PCM测试培训资料PPT课件.ppt
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1、PCM 测试培训测试培训1概概 述述PCM PCM 测试的作用测试的作用测参数参数有什么作用参数有什么作用?建立器件模型制定出片标准监控工艺质量寻找低良原因2PCM PCM 设备类型设备类型CMOS/BICMOS/E2CMOS/BICMOS/E2等低压器件测试设备等低压器件测试设备:4070/4062/450/425;4070/4062/450/425;DMOSDMOS测试设备测试设备:FET3600(FET3600(兼顾兼顾CPCP测试和中测打点的功能测试和中测打点的功能)二极管测试设备二极管测试设备:APD01APD01概概 述述3三三 PCM PCM 测试系统结构测试系统结构控制终端控制
2、终端测测试试仪仪TESTER探探针针台台PROBER网线网线网线网线概概 述述开关矩阵开关矩阵和针卡和针卡电容仪电容仪万用表万用表脉冲发射器脉冲发射器4PCM程序描述4070:语言BASIC程序结构:子程序主程序PRINT文件LIMIT文件坐标文件TESTSUBS.6TESTSUBS.6TESTS.6TESTS.6printprintTSTLSTTSTLST/TLbkup/TLbkup.std.std产品测试程序产品测试程序:CODE名名TESTS.6TESTS.6printprintTSTLSTTSTLST/TLbkup/TLbkup.std.std5450程序描述:语言:C子程序主程序标准
3、测试模块LIMITFILE坐标文件产品测试程序产品测试程序:CODE名名pgmpgmklfklfplansplans.wdu.wduPLANSPLANSNMOS/PMOSNMOS/PMOS klf klf.wdu.wduPGMPGM cpf/wpf cpf/wpf6开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?测试需要的硬件配(电容仪/脉冲发生仪等)针卡信息针卡上的针间距是否可以与开发产品WAFER上的PAD间距一致;针卡上的针的个数与排列是否与开发产品WAFER上的PAD个数与排列一致测试电压电流要求PCM测试机台是否可以满足4070/4062:见后页450/425:200ma/200vFET36
4、00:5A/2000V740708945010PCM测试程序开发开发PCM程序需要提供什么资料?测试模块坐标测试电学条件参数规范11PCM程序开发需要填写的表单?E状态产品的更改路径:Fas920aFab1文件库特别共享PI电性测量课TD程序调试申请报表M/N/P/ER状态的更改使用路径,工作流路径:什么时候需要写什么时候需要写申请申请:单个产品更单个产品更改的时候改的时候,子程序子程序优化走优化走PCMPCM人员走人员走-PCCB-PCCB12程序开发完后PCM人员做什么?E状态产品:M/N/P/ER状态产品:EIP系统里会有附件附上.13PCM异常处理流程14PCM测试问题分析流程测试问题
5、反馈测试问题思考方向:针卡/机台/操作习惯/程序15经典案例分析450IOFF-弥补设备硬件差异MGLVP+测试问题-解决工艺缺陷VTFOX测试问题-TESTKEY设计问题导致PCM问题FAIRCHART扎偏移-找目标对测试的影响16450IOFF产品反映IOFF 450/4070测试值有台阶,导致工艺SPC不达标准17450IOFF为什么会有漏电类参数,450测试结果比4070漏电小的呢?18450IOFF检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用了皮安表19450IOFF优化程序解决问题20LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题,现在以在北京生产的ICET316/314尤为突出分析
6、认为是PCMTEST设计结构不合理导致PCM测试有问题MGLV P+测试问题2122MGLVP+测试问题-PCMP+测试结构备注:红色:备注:红色:N+;兰色:;兰色:P+;绿色:;绿色:ALALSIO2N+NSUB探针探针结论:因为设计规则的问题,导致当探针过重扎穿结论:因为设计规则的问题,导致当探针过重扎穿AL/SIO2(1100A)直)直接与接与N+连通,即发生漏电,电阻测量不出。当探针轻扎时,连通,即发生漏电,电阻测量不出。当探针轻扎时,P+是可以测是可以测试出来的,与实验吻合,见附录一。试出来的,与实验吻合,见附录一。23MGLVP+测试问题PCMN+测试结构备注:红色:备注:红色:
7、N+;兰色:;兰色:P+;绿色:;绿色:AL结论:因为设计规则的问题,导致当探针过重扎穿结论:因为设计规则的问题,导致当探针过重扎穿AL/SIO2(1100A)直)直接与接与N+连通,因为所接触的还是连通,因为所接触的还是N+,不会漏电,这就是,不会漏电,这就是N+从没有出现测从没有出现测量不出的原因量不出的原因ALSIO2N+PWELLNSUB24MGLVP+测试问题结论:因为模块设计问题,导致会有测试不出的问题发生,与PCM工艺无关25经过单点扎针测试经过单点扎针测试,发现当高度为发现当高度为310时时,测试结果为片子真实值测试结果为片子真实值(同一点同一点).针高针高=310=310De
8、fault_XDefault_XRs_pplusRs_pplusratioratio1 1768.311768.3111.118641.118642 2771.354771.3541.127121.127123 3771.354771.3541.136751.136754 4772.876772.8761.117651.117655 5777.44777.441.126051.126056 6772.876772.8761.127121.127127 7785.047785.0471.123971.123978 8774.397774.3971.117651.117659 9777.44777
9、.441.099171.09917附件一:PCM探针高度实验26同一片在310高度测试的结果05.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 710.5 0 0 UUU.U 500 90005.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 53.8 -33.17 26.05 105.9 581 53.8 .U.O 0 25025.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90025.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT -506.3 -192.2 130.3 2.3E+
10、04 443.7 130.3 UU.Oo 0 25012.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 814 0 0 0 0 U.UUU 500 90012.dat_5:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 2.4E+04 100.5 4.2E+04 2E+21 2E+21 4.2E+04 O.OOO 0 250发现有的点能测试出发现有的点能测试出,而有些点测不出而有些点测不出.加深为加深为311,则测试结果如下则测试结果如下:15.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 739.4 0 734.8 0 0 0 .U.UU 500 90015.
11、dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 721.1 713.5 0 744 713.5 U.U.500 90017.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 715.1 745.5 721.1 696.8 742.4 721.1 .500 900认为针的高度对测试结果有很重要的结果认为针的高度对测试结果有很重要的结果,但很难保证测试高度合适但很难保证测试高度合适17.dat_6:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90021.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 710.
12、5 0 0 748.5 0 U.UU.500 90022.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 705.9 709 0 744 705.9 U.U.500 90025.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 712 0 724.2 0 0 U.U.U 500 900加深为加深为312,则测试结果如下则测试结果如下:不难发现当针高由不难发现当针高由311变为变为312时时,17片的片的P+测试不出来测试不出来27TESTUFORCEI如上图所示,如上图所示,PPLUS RES 测试为范德堡测试方法。即在相邻两端加电流,测试为范德堡测试方法。即在相
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