康华光电子技术基础ch04.pptx
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1、电子技术电子技术基础模拟部分基础模拟部分1 1 绪论2 2 运算放大器3 3 二极管及其基本电路4 4 场效应三极管及其放大电路5 5 双极结型三极管及其放大电路6 6 频率响应7 7 模拟集成电路8 8 反馈放大电路9 9 功率放大电路10 10 信号处理与信号产生电路11 11 直流稳压电源第1页/共106页4 4 场效应三极管及放大场效应三极管及放大电路电路4.1 4.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体(半导体(MOSMOS)场效应三极)场效应三极管管4.2 MOSFET4.2 MOSFET基本共源极放大电路基本共源极放大电路4.3 4.3 图解分析法图解分析法4.4 4.4 小信号模型
2、分析法小信号模型分析法4.5 4.5 共漏极和共栅极放大电路共漏极和共栅极放大电路4.6 4.6 集成电路单级集成电路单级MOSFETMOSFET放大电路放大电路4.7 4.7 多级放大电路多级放大电路4.8 4.8 结型场效应管(结型场效应管(JFETJFET)及其放大电路)及其放大电路*4.9 4.9 砷化镓金属砷化镓金属-半导体场效应管半导体场效应管4.10 4.10 各种各种FETFET的特性及使用注意事项的特性及使用注意事项第2页/共106页场效应管的分类:场效应管的分类:P P沟道沟道耗尽型耗尽型P P沟道沟道P P沟道沟道N N沟道沟道增强型增强型N N沟道沟道N N沟道沟道(耗
3、尽型)(耗尽型)FETFET场效应管场效应管JFETJFET结型结型MOSFETMOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)(IGFET)耗尽型耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在增强型增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道第3页/共106页4.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体半导体(MOS)场效应)场效应三极管三极管4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET4.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET4.1.3 P沟道沟道MOSFET4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等
4、几种效应4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数第4页/共106页4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET1.1.结构结构L:沟道长度:沟道长度W:沟道宽度:沟道宽度tox:绝缘层厚度:绝缘层厚度通常通常 W L 第5页/共106页4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET剖面图剖面图符号符号1.1.结构结构第6页/共106页4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET(1)VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当V VGSGS00时时 无导电沟道,无导电沟道,d、s间加间加电压时,也无电流产生。电压时,也无电流产生。当当0 0 V VGS GS V VTN TN 时时 在电
5、场作用下产生导电沟在电场作用下产生导电沟道,道,d、s间加电压后,将有间加电压后,将有电流产生。电流产生。V VGSGS越大,导电沟道越厚越大,导电沟道越厚 V V V VTN TN TN TN 称为称为称为称为N N N N沟道增强型沟道增强型沟道增强型沟道增强型MOSFETMOSFETMOSFETMOSFET开启电压开启电压开启电压开启电压(1)VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用2.2.工作原理工作原理 必须依靠栅极外加电压才能产生反必须依靠栅极外加电压才能产生反型层的型层的MOSFET称为增强型器件称为增强型器件第8页/共106页2.2.工作原理工作原理(2)VDS对沟道的控制作用对
6、沟道的控制作用靠近漏极靠近漏极d d处的电位升高处的电位升高电场强度减小电场强度减小 沟道变薄沟道变薄当当V VGSGS一定(一定(V VGS GS V VTN TN)时,)时,V VDSDS I ID D 沟道电位梯度沟道电位梯度 整个沟道呈整个沟道呈楔形分布楔形分布第9页/共106页 当当V VDSDS增加到使增加到使V VGDGD=V VTN TN 时,时,在紧靠漏极处出现预夹断。在紧靠漏极处出现预夹断。在预夹断处:在预夹断处:V VGDGD=V VGSGS-V VDS DS=V VTNTN(2)VDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当V VGSGS一定(一定(V VGS GS V V
7、TN TN)时,)时,V VDSDS I ID D 沟道电位梯度沟道电位梯度 2.2.工作原理工作原理第10页/共106页预夹断后,预夹断后,V VDSDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 I ID D基本不变基本不变(2)VDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用2.2.工作原理工作原理第11页/共106页(3)VDS和和VGS同时作用时同时作用时 V VDSDS一定,一定,V VGSGS变化时变化时 给定一个给定一个vGS GS,就有一,就有一条不同的条不同的 iD D vDS DS 曲线。曲线。2.2.工作原理工作原理第12页/共106页以上分析可知以上分析可知沟道中只有一种类型的载流
8、子参与导电,所以场效应管也称沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管为单极型三极管。MOSFET是电压控制电流器件(是电压控制电流器件(VCCS),),iD受受vGS控制。控制。预夹断前预夹断前iD与与vDS呈近似线性关系;预夹断后,呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。趋于饱和。MOSFET的栅极是绝缘的,所以的栅极是绝缘的,所以iG 0,输入电阻很高。,输入电阻很高。只有当只有当vGSVTN时,增强型时,增强型MOSFET的的d、s间才能导通。间才能导通。第13页/共106页3.3.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性及大
9、信号特性方程)输出特性及大信号特性方程 截止区截止区当当vGSVTN时时,导导电电沟沟道道尚尚未未形形成成,iD0,为为截截止工作状态。止工作状态。第14页/共106页 可变电阻区可变电阻区 vDS V VTNTN ,且,且vDSDS(vGSGSV VTNTN)是是vGSGS2 2V VTNTN时的时的iD D I I-V V 特性:特性:(1)输出特性及大信号特性方程)输出特性及大信号特性方程 必必须须让让FET工工作作在在饱饱和和区区(放大区)才有放大作用。(放大区)才有放大作用。3.3.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程第17页/共106页(2)转移特性)转移
10、特性#为什么不谈输入特性?为什么不谈输入特性?ABCD在饱和区,在饱和区,iD受受vGS控制控制3.3.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程第18页/共106页4.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET1.1.结构和工作原理结构和工作原理二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子,已存在导电沟道二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子,已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作,而且基本上无栅流可以在正或负的栅源电压下工作,而且基本上无栅流第19页/共106页4.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET(N N沟道增强型)沟道增强型)IDSS 2.2.I-VI-V 特性曲线及大
11、信号特性方程特性曲线及大信号特性方程第20页/共106页4.1.3 P沟道沟道MOSFET#衬底是什么类型的半导体材料?衬底是什么类型的半导体材料?#哪个符号是增强型的?哪个符号是增强型的?#在增强型的在增强型的P沟道沟道MOSFET 中,中,vGS应加什么极性的电压才应加什么极性的电压才能工作在饱和区(线性放大区)?能工作在饱和区(线性放大区)?第21页/共106页4.1.3 P沟道沟道MOSFET#是增强型还是耗尽型特性曲线?是增强型还是耗尽型特性曲线?#耗尽型特性曲线是怎样的?耗尽型特性曲线是怎样的?vGS加什么极性的电压能使管子加什么极性的电压能使管子工作在饱和区(线性放大区)?工作在
12、饱和区(线性放大区)?电流均以流入漏极的方向为正!电流均以流入漏极的方向为正!第22页/共106页4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的(实际上饱和区的曲线并不是平坦的(N N沟道为例)沟道为例)L的单位为的单位为 m当不考虑沟道调制效应时,当不考虑沟道调制效应时,0 0,曲线是平坦的。,曲线是平坦的。修正后修正后VA称为厄雷(称为厄雷(Early)电压)电压1.1.沟道长度调制效应沟道长度调制效应第23页/共106页4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应 衬底未与源极并接时,衬底与源极间的偏压衬底未与源极并接时,衬底与源极间的
13、偏压vBS将影响实际的开将影响实际的开启(夹断)电压和转移特性。启(夹断)电压和转移特性。VTNO表示表示vBS=0时时的开启电压的开启电压2.2.衬底调制效应(体效应)衬底调制效应(体效应)N N沟道增强型沟道增强型对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响第24页/共106页4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应2.2.衬底调制效应(体效应)衬底调制效应(体效应)通常,通常,N沟道器件的衬底接电路的最低电位,沟道器件的衬底接电路的最低电位,P沟道器件的衬沟道器件的衬底接电路的最高电位。底接电路的最高电位。为保证为保证导电沟道与衬底之导电沟道与衬底
14、之间的间的PN结反结反偏偏,要求:要求:N沟道沟道:vBS 0 P沟道沟道:vBS 0第25页/共106页4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应3.3.温度效应温度效应 VTN和电导常数和电导常数Kn随温度升高而下降,且随温度升高而下降,且Kn受温度的受温度的影响大于影响大于VTN受温度的影响受温度的影响。当温度升高时,对于给定的当温度升高时,对于给定的VGS,总的效果是漏极电,总的效果是漏极电流减小。流减小。可变电阻区可变电阻区 饱和区饱和区第26页/共106页4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应4.4.击穿效应击穿效应(1)漏衬击穿)漏衬击穿 外加的漏
15、源电压过高,将外加的漏源电压过高,将导致漏极到衬底的导致漏极到衬底的PN结击穿。结击穿。若绝缘层厚度若绝缘层厚度tox=50 纳米纳米时,时,只要约只要约30V的栅极电压就的栅极电压就可将可将绝缘层绝缘层击穿,若取安全系击穿,若取安全系数为数为3,则最大栅极安全电压,则最大栅极安全电压只有只有10V。(2 2)栅极击穿)栅极击穿 通常在通常在MOS管的栅源间接管的栅源间接入双向稳压管入双向稳压管,限制栅极电压限制栅极电压以保护器件。以保护器件。第27页/共106页4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数1.开启电压开启电压VT(增强型参数)(增强型参数)2.夹断电压
16、夹断电压VP(耗尽型参数)(耗尽型参数)第28页/共106页4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数3.饱和漏电流饱和漏电流IDSS(耗尽型参数)(耗尽型参数)4.直流输入电阻直流输入电阻RGS(1091015)第29页/共106页4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数所以所以1.输出电阻输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时,当不考虑沟道调制效应时,0 0,rdsds 实际中实际中,rds一般在几十千欧到几百千欧之间一般在几十千欧到几百千欧之间。二、交流参数二、交流参数 对于增强型对于增强型NMOS管管有有第30页/共106页4.1.5 MOSFET的主要参
17、数的主要参数2.2.低频互导低频互导gm 二、交流参数二、交流参数 则则其中其中又因为又因为 所以所以 NMOSNMOS增强型增强型第31页/共106页4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数三、极限参数三、极限参数 1.最大漏极电流最大漏极电流IDM 2.最大耗散功率最大耗散功率PDM 3.最大漏源电压最大漏源电压V(BR)DS 4.最大栅源电压最大栅源电压V(BR)GS 第32页/共106页4.2 MOSFET基本共源极放大电路基本共源极放大电路4.2.1 基本共源极放大电路的组成基本共源极放大电路的组成4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理4.2.3 放大电
18、路的习惯画法和主要分析放大电路的习惯画法和主要分析法法第33页/共106页4.2.1 基本共源极放大电路的组成基本共源极放大电路的组成1.1.如何让如何让MOS管工作在饱和区?管工作在饱和区?元件作用元件作用VGG:提供栅源电压使提供栅源电压使 vGS VTNVDD和和Rd:提供合适的漏源电压,使提供合适的漏源电压,使 vDS vGS-VTNRd 还兼有将电流转换成电压的作用还兼有将电流转换成电压的作用(VGG vi)通常称通常称VGG和和VDD为三极管的工作电源,为三极管的工作电源,vi为信号。为信号。第34页/共106页4.2.1 基本共源极放大电路的组成基本共源极放大电路的组成2.2.信
19、号如何通过信号如何通过MOS管传递?管传递?vi 信号由栅源回路输入、漏信号由栅源回路输入、漏源回路输出,即源极是公共端,源回路输出,即源极是公共端,所以称此电路为所以称此电路为共源电路共源电路。也可看作信号由栅极输入、也可看作信号由栅极输入、漏极输出。漏极输出。vGS iD vDS (=vo)饱和区饱和区由由MOS管的控管的控制关系决定制关系决定由由 可获得信号电压增益可获得信号电压增益 (VGG vi)第35页/共106页4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理1.1.放大电路的静态和动态放大电路的静态和动态 静态:静态:输入信号为零(输入信号为零(vi=0 或或
20、ii=0)时,放大电路的)时,放大电路的工作状态,也称工作状态,也称直流工作状态直流工作状态。动态:动态:输入信号不为零时,放大电路的工作状态,也输入信号不为零时,放大电路的工作状态,也称称交流工作状态交流工作状态。此时,此时,FET的直流量的直流量ID、VGS、VDS,在输出特性曲线,在输出特性曲线上表示为一个确定的点,习惯上称该点为静态工作点上表示为一个确定的点,习惯上称该点为静态工作点Q。常将上述三个电量写成常将上述三个电量写成IDQ、VGSQ和和VDSQ。第36页/共106页4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理2.2.放大电路的直流通路和交流通路放大电路的直
21、流通路和交流通路仅有直流电流流经的通路为直流通路仅有直流电流流经的通路为直流通路第37页/共106页4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理2.2.放大电路的直流通路和交流通路放大电路的直流通路和交流通路直直流流电电压压源源内内阻阻为为零零,交交流流电电流流流流经经直直流流电电压压源源时时不产生任何交流压降,不产生任何交流压降,故故直流电压源对交流相当于短路直流电压源对交流相当于短路仅有直流电流流经的通路为直流通路仅有直流电流流经的通路为直流通路第38页/共106页4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理2.2.放大电路的直流通路和交流通路放大电
22、路的直流通路和交流通路仅有交流电流流经的通路为交流通路仅有交流电流流经的通路为交流通路直流电压源对交流相当于短路直流电压源对交流相当于短路第39页/共106页4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理3.3.放大电路的静态工作点估算放大电路的静态工作点估算直流通路直流通路假设假设NMOS管工作于饱和区,则管工作于饱和区,则VGSQ=VGGVDSQ=VDD-IDQ Rd 当已知当已知VGG、VDD、VTN、Kn、和、和Rd 时,便可求得时,便可求得Q点(点(VGSQ、IDQ、VDSQ)。必须检验是否满足饱和区工作条件:)。必须检验是否满足饱和区工作条件:VDSQ VGSQ-
23、VTN 0。若不满足,则说明工作在可变电阻区,此时漏极电流为若不满足,则说明工作在可变电阻区,此时漏极电流为注意:电路结构不同,除注意:电路结构不同,除FET特性方程外,其它电路方程将有差别特性方程外,其它电路方程将有差别第40页/共106页例例4.2.1假设假设NMOS管工作于饱和区,根据管工作于饱和区,根据VGSQ=VGGVDSQ=VDD-IDQ Rd已知已知VGG=2V,VDD=5V,VTN=1V,Kn=0.2mA/V2,Rd=12k,求,求Q点。点。求得:求得:VGSQ=2V,IDQ=0.2mA,VDSQ=2.6V满足饱和区工作条件:满足饱和区工作条件:VDSQ VGSQ-VTN 0,
24、结果即为所求。,结果即为所求。解:解:第41页/共106页4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理3.3.放大电路的静态工作点估算放大电路的静态工作点估算饱和区的条件:饱和区的条件:VGSQ VTN,IDQ 0,VDSQ VGSQ-VTN 增强型增强型NMOS管管假设假设NMOS管工作于饱和区,利用管工作于饱和区,利用计算计算Q点。点。若:若:VGSQ VTN,NMOS管截止。管截止。若:若:VDSQ VGSQ-VTN,NMOS管可能工作在可变电阻区。管可能工作在可变电阻区。如果初始假设是错误的,则必须作出新的假设,同时重新分析电路。如果初始假设是错误的,则必须作出新的
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