《半导体光电子学课件》下集4.3同质结及异质结激光器.ppt
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4.3 同质结及异质结激光器4.3.1 同质结一.同质结LD的有源区构成 有源区构成：高浓度受主 杂质扩散 进n型GaAs 半导体中有源区：空间电荷区 外加电场可忽略 p型材料中e的扩散区 外加电场时同质结的有源区 n型材料中h的扩散区 外加电场时可忽略 同质结LD在垂直于pn结方向上的折射率分布，增益分布，光强分布二.同质结激光器 与温度T的关系 高且随T发生剧烈变化 1.T p区电子扩散区lh 中和 反转 维持 2.T 光波导效应 光场限制 3.T 激射长波长（红移）光子在p区吸收增加 光子损耗 4.3.2 单异质结LD一.构成二.优点：当P-GaAs层厚度小于一个电子扩散长度，层内非平衡少数载流子增长 异质结折射率差形成光波导效应，减少光子损耗 工艺简单，只多一次外延三.缺点 pn同质结电子注入效率低 pn同质结对有源层的空穴扩散没限制 对光子微弱光波导效应4.3.3 双异质结LDv单异质结中的一个np同质结用一个异质结代替v优点：高效率向有源区注入载流子 有源区两边异质结分别对e和h进行限制 还能利用异质结产生光波导效应，而且对称性好 有源层无需重掺杂就可以使非平衡电子浓度比注入源区（N）高（超注入）阈值电流密度下降
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