绝缘栅型场效应管之图解.pdf

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1、.-绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000。增强型：VGS=0 时，漏源之间没有导电沟道，在VDS 作用下无 iD。耗尽型：VGS=0 时，漏源之间有导电沟道，在VDS 作用下 iD。1.结构和符号（以N 沟道增强型为例）在一块浓度较低的 P 型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。N 沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他 MOS

2、管符号.可修编-.-2.工作原理（以 N 沟道增强型为例）(1)VGS=0 时，不管 VDS 极性如何，其中总有一个 PN 结反偏，所以不存在导电沟道。VGS=0，ID=0VGS 必须大于 0管子才能工作。(2)VGS0体表面的电场，VGS达到一定值沟通，形成导电VGS 0g反型层变厚.可修编-时，在 Sio2 介质中产生一个垂直于半导排斥 P 区多子空穴而吸引少子电子。当时 P 区表面将形成反型层把两侧的N区沟道。吸引电子反型层导电沟道VGSVDS ID.-(3)VGSVT 时而 VDS 较小时：VDSIDVT：开启电压，在 VDS 作用下开始导电时的 VGSVT=VGS VDS3.特性曲线

3、（以 N 沟道增强型为例）.可修编-.-场效应管的转移特性曲线动画4.其它类型 MOS 管（1）N 沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在 VGS=0 时，由于正离子的作用，两个N 区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。其它类型 MOS 管.可修编-.-（2）P 沟道增强型：VGS=0 时，ID=0 开启电压小于零，所以只有当VGS 0 时管子才能工作。（3）P 沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在 VGS=0 时，由于负离子的作用，两个P 区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。5.场效应管的主要参数(1)开启电压 VT：在VDS 为一固定数值

4、时，能产生ID 所需要的最小|VGS|值。（增强）(2)夹断电压 VP：在 VDS 为一固定数值时，使 ID 对应一微小电流时的|VGS|值。（耗尽）.可修编-.-(3)饱和漏极电流 IDSS：在 VGS=0 时，管子发生预夹断时的漏极电流。（耗尽）(4)极间电容：漏源电容 CDS 约为 0.11pF，栅源电容 CGS 和栅漏极电容 CGD 约为 13pF。(5)低频跨导 gm：表示 VGS 对 iD 的控制作用。在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD 的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。(6)最大漏极电流 IDM(7)最大漏极耗散功率 PDM(8)漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS.可修编-