（中职）电子技术基础与技能练习题-1.2 晶体管及应用判断题+答案.docx

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1、1. 2晶体管及应用判断题题号答案试题解析组卷代码类别难度考占1.二极管的最基本特性就是单向导电性11All2.4二极管有单向导电性，且加正偏电压时导通，反偏电压时截止11All3.X硅二极管的死区电压为0. 5V11All4.X错二极管的死区电压为0. 2V11All5.V硅二极管的管压降为0. 60. 7V11All6.X发生电击击穿时，正反向电阻都很小，发生热击穿时，正反向电阻都很大，接近于正无穷22All7.X是正常导通状态，二极管正极为高电位，负极为3V,且满足导通电压，所以是导通23A128.X击穿可以恢复，热击穿才是永久损坏22All9.XP区接电源正极，N区接电源负极，PN结正

2、向偏执11All10.X二极管从伏安特性曲线可以看出电流电压成非线性关系，不满足欧姆定律11A1211.X首先要满足二极管的导通电压11All12.二极管给加正向导通电压导通，加反向电压截止，所以具有单向导电性11All13.V二极管有银环端就是二极管的负极21All137.J幅频特性曲线会变得比拟平坦11A1138.X负反应是稳定放大倍数，减少非线性失真，扩展通频宽带等11A1139.X负反应能减小放大器的非线性失真11A1140.X负反应可大大减小放大器在稳定状态下产生的失真11A1141.V负反应是降低放大器的同频带为代价来获得减小非线性失真的11A1142.V负反应可以使放大电路的同频

3、带展宽，且此处只要负反应深度足够就可以用低频管代替高频管11A1M3.X负反应才能降低放大倍数11A1144.X可以提高放大器的性能11A1145.X输入端的连接与否决定了是什么类型的负反应11A1146.X并联负反应可以减小放大器的输入电阻11A1147.V输出电阻的改变只与电路引入的电流与电压反应有关11A1148.X电流负反应是增大输出电阻，电压负反应是减小输出电阻11A1149.V电路引入负反应后对放大器的性能改善影响很大，但都是以牺牲放大器的放大倍数为代价的11A1150.V净输入信号就是反应信号与输入信号相加得到的信号11A1151.J电压串联负反应放大电路，在信号源电压不一定时，

4、如果负载电阻增大，那么输出电压基本不变11A1152.X串联负反应只能增大放大器的输入电阻11A1153.X只要引入负反应，其闭环放大倍数就降低11A1154.X引入负反应，才能见效非线性失真11A1155.X共射放大电路，输出端为恒为电流反应11A1156.X输出端恒为电流串联负反应11A1157.J二极管发生电击穿后可恢复，热击穿不可恢复11A1158.X二极管,加上正向电压,不能肯定就导通,要看这个正向电压是否超过二极管的死区电压,如果超过二极管就立即 导通.11A1159.X二极管热击穿后不能恢复11A1160.JN型半导体主要靠电子导电11A1161.XP型半导体主要靠空穴导电11A

5、1162.VICE0越小越好，假设ICE0太大，会影响电路的稳定性11A1163.J自激振荡是不需要外来信号而靠振荡器内部正反应维持的振荡，要起振必须满足是相位平衡和幅度平衡11A1164.X引入负反应，只能减小放大器的非线性失真11A1165.V直流通路画法，C视为开路，L视为短路11A1166.V能稳定输出电流的，增大输出电阻的是电流负反应11A1167.X晶闸管无放大作用11A1168.X晶闸管正向导通条件：A.K间加正向电压，G.K间加触发信号21A1169.J触发导通的晶闸管，当阳极电流减小到低于维持电流时，晶体管的状态是转为关断。11A1170.X晶闸管不具有阳极电流随控制电流按比

6、例增大的作用11A1171.V品闸管的整流原理就是控制晶闸管的每半个周期的导通角，去控制输出电压11A1172.J导通之后，导通电流的大小取决于负载的大小11A1173.X品闸管只有导通和关断两种工作状态所以晶闸管常用作电路开关11A1174.X是通过改变负载的大小来实现输出电压11A1175.X触发信号有一定的宽度就可以有效触发11A1176.V晶体管采用任何方式形式的触发信号，控制极对阳极来说必须设计正极性11A1177.X减小阳极电流，使它变到维持电流以下，晶闸管就关断11A1178.X晶闸管的触发信号是脉冲信号11A1179.V双向晶闸管不分正负电极，具有双向导通的特点11A1180.

7、X1N4148导通电压为0.7V21A1181.V在同条件下测三极管，错误针偏转角度越大，B越大21A1182.V电压串联负反应能使电路的输入电阻变大，减小输出的电阻12A1183.V共基极放大电路是集电极输出，基极成为输入，输出的公共端11A1184.V在万用表内部，黑表笔接的是电源正极，红表笔接的是电源负极21A1185.V用电阻档测量三极管质量好坏时; Rbe=20K, Rce=5K时，说明这只三极管损坏22A1186.J指针摆动越大，B越大21A1187.X两极间的电阻相差很大21A1188.X十号的测试笔相连的是二极管的负极，两一段接正22A1189.X说明该管已经击穿21A1190

8、.X测二极管电阻时，只需要握住笔的一端21A114.J二极管发生热击穿后就永久损坏11All15.X因为人体也是导体，用手同时捏紧再测量会得出比实际阻值小。因为手相当于另外一个电阻，与测的电阻并联就 会减少测值。21Al16.X三极管的结构特点为基区很薄，发射区掺杂浓度大11Al17.J电流放大倍数B受温度影响，温度上升，电流放大倍数B增大11Al18.V晶体管放大电路的输出信号能量是由直流电源提供11Al19.V三极管各级上的电流应满足流出的等于流入的电流之和，流入的等于流出的电流之和11Al20.X用较小的基极电流变化去控制较大的集电极电流的变化，这就是三极管的放大原理12Al21.J三极

9、管发射区的掺杂浓度大于基区和集电区的掺杂浓度11Al22.X9012 是 NPN 管,9015 是 PNP 管。21Al23.X三极管的穿透电流越小,说明稳定性就越好。11Al24.J晶体管放大电路的输出信号能量由电源提供。11Al25.X三极管处放大状态，必须满足两个条件：一、发射结正向偏置，集电结反向偏置；二、发射结的正向电压必须大 于死区电压。12Al26.X三极管工作在放大区的电流放大倍数，处于饱和状态时，相当于开关闭合，三极管失去了放大作用。12Al27.X对于NPN型三极管，要处放大状态，必须满足两个条件：一、发射结正向偏置，集电结反向偏置；二、发射结的 正向电压必须大于死区电压。

10、而PNP型三极管的放大状态正好相反。此题中并未说明。11Al28.X各级电位关系，11.6V2.7v2v,又因为中间的2. 7v必定是基极。而且基极与2V刚好0.7的电压差，说明2V是发射极，11.6v为集电极，UcUbUe为NPN,所以为硅NPN管23A129.V二极管发生电压击穿，断开电源后可以恢复正常，热击穿后就不可恢复正常。21A130.X光电二极管反接在电路中，发光二极管应正接电压12A131.X电压要大于二极管的死区电压11A132.V硅二极管导通正向压降为0. 6-0. 8v错二极管导通正向压降为0. 2-. 03v 所以硅二极管比错二极管要大12A133.J二极管的反向特性有两

11、个区域，分别是反向截止区和反向击穿区12A134.X发光二极管发光时将工作大于伏安特性的正向导通区11A135.V硅二极管的正常导通电压较大为0.7、，比钻管得0.3v大，铭二极管的反向漏电电流较大12A136.J二极管有两个参数，分别是最大整流电流和最高反向工作电压12A137.X在一块纯洁的本征半导体，利用特殊的掺杂工艺将一块P型半导体和N型半导体结合在一起。它们链接的交接就 会形成一块薄薄的区域就是PN结11A138.X稳压二极管既能用作稳压，也能作为导通二极管使用21A139.X三极管的三个区，中间比拟薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相 对较高的

12、一层为发射区，另一层那么为集电区。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。11A1不能用两个PN结连在一起，就能组成三极管。40.J不同用途的三极管代换原那么是不一样的。一般来说，在其他参数基本一致时，大功率的三极管可以代替小功率的 三极管。21A141.X三极管工作在放大状态时，集电结反偏，发射极正偏，对于PNP型三极管来讲那么有：VcVbVeo12A142.X在实际使用中，两三极管其余的参数大致相当，功率大的三极管可以代替功率较小的三极管11A143.V三极管接入电路中，Rc越大，Ueq的电压就越大，越接近Ucq,所以越容易进入饱和状态12A144.X共发射极放大电路的

13、输入电阻适中，输出电阻较大，电压放大倍数较局，输入输出信号的相位反相12A145.X发射区掺杂浓度大，集电区较大，所以不能互换11A146.X放大状态要满足发射结正向偏执，集电结反向偏执11A147.J三极管工作在截止状态时，C.E间的电阻为无穷大，相当于开关断开11A148.X光电二极管改为正向偏置不能向外发射可见光12A149.X三极管的实际电流方向不随接法不同而发生变化11A150.JPcm大于等于1W的三极管是大功率三极管11A151.J 发射极， 基极， 集电极，Cbe=4. 7-4=0. 7V,故该三极管为NPN型硅材料三极管。21A152.J二极管具有单向导电性11A153.J二

14、极管具有单向导电性，有导通和截止状态11A154.X硅二极管的死区电压为0. 5V11A155.X楮二极管的死去电压为0. 2V11A156.J硅二极管的管压降为0. 50. 7V11A157.X正反向电阻的阻值均较小时，说明二极管已经击穿了22A158.XU=3. 7v-3v=0. 7v,硅管在0.50.7v时,二极管导通23A159.X二极管发生电击穿后，二极管用恢复，发生热击穿后，二极管永久损坏11A160.X将PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称给PN结加反向偏置11A161.X从二极管的伏安特性曲线可知，它的电流电压不满足欧姆定律，为非线性关系11A162.X指针式万用表判别二

15、极管的极性时，假设测得的正向电阻，那么与红表笔相连的是二极管的负极，另一端是正极22A163.X给二极管加正偏电压且大于死区电压，二极管才会导通11A164.J从二极管的符号可见，电流只能跟从箭头指向流过，说明二极管具有单向导电性11A165.X银白色色环是表示二极管的负极21A166.X手接触二极管的两个引脚，人体电阻与二极管内部的PN结并联，会使测量值偏小21A167.X射极输出器的多用于多极放大器的输入级和输出级，电压放大倍数接近111A168.V三极管的电流放大倍数随着温度变化而变化，温度升高，B值增大11A169.V在画放大电路的交流通路时，是将电容和电源视为短路，电感视为开路，其余

16、元件保存11A170.J多级放大器的输入电阻为第一级放大器的输入电阻11A171.X三极管的放大原理是：用较小的基极电流控制较大的集电极电流12Al72.V三极管发射区的掺杂浓度大11Al73.X在90系列三极管中，9012. 9015是PNP管21Al74.X放大器的级数越多，总通频带越窄12Al75.X三极管的穿透电流越小，说明稳定性越好11Al76.X饱和失真是饱和导通时，三极管对信号会失去放大作用12Al77.X在基本放大电路中，三极管起电流放大作用11Al78.X在放大电路中，处于放大状态的NPN管二极管电位必须满足UcUbUe11Al79.V分压式偏置放大电路能够稳定静态工作点11

17、Al80.V射极输出器的输入输出电压是同相关系11Al81.X三极管起放大作用必须满足外部条件，发射结正偏，集电结反偏12Al82.X射极输出器又称共极电路，它的输出电压与输入电压同相11Al83.V直流电路的画法是将电路中的电容视为开路，电感视为短路，其余原件保存11Al84.X引入负反应后，放大倍数将会降低11Al85.X三极管的B值在输出特性曲线中P =AiC/AiB12Al86.X要使三极管具有放大作用，其条件是发射结正偏，集电结反偏11Al87.X因为放大状态,所以硅 Ubc=0.7v,鸽 Ubc=0.3v, Vb=2. 7v, Ve=2v 所以 Uc=ll. 6v23Al所以UcU

18、bUe所以三极管为在NPN管88.J引入负反应后，能减小非线性失真11A189.X射极输出器有放大作用11A190.X发射结正偏，集电结反偏的晶体管处于放大状态12A191.X某人在测量三极管各个脚对地电阻过程中为保证测量结果准确，他将电路处于短点下进行操作21A192.X将输出信号的一局部或全部通过一定形式馈送回输入端为反应11A193.X电路引入电压反应后，稳定输出电压11A194.J为了增大输入电阻，减小输出电阻，稳定输出电压，应该引入串联电压负反应13A195.J差动放大器中，零点漂移折算到输入端相当于共模信号12A196.J负反应降低放大器的放大倍数，提高了放大器的稳定性11A197

19、.XnrU0二Ui U0=-30V RI11A198.X引入负反应后，将减小非线性是真12A199.XP型半导体接高电位，N型半导体接低电位11A1100.J负反应降低放大倍数，提高放大器的稳定性11A1101.V他们都是由P型半导体和N型半导体构成21A1102.J负反应能改善放大电路的性能指标11A1103.X应为电流控制型器件11A1104.J半导体中有电子和空穴两种载流子11A1105.X常用的半导体材料有硅、褚材料11A1106.VPN结导通之后，使空间电荷区域变窄11A1107.X二极管的正极链接的是内部的P区11A1108.X二极管电压击穿后是可以恢复的11A1109.V发光二极

20、管正向工作电压为1. 3-3V12A1110.X半导体硅可构成稳压二极管11A1111.X三极管要处于放大状态，发射结正偏，集电结反偏11A1112.X三极管电流分配满足基尔霍夫第一定律12A1113.J要使三极管起放大作用，必须发射结正偏，集电结反偏11A1114.V二极管的放大原理可简述为用基极的电流微小的变化去控制集电极电流的较大变化11A1115.J三极管基极电流为零时的集电极电流叫做穿透电流11A1116.V二极管工作在放大区与饱和区的放大倍数B =I C /I B11A1117.X消除失真的方法是：用太高输入信号U2,避开死区和截止区，让输入信号的整个周期都处于放大状态，避免波形失

21、真12A1118.V三极管符号中发射极箭头方向就是发射极电流的实际方向11A1119.X三极管的穿透电流越小那么质量越好21A1120.X满足流进三极管的电流之和等于流出三极管的电流之和12A1121.X直流放大倍数略大于交流放大倍数12A1122.V当频率上升到三极管特征频率时，三极管仍有放大作用12A1123.X在饱和区下，不受TB的控制11A1124.X三极管有电流放大作用11A1125.X场效应管是利用电场效应来控制电流大小的11A1126.J三极管符号中发射极箭头方向就是发射极电流的实际方向11A1127.V三极管的穿透电流越小那么质量越好11A1128.X两只稳压管并联的稳压值为较

22、低的一个稳压二极管的稳压值，即3V21A1129.V三极管的直流放大倍数略大于交流放大倍数11A1130.X硅三极管的发射结电压为0.7V时，集电结电压反偏时，处于放大状态11A1131.J三极管基极电流为零时的集电极电流叫做穿透电流11A1132.X电路中引入负反应会降低电压放大倍数11A1133.X将输出量的一局部或全部以一定的电路方式馈送回输入端，与输入信号叠加后送入放大器，成为反应11A1134.J负反应提高了放大器的稳定性，反应维持振荡11A1135.V降低了放大倍数，提高了电路稳定性，减少非线性失真，展宽频带，改变输入输出电阻11A1136.V在中频区电压放大倍数为常数且最大，在高频区电压放大倍数下降11A1