(完整版)化学选修3《物质结构与性质》全国卷高考真题2011-.pdf
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1、试卷第 1 页,总 1 页 化学高考真题 选修 3 2011-2017 全国卷 1化学选修 3:物质结构与性质(15 分)硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题:(1)基态 Si 原子中,电子占据的最高能层符号为 ,该能层具有的原子轨道数为 、电子数为 。(2)硅主要以硅酸盐、等化合物的形式存在于地壳中。(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体,其中原子与原子之间以 相结合,其晶胞中共有 8 个原子,其中在面心位置贡献 个原子。(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应来制备。工业上采用 Mg2Si 和 NH4Cl 在液氨介质中反应制得 SiH4,该反应的化学方程式为
2、。(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示,简要分析和解释下列有关事实:化学键 CC CH CO SiSi SiH SiO 键能/(kJmol-1 356 413 336 226 318 452 硅与碳同族,也有系列氢化物,但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多,原因是 。SiH4的稳定性小于 CH4,更易生成氧化物,原因是 。(6)在硅酸盐中,SiO4-4四面体(如下图(a)通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根,其中 Si 原子的杂化形式为 ,Si 与 O 的原子数之比为 ,化学式为 。2化学选修 3:物质结构与性质(15 分)前四
3、周期原子序数依次增大的元素 A,B,C,D 中,A 和B 的价电子层中未成对电子均只有 1 个,平且 A-和 B+的电子相差为 8;与 B 位于同一周期的 C 和 D,它们价电子层中的未成对电子数分别为 4 和 2,且原子序数相差为 2。回答下列问题:(1)D2+的价层电子排布图为_。(2)四种元素中第一电离最小的是_,电负性最大的是_。(填元素符号)(3)A、B 和 D 三种元素责成的一个化合物的晶胞如图所示。该化合物的化学式为_;D 的配位数为_;列式计算该晶体的密度_gcm-3。(4)A-、B+和 C3+三种离子组成的化合物 B3CA6,其中化学键的类型有_;该化合物中存在一个复杂离子,
4、该离子的化学式为_,配位体是_。3 化学选修 3:物质结构与性质(15 分)早期发现的一种天然准晶颗粒由三种 Al、Cu、Fe 元素组成。回答下列问题:(1)准晶是一种无平移周期序,但有严格准周期位置序的独特晶体,可通过 方法区分晶体、准晶体和非晶体。(2)基态铁原子有 个未成对电子,三价铁离子的电子排布式为:可用硫氰化钾奉验三价铁离子,形成配合物的颜色为 (3)新制备的氢氧化铜可将乙醛氧化为乙酸,而自身还原成氧化亚铜,乙醛中碳原子的杂化轨道类型为;一摩尔乙醛分子中含有的 键的数目为:。乙酸的沸点明显高于乙醛,其主要原因是:。氧化亚铜为半导体材料,在其立方晶胞内部有四个氧原子,其余氧原子位于面
5、心和顶点,则该晶胞中有 个铜原子。(4)铝单质为面心立方晶体,其晶胞参数a0 405nm,晶胞中铝原子的配位数为 。列式表示铝单质的密度 gcm3(不必计算出结果)4 化学选修 3:物质结构与性质(15 分)A、B、C、D 为原子序数依次增大的四种元索,A2-和 B+具有相同的电子构型;C、D 为同周期元索,C 核外电子总数是最外层电子数的 3 倍;D 元素最外层有一个未成对电子。试卷第 2 页,总 4 页 回答下列问题:(1)四种元素中电负性最大的是 (填元素符号),其中 C 原子的核外电子排布式为_。(2)单质 A 有两种同素异形体,其中沸点高的是 (填分子式),原因是 ;A 和 B 的氢
6、化物所属的晶体类型分别为 和 。(3)C 和 D 反应可生成组成比为 1:3 的化合物 E,E的立体构型为 ,中心原子的杂化轨道类型为 。(4)化合物 D2A 的立体构型为 ,中心原子的价层电子对数为 ,单质 D 与湿润的 Na2CO3反应可制备D2A,其化学方程式为 。(5)A 和 B 能够形成化合物 F,其晶胞结构如图所示,晶胞参数,a0.566nm,F 的化学式为 :晶胞中 A 原子的配位数为 ;列式计算晶体 F 的密度(g.cm-3)。5化学选修 3:物质结构与性质碳及其化合物广泛存在于自然界中,回答下列问题:(1)处于一定空间运动状态的电子在原子核外出现的概率密度分布可用 形象化描述
7、。在基态原子中,核外存在 对自旋相反的电子。(2)碳在形成化合物时,其键型以共价键为主,原因是 。(3)CS2分子中,共价键的类型有 ,C原子的杂化轨道类型是 ,写出两个与 CS2具有相同空间构型和键合形式的分子或离子 。(4)CO 能与金属 Fe 形成 Fe(CO)5,该化合物的熔点为253K,沸点为 376K,其固体属于 晶体。碳有多种同素异形体,其中石墨烯与金刚石的晶体结构如图所示:在石墨烯晶体中,每个 C 原子连接 个六元环,每个六元环占有 个 C 原子。在金刚石晶体中,C 原子所连接的最小环也为六元环,每个 C 原子连接 个六元环,六元环中最多有 个 C 原子在同一平面。6化学选修
8、3:物质结构与性质砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:(1)写 出 基 态As原 子 的 核 外 电 子 排 布 式_。(2)根据元素周期律,原子半径 Ga_As,第一电离能 Ga_As。(填“大于”或“小于”)(3)AsCl3分子的立体构型为_,其中 As 的杂化轨道类型为_。(4)GaF3的熔点高于 1000,GaCl3的熔点为 77.9,其原因是_。(5)GaAs 的熔点为 1238,密度为 gcm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_,Ga与 As 以_键键合。Ga 和 As 的摩尔质量分别为MGa gmol-1和 MAs
9、gmol-1,原子半径分别为 rGa pm 和rAs pm,阿伏加德罗常数值为 NA,则 GaAs 晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_。二、综合题 7(选修 3 物质结构与性质)(15 分)VIA 族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含 VIA 族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:(1)S 单质的常见形式为 S8,其环状结构如下图所示,S 原子采用的轨道杂化方式是 ;(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离 子所需要的最低能量,O、S、Se 原子的第一电离能由大到小的顺序为 ;(3)Se 原子序数为
10、 ,其核外 M 层电子的排布式为 ;(4)H2Se 的酸性比 H2S (填“强”或“弱”)。气态 SeO3分子的立体构型 为 ,SO32-离子的立体构型试卷第 3 页,总 4 页 为 ;(5)H2SeO3的 K1和 K2分别为 2.7x l0-3和 2.5x l0-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为 1.2X10-2,请根据结构与性质的关系解释:H2SeO3和 H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:;H2SeO4比 H2SeO3酸性强的原因:(6)ZnS 在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方 ZnS 晶体结构如下图所示,其晶胞边长为 540.0 pm密度为
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