电工试题.pdf
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1、一、一、判判断断题题1.()运算放大器广泛应用在加法、减法、微分、积分、计算等实现运算的电路。2.()面接触型二极管的特点是电流大,工作频率高。3.()射极输出器有输入阻抗高,输出阻抗低的特点。4.()放大器输出端带负载后,会使电压放大倍数变小。5.()当整流而就干击穿后,会出现开机烧保险的故障。6.()在纯净半导体仲渗入微量杂质,会使半导体到点能力大大提高。7.()P 型半导体主要靠电子来导电。8.()半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。9.()晶体管的发射结正偏时,该管一定工作在放大状态。10.()电阻器是耗能元件,电容器、电感器是储能元件,晶体管是有源元件。11.()多纵放大器的放大倍
2、数是各级放大器放大倍数之和。12.()反相比例运算放大器属于电压联员反馈电路。13.()N 型半导体多数载流子为电子,少数载流子为空穴,导电作用主要由电子决定。14.()点接触型二极管的特点是电流大,工作频率高。15.()半导体二极管和场效应管都是具有放大能力的晶体管、16.()甲类功率放大的失真度较小、效率较高。17.()乙类功率在放大器的静态工作点18.()放大电路中的反馈是把放大电路输出信号的一部分,通过一定的电路,送回到输 入回路而影响输入信号的现象。19.()直流放大器只能够放大直流输入信号。20.()在 OTL 功放仲,若输出端中点电压不对称,则会引起失真现象。21.()在变压器二
3、次电压相同的情况下,二极管半波整流电路输出电压平均值是桥式整流电路输出电压平均值的 1/2,而输出电压瞬时最大值是相同的。22.()稳压二极管的稳定电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流,超出此值,稳压管将损坏。23.()差动放大器公共射极采用恒流源方式能更好地抑制零点漂移。24.()触发管和译码器均属于时序逻辑电路。25.()单相桥式整流电路中任一整流二极管发生短路时,输出电压的数值将下降一半,电路变成半波整流电路。26.()放大电路的反馈按反馈的极性来分,有正反馈和负反馈。27.()运算放大器作比较器使用时在两输入端之间,应按入两个反向并联二极管作限制保护。28.()多纵放大器的放大倍数是
4、各级放大器放大倍数的总和。29.()直流放大器的缺点是生产零点漂移。一、填空题1、二极管正向偏置时,二极管可能导通2、组合逻辑电路的分析步骤是 列出函数、真值表、化简、分析。3、N 型半导体的多子是自由电子,少子是 空穴。N 型半导体是硅材料中掺入了少量的 磷等五价元素。4、BCD 编码中最常用的编码是 8421 格雷码 余 3 码5、负反馈类型有 串联、并联、电压、电流、交流、直流。6、放大状态下的三极管,对输入电流具有 放大 作用,它是电流控制 电压的器件7、可调直流稳压电源包括变压、整流、滤波、稳压和调压等部分8、场效应管漏极曲线分为二个区域,它们是放大区、可变电阻区 区。9、差动放大器
5、有两种输入信号,一种是共模信号,另一种是差模信号,差动放大器对差模 具有放大作用,对共模具有抑制作用。10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、PN 结反向偏置时,PN 结的内电场有增强作用 PN 结变厚设计组合逻辑电路的步骤是分析问题、列出真值表、写出函数表达式、画出逻辑图。P 型半导体的多子是 空穴,少子是自由电子,P 型半导体是在硅材料中掺入了少量的硼等三价在我们已学卡诺图中,有 2 变量、3 变量和 4 变量卡诺图。运算放大器在线性区的两条分析依据是负反馈类型有串,并联、电压、电流、交,直流放大状态下得场效应晶体管,对输入电压具有放大 作
6、用,它是 电流 控制电压的器件直流稳压电源包括变压、整流、滤波、稳压等部分组成一只硅二极管的死区电压为伏,要使二极管正向导通,外加在二极管得正向电压应为伏NPN 管共射级放大器,若静态工作点 Q选择偏低,则产生截止失真,使输出电压的上半部分被削去二极管反向偏置时,二极管有可能被击穿。组合逻辑电路得分析步骤是函数、真值表、化简、分析。用万用表判断 PN 结好坏得方法是正向电阻小,反向电阻大表示 PN 结完好BCD 编码中最常用得编码是 8421.等等放大状态下得三极管,发射结电压 正偏,集电结电压放偏桥式整流滤波二极管稳压电路中,经变压后输出的波形是半 波,经桥式二极管一个周期内输出的波形是全
7、波,经滤波电容后输出得波形是滤 波,经二极管稳压后输出得波形是平行波(最后一个不确定)25、26、三极管的输出特性曲线分为三个区域,它们是截止区,饱和区和 放大区,其中截止区和饱和区可NPN 管共射级放大器,若静态工作点 Q选择偏高,则产生饱和失真,使输出电压得下半部分被削去做开关二、单选题 3 B、单相半波整流电路中,负载为 500 欧姆电阻,变压器的副边电压为 12V,则负载上电压平均值和二极管所承受的最高反向电压为()A、12V B、17V C、9V、12V D、9V、17V 4 C、某硅二极管反向击穿电压为 150 伏,则其最高反向工作电压()A、等于 150 伏 B、可略大于 150
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