数字电子技术第二章门电路(ppt课件).ppt
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1、第二章 门电路门电路是用以实现逻辑关系的电子电门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。与我们所讲过的基本逻辑关系相对应,路。与我们所讲过的基本逻辑关系相对应,门电路主要有:与门、或门、非门、与非门电路主要有:与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。门、或非门、与或非门、异或门等。在数字电路中,一般用高电平代表在数字电路中,一般用高电平代表1 1、低点平代表低点平代表0 0,即所谓的正逻辑系统。,即所谓的正逻辑系统。高电平代表高电平代表0 0、低电平代表、低电平代表1 1,即所谓,即所谓的负逻辑系统。的负逻辑系统。2.1 概述正逻辑:高电平表示1,低电平表示0负逻辑:高电平表示0,低电
2、平表示1100VVcc只要能判断高只要能判断高低电平即可低电平即可K开开-Vo=1,输出高电平输出高电平K合合-Vo=0,输出低电平输出低电平可用三极可用三极管代替管代替 ViVoKVccR2.1半导体二极管门电路半导体二极管的结构和外特性(Diode)二极管的结构:PN结+引线+封装构成PN2.1.1二极管的开关特性:高电平:VIH=VCC低电平:VIL=0 VI=VIH D截止,VO=VOH=VCCVI=VIL D导通,VO=VOL=0.7V 2.二极管伏安特性的实用近似方法二极管伏安特性的实用近似方法+VON-+-VON=0.7V(硅管硅管)VON=0.2V(锗管锗管)3.2.2 半导体
3、三极管的开关特性半导体三极管的开关特性VccRCRBvo-+vI-+iBiC 1.三极管的基本开关电路三极管的基本开关电路 截止条件截止条件:截止特点截止特点:导通特点导通特点:导通条件导通条件:一一.双极型三极管的开关特性双极型三极管的开关特性 2.三极管的开关等效电路三极管的开关等效电路 bec截止状态截止状态c be饱和导通状态饱和导通状态R1R2AF+uccuFt3.三极管的动态开关特性:三极管的动态开关特性:tuA+ucc0.3V2.1.2 二极管与门设设VCC=5V加到加到A,B的的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时二极管导通时 VDF=0.7VABY0V0V0.7V0V3V
4、0.7V3V0V0.7V3V3V3.7VABY000010100111规定3V以上为10.7V以下为02.1.3 二极管或门设设VCC=5V加到加到A,B的的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时二极管导通时 VDF=0.7VABY0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VABY000011101111规定2.3V以上为10V以下为0二极管构成的门电路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路vEE为负电源为负电源2.1.4 三极管非门三极管非门Rc(vo)R1AYVCCvEE(vi)R2R1DR2F+12V+3V三极管非门三极管非门D1D2AB+12V二极管与门二极管
5、与门与非门与非门1、体积大、工作不可靠。、体积大、工作不可靠。2、需要不同电源。、需要不同电源。3、各种门的输入、输出电平不匹配。、各种门的输入、输出电平不匹配。2.3 CMOS门电路2.3.1MOS管的开关特性一、MOS管的结构S(Source):源极G(Gate):栅极D(Drain):漏极B(Substrate):衬底金属层氧化物层半导体层PN结二、等效电路OFF,截止状态 ON,导通状态2.3.2 CMOS反相器工作原理反相器工作原理Complementary-Symmetery Metal-Oxide-SemiconductorNMOS管管PMOS管管CMOS电路电路UCCST2DT
6、1uiuoui=0截止截止ugs2=UCC导通导通u=“”工作原理:工作原理:低电平输入低电平输入UCCST2DT1uiuoui=导通导通截止截止u=“”工作原理:工作原理:高电平输入高电平输入 CMOS反相器反相器PMOSNMOS 衬衬底底与与漏漏源源间间的的PNPN结结始始终终处处于于反反偏偏,NMOSNMOS管管的的衬衬底底总总是是接接到到电电路路的的最最低低电电位位,PMOSPMOS管管的的衬衬底底总是接到电路的总是接到电路的最高电位。最高电位。柵柵极极相相连连作输入端作输入端漏极相连漏极相连作输出端作输出端工作原理:工作原理:1.1.输入为低电平输入为低电平V VIL IL=0V=0
7、V时,时,V VGS1GS1V VT1T1T T1 1管截止;管截止;|V|VGS2GS2|V VT2 T2 电电路路中中电电流流近近似似为为零零(忽忽略略T T1 1的的截截止止漏漏电电流流),V,VDDDD主主要要降降落落在在T T1 1上,输出为高电平上,输出为高电平V VOHOHVVDDDD。T T2 2导通。导通。2.2.输输入入为为高高电电平平V VIHIH =V VDDDD时时,T T1 1通通T T2 2止止,V VDDDD主主要要降降在在T T2 2上上,输输出为低电平出为低电平V VOLOL0V0V。实现逻辑实现逻辑“非非”功能功能CMOS反相器工作原理反相器工作原理CMO
8、SCMOS门的门的V VT T=0.5V=0.5VDD DD,TTLTTL门的门的V VT T一般在一般在1.01.01.4V1.4V。CMOSCMOS门输出:高电平为门输出:高电平为V VOHOH=V=VDD DD,低电平为,低电平为V VOLOL=0V=0V。TTLTTL门输出:高电平为门输出:高电平为V VOHOH=3.6V=3.6V,低电平为低电平为V VOLOL=0.3V=0.3V。二、二、CMOSCMOS门电路和门电路和TTLTTL门电路比较门电路比较对对CC4000CC4000系列门电路,通常系列门电路,通常输入高电平的值不能低于输入高电平的值不能低于0.7V0.7VDDDD,即
9、,即V VIH(min)IH(min)0.7V 0.7VDDDD输入低电平的值不能大于输入低电平的值不能大于0.3V0.3VDDDD,即,即V VIL(max)IL(max)0.3V 0.3VDDDDCMOSCMOS传输特性矩型性比传输特性矩型性比TTLTTL好,且随好,且随V VDDDD按比例变化。按比例变化。2.3.3 其他类型的CMOS门电路一、其他逻辑功能的门电路1.与非门 2.或非门 3 带缓冲极的CMOS门与非门解决方法二 漏极开路的门电路(OD门)三、CMOS传输门及双向模拟开关1.传输门2.双向模拟开关四、三态输出门三态门的用途双极型三极管的开关特性(BJT,Bipolar J
10、unction Transistor)2.2 TTL门电路2.2.1 半导体三极管的开关特性一、双极型三极管的结构管芯+三个引出电极+外壳二 特性曲线分三个部分放大区:条件VCE 0.7V,iB 0,iC随iB成正比变化,iC=iB。饱和区:条件VCE 0,VCE 很低,iC 随iB增加变缓,趋于“饱和”。截止区:条件VBE=0V,iB=0,iC=0,ce间“断开”。三、双极型三极管的基本开关电路只要参数合理:只要参数合理:只要参数合理:只要参数合理:V VI I=V=VILIL时,时,时,时,T T截止,截止,截止,截止,V VOO=V=VOHOHV VI I=V=VIHIH时,时,时,时,
11、T T导通,导通,导通,导通,V VOO=V=VOLOL四、三极管的开关等效电路截止状态截止状态饱和导通状态饱和导通状态五、动态开关特性从二极管已知,从二极管已知,PNPN结存在电容效结存在电容效应。应。在饱和与截止两个在饱和与截止两个状态之间转换时,状态之间转换时,i iC C的变化将滞后于的变化将滞后于V VI I,则,则V VOO的变化也的变化也滞后于滞后于V VI I。2.2.2 TTL反相器的电路结构和工作原理一、电路结构设 PNNu0(V)ui(V)123UOH(3.4V)UOL(0.2V)传输特性曲线传输特性曲线u0(V)ui(V)123UOH“1”UOL(0.2V)阈值阈值UT
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