U2；B、0.9U2；C、1.17U2；D、2.34U2；0200004、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角的有效移相X 围是 A 度。A、0-90；B、30-120；C、60-150；D、90-150；0200004、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角的大小与哪几个参数有关 A。A、Id、XL、U2；B、Id；C、U2；D、U2、XL；0200003、单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是 _ D_A、

30、增加晶闸管的导电能力 B、抑制温漂C、增加输出电压的稳定性 D、防止失控现象的产生0200003、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(B)A、U2 B、U2 C、2U2 D.、U20200004、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当（C）时整流平均电压 Ud=0。A、30 B、60 C、90 D、12014/5500000200004、在三相桥式不控整流电路中，整流输出电压的平均值为(A)3 6U2或 2.34U2A、2 6U2或 1.56U2C、3 6U2或 1.17U22B、6U2或 0.78U2D、0200003、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相

31、X 围是(D)A、90 B、120 C、150 D、1800200003、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为 U2，当控制角30时，整流输出电压平均值等于(A)A、1.17U2cos B、1.17U2sinC、1.41U2cos D、1.41U2sin0200004、在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相X 围是（D）A、60 B、180 C、120 D、900200004、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角与哪几个参数有关(A)A、U2、负载电流 Id以及变压器漏抗 XB B、和 U2C、以及负载电流 Id D、和变压器漏抗 XB0200004、单相全控桥式整流

32、电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为(A)A、12U22B、2U2C、2 2U2D、6U20200004、单相桥式全控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流IT(C)A、I B、0.5I C、(2)*I D、(2)*I0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相X 围为（C）。A、0180 B、0150C、0120 D、0900200004、单相全控桥式整流电路带阻感负载，控制角为a，则输出电压的平均值为(B)A、Ud=1.17U2cosa B、Ud=0.9U2cosa000015/55C、Ud=-2.34U2cosa D、Ud=0.45U2cosa0200

33、002、有源逆变产生的条件是触发角a 要满足(D)34 22A、B、C、D、0200003、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为(C)。A、10 15 B、20 25 C、30 35 D、40 450200003、三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后600200003、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（D）。A.三相半波可控整流电路 B.三相桥式全控整流电路C.单相桥式全控整流电路 D.单相全波可控整流电路外接续流二极管0200003.单相半波可控整

34、流电路，阻性负载，控制角的最大移相X 围是 0（D）。A.90 B.120 C.150 D.1800200003.单相桥式整流电路，电阻性负载，控制角为（D）时，整流输出电压为0。A.0 B.90 C.120 D.1800200002.三相全控桥式整流电路，控制角为（A）时，整流输出电压为最大值。A.0 B.90 C.120 D.1800200003.单相半波整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向峰值电压约为（A）。A.2U2 B.3U2 C.6U2 D.2.34U20200003.三相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角30，每个周期内输出电压的平均值为（C）。16/5500000000A.U

35、d=0.45U2COS B.Ud=0.92COS C.Ud=1.172COS D.Ud=2.342COS0200004.三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压约为（C）。A.2U2 B.3U2 C.6U2 D.2.34U20200003.三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（D）次。A.2 B.3 C.4 D.60200003.三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（C）。A.60 B.90 C.120 D.1800200003.单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角的最大变化X 围是 0(D)A.90 B.120 C.150 D.180020000

36、4.三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角的最大变化X 围是 0(C)A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相全控桥式整流电路，阻性负载，控制角的最大移相X 围是 0(B)A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点(B)A.超前 30 B.滞后 30 C.超前 60 D.滞后 600200003.单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角30，每个周期内输出电压的平均值为(B)A.Ud=0.45U2cos B.Ud=0.92cos C.Ud=1.172cos D.Ud=2.34

37、2cos0200003.三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角30，负载电流连续，整流输出电流的平均值为 Id，流过每只晶闸管的平均值电流为(B)A.Id/2 B.Id/3 C.2Id/3 D.Id0200003.单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角为(D)A.13 B.1015 C.2025 D.30350200003.三相全控桥式整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动(D)次。017/55A.2 B.3 C.4 D.60200002.有源逆变电路是(B)A.AC/DC 变换器 B.DC/AC 变换器 C.AC/AC 变换器 D.DC/DC 变换器0200003.PWM 脉宽调制技术用

38、于(B)A.有源逆变器C.脉冲触发器B.无源逆变器D.脉冲移相器0200004.KC04 型集成触发电路引角 1 和 15 输出两个互差 180的触发脉冲，经过放大隔离后，可驱动三相全控桥_的两只晶闸管。(A)A.同一桥臂 B.不同桥臂 C.共阴组D.共阳组0200003、下列不可以实现逆变的电路是（B）式晶闸管电路。A 单相全波，B 三相半控桥，C 三相全控桥0200003、变流器必须工作在（A）区域，才能进行逆变。A 90，B 0，C 90，D 0。0200003、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（D）。A 5，B 15，C 20，D 30。0200002、普通的单相半控桥可

39、整流装置中一共用了（B）晶闸管。A 一只，B 二只，C 三只，D 四只。0200002、三相全控桥整流装置中一共用了（B B）晶闸管。A 三只，B 六只，C 九只。0200001、双向晶闸管外部有（C C）电极。A 一个，B 两个，C 三个，D 四个。0200003、0时，单相半波可控整流电路带电阻负载输出直流电压的平均值等于整流前交流电压有效值的（C）倍。A 1，B 0.5，C 0.45，D 0.9.0200003、0时，单相桥式可控整流电路带电阻负载输出直流电压的平均值等于整流前交流电压有效值的（D）倍。18/55A 1，B 0.5，C 0.45，D 0.9.0200002、晶闸管可整流电

40、路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。A 电阻性，B 电感性，C 反电动势。0200004、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相X 围是(D)A、0-90 B、0-120 C、0-150 D、0-1800200003、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A 度。A、180 度；B、60 度；C、360 度；D、120 度；0200003、可实现有源逆变的电路为A。A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路0200003、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角min选 A 时系统工作才可

41、靠。A、30 35 B、10 15 C、0 10 D、00200004、=B 度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度；B、60 度；C、30 度；D、120 度；0200003、变流器工作在逆变状态时，控制角必须在D 度。A、0-90；B、30-120；C、60-150；D、90-150；0200004、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，的移相 X 围 C。A、0-60；B、0-90；C、0-120；D、0-150；0200004、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角的大小与哪几个参数有关 A。A、Id

42、、XL、U2；B、Id；C、U2；D、U2、XL；0200004、在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角的有效移相X 围是 A。A、090 B、0180 C、901800200004、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角=0时，输出的负载电压平均值为D。19/550000000A、0.45U2；B、0.9U2；C、1.17U2；D、2.34U2；0200004、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角的有效移相X 围是 A 度。A、0-90；B、30-120；C、60-150；D、90-150；0200004、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A 度。A、180，

43、B、60，c、360，D、1200200003、为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0 度，B，60 度，C，30 度，D，120 度，0200003、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。0200004、可实现有源逆变的电路为A。A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。0200003、在一般可逆电路中，最小逆变角min 选在下面那一种 X 围合理 A。A、30-35，B、10-15

44、，C、0-10，D、0。0200003、在有源逆变电路中，逆变角的移相 X 围应选 B 为最好。A、=90180，B、=3590，C、=090，0200004、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U 相换到 V 相时）的输出电压等于C。A、U 相换相时刻电压 uU，B、V 相换相时刻电压 uV，C、等于 uU+uV的一半即：0200004、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。请选择B。uUuv220/550200003、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。A、180 B、60 C、360 D、1200200004、为

45、C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度，0200003、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、以上都不能0200004、可实现有源逆变的电路为 A。A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路。0200003、在一般可逆电路中，最小逆变角min 选在下面那一种 X 围合理 A。A、30-35 B、10-15 C、0-10 D、0。02000

46、02、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相X 围是_D_A、90 B、120 C、150 D、1800200003、三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30；D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的X 围是（D）A、30150 B、0120C、15125 D、015021/550200004、三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（D）A.U2 B.2U2 C.22U2 D.6U20200004、

47、晶闸管电流的波形系数定义为(B)A.B.C.Kf=IdTIT D.Kf=IdT-IT0200004、三相半波带电阻性负载时，为C 度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度。0200002、在晶闸管触发电路中，改变B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、整流变压器变比0300002、直流斩波电路是一种_ C _变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC0300003、定宽调频是斩波器的一种(A)A、时间比控制方式 B、瞬时值控制C、

48、移相控制方式 D、模糊控制0300002、直波斩波电路是一种(C)变换电路A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC0300003、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，导通比A、64V B、12V C、21V D、4V0300003、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压 Uo=12V，斩波周期 T=4ms，则开通时 Ton=（C）A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms0300002、直流斩波电路是一种（C）变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC22/553，则负载电压 U0=(B)40400004、对于单相交流调

49、压电路的波形如下图所示，那么晶闸管的触发角与电路的功率因素角之间是（C）A、触发角大于功率因素角 B、触发角等于功率因素角C、触发角小于功率因素角 D、二者没有什么关系0400003、一般认为交交变频输出的上限频率_D_A、与电网有相同的频率 B、高于电网频率C、可达电网频率的 80%D、约为电网频率的 1/21/30400004、对于单相交流调压电路，下面说法正确的是（A）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，两只晶闸管的导通角均为18

50、0 度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，两只晶闸管的导通角均不为180 度0500004、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为 CA、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率0500002、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是(D)23/55A、有源逆变器C、D/A 变换器B、A/D 变换器D、无源逆变器0500003、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是(B)A、电容 B、电感 C、蓄电池 D、电动机0500003、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为(C)A、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率0600004、单相桥式