通信用光器件要点.pptx
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1、4.1 光器件简介在光纤通信系统中,光器件可分为有源光器件和无源光器件两类,其中有源光器件包括前章介绍的光源器件,还有本章要介绍的光电检测器等器件。光电检测器,是将入射光转化为电流或电压,是以光子一电子的量子转换形式完成光的检测目的,如光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)。由于光纤具有三个低损耗窗口,即850nm、1310nm和1550nm。相应的,用于850nm 波长的称为短波长光电检测器,用于1310nm和1550nm波长的则称为长波长光电检测器。返回下一页第1页/共75页4.2 光电检测器1.光电检测器作用及要求(1)作用在光纤通信系统中,光电检测器的作用是;将光纤输出的光信号
2、变换为电信号,其性能的好坏将对光接收机的灵敏度产生重要影响。(2)对光电检测器的基本要求由于从光纤中传过来的光信号一般是非常微弱的,因此对光电检测器提出非常高的要求。对光检测器的基本要求如下:在系统的工作波长上具有足够高的响应度,具有足够快的响应速度,能够适用于高速或宽带系统;具有尽可能低的噪声,以降低器件本身对信号的影响;具有良好的线性关系,以保证信号转换过程中的不失真;具有较小的体积、较长的工作寿命;工作电压尽量低,使用简便。返回下一页第2页/共75页4.2 光电检测器2.半导体PN结的光电效应如图4-1所示,是一个未加电压的半导体PN结。在半导体材料的PN结区,发生载流子相互扩散的运动,
3、即P型半导体中的空穴远比N型半导体的多,空穴将从P区扩散到N区;同样N型半导体中的电子远比P型半导体的多,也要扩散到P区。这种扩散运动的结果是在PN结内形成了一个内电场,在内电场的作用下,使电子和空穴产生了与扩散运动方向相反的漂移运动。当扩散与漂移达到动态平衡时,便在PN结中形成了一个空间电荷区,即耗尽层。返回下一页上一页第3页/共75页返回图4-1 光电效应 图4-1 光电效应第4页/共75页4.2 光电检测器如果PN结接收到相当能量的光照射,进入耗尽层的光子就会产生电子-空穴对,在内电场的加速下,空穴向P区漂移,电子则向N区漂移。很显然,光照的结果打破了原有结区的平衡状态。这种光生载流子的
4、运动,在一定条件下,就会产生光电流。这就是半导体PN的光电效应。当入射光子能量小于禁带宽度时,不论入射光有多强,光电效应也不会发生,因此产生光电效应的条件是 (4-1)返回下一页上一页第5页/共75页4.2 光电检测器3.光电二极管(PIN)(1)PIN的结构及其原理PIN的结构。PIN的结构如图4-2所示,是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间,加一层轻掺杂的N型材料,称为I层(本征层)。I层很厚,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子-空穴对,因而大幅度提高了光电转换效率。两侧的P和N型半导体很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从
5、而大大提高了响应速度。另外,可通过控制耗尽层的宽度,来改变器件的响应速度。返回下一页上一页第6页/共75页返回图4-2 PIN结构 图4-2 PIN结构第7页/共75页图4-2 PIN结构第8页/共75页4.2 光电检测器PIN的工作原理。当PN结加上反向电压后(如图4-3所示),入射光主要在耗尽区被吸收,在耗尽区产生光生载流子(电子-空穴对)。在耗尽区电场作用下,电子向N区漂移,空穴向P区漂移,产生光生电动势。在远离PN结的地方,因没有电场的作用,电子空穴作扩散运动,产生扩散电流。因I层宽,又加了反偏压,空间电荷区(耗尽层)加宽,绝大多数光生载流子在耗尽层内进行高效、高速漂移,产生漂移电流。
6、这个漂移电流远远大干扩散电流,所以PIN光电二极管的灵敏度高。在回路的负载上出现电流,就将光信号转变为了电信号。返回下一页上一页第9页/共75页图4-3 PIN的工作原理第10页/共75页4.2 光电检测器PIN存在的问题仅能将光信号转化成电信号,但不能对电信号产生增益;转换后的电流信号,很微弱,这种微弱信号,经放大器放大后,淹没在放大器自身产生的噪声中,以致难以辨认。4.雪崩光电二极管(APD)(1)APD的结构对于光电二极管(PIN),其输出电流I和反向偏压U的关系,如图4-4所示。随着反向偏压的增加,光电流基本保持不变。但当反向偏压增加到一定数值时,光电流急剧增加,最后器件被击穿,这个电
7、压称为击穿电压。APD就是根据这种特性设计的器件,其结构如图4-5所示。返回下一页上一页第11页/共75页返回图4-4 输出电流I和反向偏压U的关系 图4-4 输出电流I和反向偏压U的关系第12页/共75页拉通型(RAPD)结构第13页/共75页4.2 光电检测器(2)APD工作原理根据光电效应,雪崩光电二极管的光敏面上被光子照射之后,光子被吸收而产生电子-空穴对。这些电子空穴对经过高速电场(可达200kV/cm)之后被加速,初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶体原子相碰撞,使晶体原子电离,产生新的电子-空穴对,这个过程称为碰撞电离如此多次碰撞,产生连锁反应
8、,使载流子数量迅速增加,反向电流迅速增大,形成雪崩倍增效果,所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD),其原理如图4-6所示。APD中电场强度随位置变化,如图4-7所示。返回下一页上一页第14页/共75页第15页/共75页返回图4-7 电场强度分布 图4-7 电场强度分布第16页/共75页返回4.2 光电检测器 PINPIN的特性参数量子效率是指单位时间内输出电子数与输入光子数之比,即上一页 下一页第17页/共75页返回4.2 光电检测器 上一页 下一页响应度-响应度被定义为单位光功率所产生的电流,即可推导出量子效率与响应度的关系,即上式表明,响应度和量子效率与光功率无关,与负载也无关,但与光
9、波长(频率)有关。响应度的典型值为:SI在。Ge在第18页/共75页响应时间描述光电二极管光电转换速度,光电转换所用的总的时间有:从光入射光敏面到发生受激吸收的时间在耗尽区内发生载流子漂移的时间在耗尽区外发生载流子扩散的时间光电二极管及负载的时间常数RCAPD雪崩倍增建立的时间(APD特有的)结论:减小耗尽层宽度可以减小渡越时间,从而提高响应速度,但会降低量子效率,所以要合理选择耗尽区宽度,兼顾量子效率和响应速度。第19页/共75页暗电流指在无光照条件下,光电检测器的输出电流。暗电流引起光接收机的噪声增大,因此希望暗电流越小越好。暗电流分为体内暗电流和表面暗电流(表面漏电流)。PIN光电二极管
10、的暗电流主要以表面暗电流为主。APD光电二极管的体内暗电流会受到倍增作用,所以以体内暗电流为主。第20页/共75页 噪声特性噪声直接影响光接收机的灵敏度。光电二极管噪声包括信号电流和暗电流产生的散粒噪声和有负载电阻和后继放大器输入阻抗产生的热噪声。通常噪声用均方噪声电流描述。PIN光电二极管噪声来源主要是散粒噪声。均方散粒噪声电流均方热噪声电流总均方噪声电流 第21页/共75页返回4.2 光电检测器上一页APDAPD主要特性参数 APDAPD的倍增系数。APDAPD的倍增系数定义为式中,为倍增后的总输出电流的平均值;为初始光电流(没有倍增时的光电流)。APD的倍增与雪崩有关,即与外加的电压有关
11、,因此是外加电压的函数,如图4-84-8所示。APD的响应度。APD的 响应度定义为 APD的量子效率与PIN的量子效率定义相同。量子效率与入射的光波长(频率)有关,如图4-9所示,为硅APD雪崩管的量子效率与波长的关系。第22页/共75页APD的噪声主要是由于对初始电流的散粒噪声有倍增作用,因此称为倍增噪声。APD的噪声主要是倍增噪声。过剩噪声因子F 是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数 第23页/共75页过剩噪声因子F 是由于雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数。设 (x x是附加噪声指数),则APDAPD的均方量子噪声电流为 同理,APDAPD的均方暗电流噪声电流为 量子噪声和体内暗电流都
12、被放大了 倍,表面暗电流可忽略。附加噪声指数与器件所用材料和制造工艺有关,Si-APD Si-APD 的 x=0.3x=0.3 0.5,Ge-APD0.5,Ge-APD的 x=x=0.80.81.0,InGaAs-APD1.0,InGaAs-APD的x=0.5x=0.50.70.7。第24页/共75页返回图4-8 反向偏压与倍增系数的关系 图4-8 反向偏压与倍增系数的关系第25页/共75页返回图4-9 量子效率与波长的关系 图4-9 量子效率与波长的关系第26页/共75页 PIN光电检测器的一般性能Si-PINInGaAs-PIN波长响应0.41.0116响应度0.4(0.85m)0.5(1
13、.31m)暗电流0.1125响应时间2100.21结电容0.5112工作电压 /V515515第27页/共75页 APD光电检测器的一般性能Si-APDInGaAs-APD波长响应0.41.01165响应度0.50.50.7暗电流0.111020响应时间0.20.50.10.3结电容120.5工作电压501004060倍增因子301002030附加噪声指数0.30.50.50.7第28页/共75页一个完整的光纤通信系统,除光纤、光源和光电检测器外,还需要许多其它光器件,特别是无源器件。这些不用电源的无源光器件(即无光电能量转换,是能量消耗型光学器件),对光纤通信系统的构成、功能的扩展或性能的提
14、高,都是不可缺少的,是构成光纤传输系统的重要部分。无源光器件种类繁多,功能各异,是一类实用性很强的器件,主要产品有光纤连接器、光纤耦合器、光衰减器、光隔离器与光环形器、光调制器、光开关、光波分复用器、光纤放大器等。无源光器件的作用是:连接光路,控制光的传输方向,控制光功率的分配,实现器件与器件之间、器件与光纤之间的光耦合、合波及分波。返回上一页4.3 无源光器件第29页/共75页4.3 无源光器件无源光器件是指除光源器件、光检测器件之外,不需要电源的光通路部件。无源光器件可分为连接用的部件和功能性部件两大类。连接用的部件是指各种光连接器,用做光纤与光纤之间、光纤与光器件(或设备)之间、或部件(
15、设备)和部件(设备)之间的连接。功能性部件有光波分波器、光衰减器、光隔离器等,用于光的分路、耦合、复用、衰减等方面。1.光纤连接器光纤连接器又称为光纤活动连接器,俗称活接头,被定义为:能稳定地,但并不是永久地,连接两根或多根光纤的无源组件。可见光纤连接器是一种可拆卸使用的连接部件。返回下一页第30页/共75页4.3 无源光器件 光纤连接器的用途。光纤连接器主要用于光端机、光测仪表等设备与光纤之间的连接以及光纤之间的相互连接,它是组成光纤通信线路不可缺少的重要器件之一。光纤连接器的作用。光纤连接器的主要作用是将需要连接起来的单根或多根光纤纤芯端面相互对淮、贴紧,并能够多次使用。对光纤连接的要求。
16、光纤连接器需要满足下列要求:连接损耗小;连接损耗的稳定性好,在-20-60范围温度变化时不应该有附加的损耗产生;具有足够的机械强度和使用寿命;接头体积小,密封性好;便于操作,易于放置和保护。返回下一页上一页第31页/共75页4.3 无源光器件(1)光纤连接器的结构及原理光纤连接器的结构。光线路的活动连接,须使被接光纤的纤芯严格对准并接触良好,为满足这一基本要求,有多种对中方式得到采用,如套筒式、圆锥式、V型槽式等。目前,工程上广泛应用的是套筒式对中结构,如图4-10所示。它是由三个部分组成的,有两个配合插头(插针体)和一个耦合管(珐琅盘)。两个插头装进两根光纤尾端;耦合管起对准套管的作用。返回
17、下一页上一页第32页/共75页返回图4-10 光纤连接器结构 图4-10 光纤连接器结构第33页/共75页4.3 无源光器件(2)光纤连接器的类型按照不同的分类方法,光纤连接器可以分为不同的种类。按传输媒介的不同可分为:单模光纤连接器和多模光纤连接器;按结构的不同可分为:FC、SC、ST、MU、LC、MT等各种型式;按连接器的插针端面形式可分为:FC、PC(UPC)和APC;按光纤芯数分还有单芯、多芯之分。如表4-1所示,是ITU-T建议的光纤连接器分类。返回下一页上一页第34页/共75页返回表4-1 光纤连接器类型 表4-1 光纤连接器类型单通道单通道对接对接套筒套筒/V/V型型槽槽直套管直
18、套管螺丝螺丝多通道多通道透镜透镜锥型锥型锥型套管锥型套管销钉销钉单单/多通多通道道其他其他其他其他其他其他弹簧销弹簧销第35页/共75页4.3 无源光器件(3)光纤连接器特性光纤连接器的特性,首先是光学特性,还有光纤连接器的互换性、重复性、抗拉强度、温度和插拔次数等。互换性与重复性-光纤连接器是通用的无源光器件,对于同一类型的光纤连接器,一般都可以任意组合使用,并可以重复多次使用,由此而导入的附加损耗一般都在小于0.2dB的范围内。抗拉强度-对于光纤连接器,一般要求其抗拉强度应不低于90N。温度-一般要求,光纤连接器必须在-40+70温度范围内能够正常使用。插拔次数-目前使用的光纤连接器一般都
19、可以插拔l000次以上。返回下一页上一页第36页/共75页4.3 无源光器件(4)常见的光纤连接器FC型光纤连接器(如图4-11所示)-圆型带螺纹:FC连接器外部加强方式是采用金属套,紧固方式为螺丝扣。最早,FC类型的连接器,采用的陶瓷插针的对接端面是平面接触方式(FC)。此类连接器结构简单,操作方便,制作容易,但光纤端面对微尘较为敏感,且容易产生菲涅尔反射,提高回波损耗性能较为困难。后来,对该类型连接器做了改进,采用对接端面呈球面的插针(PC),而外部结构没有改变,使得插入损耗和回波损耗性能有了较大幅度的提高。返回下一页上一页第37页/共75页返回图4-11 FC型连接器 图4-11 FC型
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