微电子器件测验.pptx

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第1页/共10页测验二一、1、写出 PN 结正向扩散电流密度 Jdn、Jdp 的表达式。2、当 NA ND 时，Jdn与 Jdp 中以哪种电流密度为主？二、某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC =4.4 105 V/cm，雪崩击穿电压为 220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB。第2页/共10页答案一、1、2、当 NA ND 时，Jdn Jdp二、第3页/共10页 1、某 NPN 晶体管的 ，试求该管的浮空电势。2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度 nB(0)是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。测验三第4页/共10页 答案第5页/共10页 求下图共发射极 T 形等效电路中 与 并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？测验四第6页/共10页 答案 通常因 ，所以可忽略 。第7页/共10页测验五1、某 N 沟道 MOSFET 的 VT =1V，=10-3AV 2，试求当 VGS=4V，而 VDS 分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。2、试求该 MOS 管当 VDS=2V，VGS 分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。第8页/共10页 答案 1、4 mA mA、2 mA、4 mA 第9页/共10页感谢您的观看！第10页/共10页