武汉理工大学材料科学基础部分习题.pptx
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1、2、书写缺陷反应式应遵循的原则3、缺陷浓度计算4、固溶体的分类及形成条件5、研究固溶体的方法第一章第一章习题课习题课1、缺陷的分类6、非化学计量化合物第1页/共21页点缺陷热缺陷杂质缺陷非化学计量结构缺陷(电荷缺陷)FrankelFrankel缺陷缺陷SchttyqSchttyq缺陷缺陷第2页/共21页非化学计量化合物类型:阳离子填隙型阴离子间隙型阳离子空位型阴离子缺位型第3页/共21页2-1名词解释:类质同晶:化学组成相似或相近的物质,在相同的热力学条件下,形成的晶体具有相同的结构,这种现象称为类质同晶现象。同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下,结晶成结构不同的晶体的现象。正型
2、尖晶石:MgAlMgAl2 2OO4 4(尖晶石)型结构(尖晶石)型结构O2-按立方紧密堆积排列,二价离子A充填1/8四面体空隙,三价离子B充填1/2八面体空隙正型尖晶石结构反型尖晶石结构:二价阳离子充填八面体空隙,三价阳离子一半充填四面体空隙,另一半充填八面体空隙中。弗仑克尔Frankel缺陷:正常结点上的原子(离子)跳入间隙,形成间隙原子。肖特基Schttky缺陷:正常结点上的原子离开平衡位置迁移到晶体表面,在原来位置形成空位。刃位错:位错线与滑移矢量垂直的位错。螺旋位错:位错线与滑移方向相互平行,位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面,故称为螺位错。第4页/共21页2-2ThO
3、2具有萤石结构:Th4+离子半径为0.100nm,O2-离子半径为0.140nm,试问a)实际结构中的Th4+正离子配位数与预计配位数是否一致?b)结构是否满足鲍林规则。b)不满足多面体规则,可满足电价规则。(1)第一规则(多面体规则):围绕每一阳离子,形成一个阴离子配位多面体,阴、阳离子的间距决定于它们的半径之和,阳离子的配位数则取决于它们的半径之比。(2)第二规则(静电价规则):在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强度,等于阴离子的电荷数。由萤石型结构知:Th4+离子的CN=8,O2-离子的CN=4S=Z+/n=4/8=1/2Z-=Si=1/24=2即等于O
4、2-离子的电价Z-=2答:a)预计计算值:因为r+/r-=0.100/0.140=0.7140.4140.7140.732,当配位数为8时不稳定,预计配位数为7或6。实际值:由于ThO2具有萤石结构,实际Th4+正离子配位数为八配位。所以实际与预计不一致。第5页/共21页MgOMgO具有NaClNaCl结构,根据O O2-2-半径0.140nm0.140nm和MgMg2+2+半径为0.072nm0.072nm,计算球状离子所占据的空间分数(堆积系数);MgOMgO的密度。解:MgOMgO属于NaClNaCl型结构,即面心立方结构,每个晶胞中含有4 4个MgMg2+2+和4 4个O O2-2-,
5、故MgOMgO所占体积为V VMgOMgO=4=44/34/3(R(RMg2+Mg2+3 3+R+RO2-O2-3 3)=16/3=16/3(0.0723+0.1403)=0.0522(nm3)MgMg2+2+和O O2-2-在面心立方的棱边上接触a=2(R RMg2+Mg2+R+RO2-O2-)=2=2(0.072+0.140)=0.424nm堆积系数=V VMgOMgO/V/V晶胞=0.0522/(0.424)=0.0522/(0.424)3 3=68.5%=68.5%DMgOMgO=m=mMgOMgO/V/V晶胞=n.(M/N=n.(M/N0 0)/a)/a3 3=4=4(24.3+16
6、.0)/(0.42410-7)36.021023=3.51g/cm3第6页/共21页2-3在萤石晶体结构中,Ca2+半径0.112nm,F-半径0.131nm,萤石晶胞棱长为0.547nm,求:萤石晶体中离子堆积系数(球状离子所占据的空间分数)萤石的密度解:萤石属于立方面心结构,每个晶胞中含有4个Ca2+和8个F-,故CaF2所占体积为VCaF2=44/3(RCa2+3)+84/3(RF-3)=16/30.1123+32/30.1313=0.0988(nm3)a=0.547nmV晶胞=0.5473=0.1637nm3堆积系数=VCaF2/V晶胞=0.0988/0.1637=60.4%DCaF2
7、=mCaF2/V晶胞=n.(M/N0)/a3(阿伏加德罗常数N0=6.021023mol-1)=4(40+219)/(0.163710-21)6.021023=3.17g/cm3第7页/共21页2-4硅酸盐晶体结构分类原则:根据结构中硅氧四面体的连接方式分成五种硅酸盐晶体结构类型与Si/O比的关系第8页/共21页2-5()O2-作立方面心堆积时,画出适合阳离子位置的间隙类型及位置,(以一个晶胞为结构基元表示出来);(2)计算八而体空隙数与O2-数之比,四面体空隙数与O2-数之比;(3)用键强度及鲍林规则解释(电价规则),对于获得稳定结构各需何种价离子(空隙内各需填入何种价数的阳离子,举出个例子
8、)I.所有八而体空隙位置均填满;II.所有四面体空隙位置均填满;III.填满半八面休空隙位置.IV.填满半四面体空隙位置;解:(1)略(第一章中等大球体立方米堆);第一章PPT113-119(2)八面体空隙数/O2-数=1:1,四面体空隙数/O2-数=2:1;(3)(静电价规则):在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强度,等于阴离子的电荷数。I.CN=6,z+/66=2,z+=2,2价阳离子FeO,MnO;II.CN=4,z+/48=2,z+=1,1价阳离子Na2O,Li2O;III.CN=6,z+/63=2,z+=4,4价阳离子MnO2.IV.CN=4,z+/
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