(精品模拟电子技术基础-知识点总结.pdf
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《(精品模拟电子技术基础-知识点总结.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《(精品模拟电子技术基础-知识点总结.pdf(23页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、模拟电子技术基础-知识点总结最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N 型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6.杂质半导体的特性*载
2、流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN 结 *PN 结的接触电位差-硅材料约为 0.60.8V,锗材料约为 0.20.3V。*PN 结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。8.PN 结的伏安特性精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除二.半导体二极管 *单向导电性-正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管 0.60.7V,锗管 0.20.3V。*死区电压-硅管 0.5V,锗管 0.1V。3.分析方法-
3、将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳 V 阴(正偏),二极管导通(短路);若 V 阳 u-时,uo=+Uom当u+u-时,uo=-Uom两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一.反馈概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数反馈深度环路增益:1当时,下降,这种反馈称为负反馈。2当时,表明反馈效果为零。3当时,升高,这种反馈称为正反馈。4当时,。放大器处于“自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1.反馈的范围-本级或级间。2.反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 精品 模拟 电子技术 基础 知识点 总结
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内