理学金属有机化学.pptx
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1、因此,有用的金属有机化合物应该具有下列性质:易于生成配位饱和的络合物而得以分离纯化,同时其中的某个配体又极易在温和条件下解离生成配位不饱和的络合物而发生反应。对于18电子的配合物,反应首先是发生配体的解离,失去一个配体生成16电子配合物,并有空位供另一配体进行配位。对于16电子的配合物,则首先发生配位体的键合。18电子:16电子:第1页/共111页第2页/共111页 配位和解离按反应分类,与取代反应相似。因为络合催化反应中必然发生一个配体被另一个配体所取代的反应,称为配位取代反应。一般把易发生取代反应的络合物,称为取代活性络合物;把不易发生取代反应的络合物,称为取代惰性络合物。其反应机理也可分
2、为亲核取代反应(SN)和亲电取代反应(SE)两类。在过渡金属络合物中:低氧化态的过渡金属络合物电荷密度高,易与亲电试剂反应;而高氧化态的过渡金属络合物则相反,易和亲核试剂反应。第3页/共111页(2)平面四边形络合物配位体取代反应 平面四边形络合物,是金属有机络合物中被研究的较为深入的一类化合物,其在分子平面的上下方都有能够与配体结合的空位。许多d 8 构型如Ni(II),Pd(II),Rh(II)的配合物都是平面正方形络合物,金属的配位是不饱和的。取代过程为:即外加配体配位,中间体可以是四方锥形或三角双锥形,新配体进入离去配体的位置,配合物的构型不变。反应是高度立体专一的。第4页/共111页
3、 研究表明,平面四边形络合物中,一个配体离解的速度在很大程度上取决于其反式位置上的配体,顺式位置上的配体对其解离的速度几无影响,这种现象称为反位效应。如(PPh3)2PtCl(X)中,当Cl与X处于反位时,Cl被吡啶取代的相对速度为:不同基团的反位效应的顺序:第5页/共111页注意:1)常见配体的反位效应是 效应还是 效应占主要因素尚不清楚;2)H有很高的反位效应,使处于其反位的基团得以活化,在催化反应中很有用;3)反位效应是一个动力学现象,仅适用于平面四边形络合物,在合成设计上很有用。如第6页/共111页(3)配体的立体影响 影响配位和解离的因素主要是配体的立体效应和电子效应。对于配体的立体
4、影响,人们在以叔膦为配体的低原子价络合物的解离平衡方面作了详细的研究。第7页/共111页平衡常数Kd随配体的圆锥角 的增大而增大。第8页/共111页第9页/共111页第10页/共111页(4)电子的影响 配体与金属相互作用(电子的供给与反馈),可以用CO等其他配体的伸缩振动(IR)来估计:第11页/共111页须注意:1)不仅是配体的立体和电子效应的影响,不同的金属对配位和解离也是有影响的。如Kd 的大小次序为:这与金属的离子势次序相仿,但与反馈能力的次序正好相反。第12页/共111页2)利用不同金属和配体能够有效的控制反应进程。如R-与1 反应有2、3 二个可能的产物。当金属为Pd 时,由于P
5、d 的原子半径较大,双键与Pd 的距离较长,空间上允许生成双键在中间的化合物2;当金属为Ni 时,由于Ni 的原子半径较小,双键与Ni 的距离较短,只生成空间上不十分拥挤的末端双键络合物3。第13页/共111页当Ln 为dppf,M 为Pd 时,4 :5=91:9;M 为Ni 时,4 :5=19 :81。第14页/共111页(5)烯烃对过渡金属络合物的配位第15页/共111页第16页/共111页 烯烃配位后使烯烃活化。由正常的C=C 键长1.34,变成 1.40 1.47。第17页/共111页2.氧化加成和还原消除反应 过渡金属与A-B 型的化合物反应时,A-B键发生断裂,同时加成到过渡金属上
6、:其正反应称为氧化加成反应,逆反应称为还原消除反应。(1)氧化加成反应第18页/共111页须理解:A、氧化加成反应是生成M-C(H)键的重要方法。反应的结果是中心金属的氧化态和配位数都同时增加:B、只有那些配位不饱和或易达到配位不饱和状态的金属有机化合物才能发生氧化加成反应。如d6、d8、d10 构型的金属或离子:Cr、W、Fe、Ru、Os、RhI、IrI、Pd、Pt、PdII、PtII等,当它们形成饱和配合物时,分别以六配位(d2sp3)、五配位(dsp3)、四配位(sp3)键合形成络合物。第19页/共111页C、氧化加成的试剂可以分为:非极性或极性较低的:H2、RH、ArH、RCHO、R3
7、SiH、R3SnH等;亲电性的:HX、X2、RX、RCO2H、RCOX、RCN、SnCl4 等;加成后A-B 之间仍保留键合的:O2、CS2、SO2、RCH=CHR 等。第20页/共111页第21页/共111页1)H2的氧化加成 氢与有机化合物发生氧化加成反应时是一个协同的过程,即H-H键断裂的同时产生M-H键:加成以顺式方式进行,反应常得到动力学控制的顺式加成产物。H2 由侧位而非端位靠近,H 2 的成键轨道与金属的空轨道结合,金属的电子则反馈到其反键轨道,反应的同位素效应较小。上述反应是均相催化的重要一步,双氢络合物是催化反应中的真正活性中间体并进入催化循环。第22页/共111页 下面给出
8、一个单电子氧化反应的例子:反应物由五配位的d7 络合物到产物的六配位d6 络合物。2)C-X 键的氧化加成(i)反应是反式加成,一般*C发生构型反转;第23页/共111页反应经过低价金属向烷基进攻,生成过渡态:RS第24页/共111页(ii)卤代烯烃的氧化加成是构型保持的。(iii)卤代芳烃的氧化加成是对芳环的亲核取代。R为吸电子基对反应有利,且不同卤素的活性 I Br Cl。第25页/共111页(iv)若产物为消旋的,则可能是自由基机理。同时也观察到单电子转移反应的机理:3)C-H 键的氧化加成 C-H 键经氧化加成反应可以达到使C-H 键活化的作用,反应可能经过一个四中心的过渡态。第26页
9、/共111页(i)芳烃-H(ii)醛-H、活泼-H第27页/共111页(iii)饱和烃-H第28页/共111页举例:芳香烃的烯化第29页/共111页CO对芳烃的羰基化醛氢的反应I)Tischchenko 二聚反应 催化剂:RuH2(PPh3)4第30页/共111页II)脱羰反应:RhCl(PPh3)3第31页/共111页4)C-O 键的氧化加成羧酸酯:醚:第32页/共111页烯丙基断裂I)酯:可发生几种不同的反应:A.亲核取代第33页/共111页B.氢解反应C.1,3-迁移反应第34页/共111页D.-消除E.若有双中心阴离子,则有重排反应第35页/共111页第36页/共111页酸为乙酰乙酸中
10、性取代(碳酸酯)第37页/共111页第38页/共111页II)醚第39页/共111页酰氧键的断裂若R为Ar,反应可用来制备酮。第40页/共111页第41页/共111页若R 为脂肪族:可以NiCl2/Zn 替代Ni(cod)2第42页/共111页酸酐:第43页/共111页环氧化物:I)烯丙位的环氧化物A。重排B。中性条件下与亲核试剂反应第44页/共111页II)一般的环氧化物第45页/共111页5)其它氧化加成:C-C 键:O-H 键:第46页/共111页氢转移反应:卤代醇第47页/共111页其可能的机理为:第48页/共111页6)氧化的环化反应:生成金属杂环第49页/共111页(2)还原消除反
11、应(Reductive Elimination):A、B=R-or Ar-C-C CouplingA=H,B=R-C-H 键生成(氢化)A=H,B=acyl C-H 键生成(氢甲酰化)还原消除反应为顺式消除,构型保持:第50页/共111页还原消除反应的方法:i)吸电子烯烃(-酸)第51页/共111页ii)CO(最好的-酸)iii)Lewis acidiv)加热(热分解)第52页/共111页(3)插入和反插入反应 M-C 或M-H 键的插入反应是许多催化反应的基元反应,也是非常重要的反应。其通式如下R:R-,Ar-,X;A=B:C=C,-C=O,-C=N etc。:A=B::CO,:CN-R,:
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