模拟cmos集成电路设计拉扎维单级放大器二资料.pptx

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1、2上一讲放大器基础知识电阻做负载的共源级增益有非线性，电阻精度差或面积大A v =g m R D西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第1页/共57页3上一讲二极管接法的MOS 管做负载的共源级线性度好，输出摆幅小，增益不能太大（否则摆幅小、带宽小）Av =(W/L)1 1(W/L)2 1+A v =n(W /L)1 p (W /L)2西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第2页/共57页4上一讲电流源做负载的共源级增益大Av =gm ro1|ro2西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第3页/共57页W 5上一讲深线性区MOS管做负载的共源级输出摆幅大（可以为VDD）得到精准的Ron2比较困难；受工艺、

2、温度变化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较难RON 2 =nCox L 21(VDD Vb|VTHP|)Av =gm RON2西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第4页/共57页6上一讲带源极负反馈的共源级Rs使Gm和增益变为gm的弱函数，提高线性度输出电阻大ROUT =1+(gm +gmb)ro RS +ro牺牲了增益A v =G m R D=g m R D1+g m R S西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第5页/共57页VX 1Rout=7如何求“从M1源端看进去的电阻”？QV1=VX,IX gmVX gmbVX=0IX gm+gmb求从“？端看进去的电阻”，用同样方法西电微电子学院董刚

3、模拟集成电路设计第6页/共57页8本讲共漏级源跟随器共栅级共源共栅级折叠共源共栅级手算时器件模型和公式的选择西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第7页/共57页9源跟随器大信号特性西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第8页/共57页10源跟随器小信号特性增益西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第9页/共57页Av =11111源跟随器增益随Vin的变化Vout=1V时，时，=0.163 (当g m RS 足够大时)g m RS1+(g m +g mb)RS1+g m RS1+(1+g mbg m=)=1+(1+)g m RS2 2F+VSB西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第10页/共57页Av =

4、11112源跟随器增益的非线性Vout=1V时，时，=0.163 (当g m RS 足够大时)g m RS1+(g m +g mb)RS1+g m RS1+(1+g mbg m=)=1+(1+)g m RS2 2F+VSB西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第11页/共57页=v13源跟随器提高增益的线性度Av=gmRS gm gm1+(gm+gmb)RS 1+(gm+gmb)gm+gmbRS(当RS=时)仍存在非线性，因为（）gmb随Vin的变化而改变。A=1源随器通常有百分之几的非线性 1+西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第12页/共57页14源跟随器提高增益的线性度采用PMOS管做源随管

5、，消除体效应小信号等效电路Av=gm1(rO1 rO1)1+gm1(rO1 rO1)提高了线性度输出电阻比NMOS管的大西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第13页/共57页gmbAv =1gm115源跟随器考虑rO和RL后的增益1|ro1|ro2|RL|ro1|ro2|RL +gmb西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第14页/共57页16源跟随器小信号特性RinIinRin =VinI in低频下，Iin=0，因此，因此，Rin=西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第15页/共57页()17源跟随器小信号特性RoutRout=1g m+g mb输出电阻小驱动低阻负载时的阻抗转换电路VTH=VTH

6、 0+2F+VSB 2F西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第16页/共57页A v =18源跟随器PMOS管做源随管采用PMOS管做源随管，能消除体效应g m 1(rO 1 rO 1)提高了线性度1+g m 1(rO 1 rO 1)源-衬寄生电容降低带宽西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第17页/共57页19源跟随器PMOS管做源随管采用PMOS管做源随管，能消除体效应在相同W/L和ID情况下，比NMOS管的大管的大R out=1g mrO 1 r O 2 1g mR out,NMOS =g m1+g mb西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第18页/共57页20源跟随器摆幅问题源跟随器会使信号

7、直流电平产生VGS的平移，降低信号摆幅保证M1工作在饱和区VX VGS1 VTH保证M2、M3都工作在饱和区V X (VGS 3 VTH)+VGS 2西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第19页/共57页21源跟随器主要应用电压缓冲器输入阻抗大，输出阻抗小。在高输出阻抗电路（如电流源负载的共源级）驱动低阻负载时，插入源随器做电压缓冲级，实现阻抗转换电压平移电路VGS =VTH +VOV =2ICOXWL西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第20页/共57页22本讲共漏级源跟随器共栅级共源共栅级折叠共源共栅级手算时器件模型和公式的选择西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第21页/共57页23共栅级简介

8、源端输入直流耦合，交流耦合西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第22页/共57页饱和区1WL24共栅级大信号特性VbVTH线性区截止区饱和区时 Vout=VDD n COX2(Vb Vin VTH)2 R D西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第23页/共57页1WL25共栅级小信号特性增益Vout=VDD n COX2(Vb Vin VTH)2 R D求Vout /Vin，得：Av =g m(1+)RD从小信号等效电路可得到相同结果体效应使跨导增大西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第24页/共57页RD26共栅级考虑rO和RS影响后的增益根据基尔霍夫电流定律，列 Av =方程组可解得(gm +g

9、mb)ro+1ro+(gm +gmb)ro RS+RS+RD西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第25页/共57页27共栅级实例1求增益思路：利用戴维宁定理（等效电压源定理），把输入信号转换为带内阻的电压源的形式；再利用已知的Av公式Av =(gm +gmb)ro+1ro+(gm +gmb)ro RS+RS+RDRD西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第26页/共57页28共栅级实例1求增益西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第27页/共57页1 129共栅级实例1求增益Vin,eq =rO11rO1g mb1+g mb1 g m1VinReq =rO11g mb11g m1将结果带入右式中即可Av

10、 =(gm +gmb)ro+1ro+(gm +gmb)ro RS+RS+RDRD西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第28页/共57页=RP =RD RP30共栅级实例2求增益输入信号为电流信号 思路：用戴维宁定理，把输入电流信号转换为带内阻的电压源的形式；再利用实例1的结果Vout VoutIin Vin(gm+gmb)ro+1 ro+(gm+gmb)ro RP+RP+RD 西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第29页/共57页Vin31共栅级小信号特性Rin从M1管源端看进去的电阻求 ，得：Rin =1/gm(1+)Iin输入阻抗小西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第30页/共57页32共栅级

11、低Rin特性的应用根据传输线理论：对于50传输线，接收端匹配50电阻时，反射回来的能量最小，功率传输效率最高a结构电压增益为gm150;b结构为gm1RDRin =1/g m(1+),g m =2nCOX(W/L)I D西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第31页/共57页+33共栅级考虑rO后的Rin求VX/IX得RinRin =RD+rO RD 11+(g m+g mb)rO (g m+g mb)rO g m+g mb西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第32页/共57页+34共栅级考虑rO后的Rin只有当RD较小时，Rin才会较小当RD很大时，Rin会很大RD无穷大时，Rin无穷大Rin =

12、RD+rO RD 11+(g m+g mb)rO (g m+g mb)rO g m+g mb西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第33页/共57页35共栅级小信号特性Rout计算结果同带源极负反馈的共源级的RoutRout =1+(gm +gmb)ro RS +ro|RD输出电阻很大西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第34页/共57页36共栅级主要应用输入信号为电流信号的情形与共源级结合构成共源共栅级西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第35页/共57页37本讲共漏级源跟随器共栅级共源共栅级折叠共源共栅级手算时器件模型和公式的选择西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第36页/共57页38共源共栅级简

13、介共源级共栅级有重要应用西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第37页/共57页239共源共栅级偏置要求要求M1和M2都饱和区V b V ov 1 +V GS输入器件共源共栅器件V out V ov 1 +V ov 2西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第38页/共57页40共源共栅级大信号特性Vin大于VTH1后继续增大，则：ID增大，VGS2增大，VX减小，到一定值时M1或M2进入线性区，增益（Vout曲线斜率）减小西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第39页/共57页41共源共栅级小信号特性增益=0时A v =g m 1 R D与M2管的跨导和体效应无关西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第40页

14、/共57页42共源共栅级小信号特性Rout计算思路：负反馈电阻为rO1的共源级；输入信号内阻为RS的共栅级R out =1+(g m 2 +g mb 2)rO 2 rO 1 +rO 2M2管将M1管的输出阻抗提高为原来的（gm2+gmb2）rO2倍；有利于实现高增益西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第41页/共57页43共源共栅级小信号特性Rout增加共栅管的级数能进一步提高Rout：Rout (g m 3+g mb 3)rO 3 (g m 2+g mb 2)rO 2 rO1代价是减小信号摆幅：V out V ov 1 +V ov 2 +V ov 3Rout =1+(g m 3+g mb 3)

15、rO 3 从M2漏端看进去的电阻+rO 3=1+(g m 3+g mb 3)rO 3 1+(g m 2+g mb 2)rO 2 rO1+rO 2 +rO 3西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第42页/共57页44共源共栅级Rout的比较rO4rO约为（gmrO）rOrO =1 I D,1L相同ID下，（c）的Rout最大西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第43页/共57页45共源共栅级做理想电流源利用其高输出阻抗特性，实现接近理想特性的电流源A v g m 1 R out代价：输出摆幅减小Voutswing=VDD Vov1Vov2 Vov3 Vov4R out =1+(g m 2 +g mb

16、 2)rO 2 rO 1 +rO 2 1+(g m 3 +g mb 3)rO 3 rO 4 +rO 3 西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第44页/共57页1 V outmb 2 )rO 2共源共栅级屏蔽特性XXVout端有Vout的电压跳变时，表现在X点的电压跳变很小，屏蔽了输出节点对输入管的影响 V X =rO 11+(g m 2 +g mb 2 )rO 2 rO 1 +rO 2 V out(g m 2 +g 西电微电子学院董刚模拟集成电路设计46第45页/共57页47共源共栅级折叠式共源共栅共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流作为输入送到共栅级构成共源共栅级时共源管和共栅管类

17、型可以不同相同gm时，直流偏置电流大输入摆幅大西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第46页/共57页48共源共栅级折叠式共源共栅输入摆幅大西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第47页/共57页49共源共栅级折叠式共源共栅向上折叠向下折叠西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第48页/共57页50共源共栅级折叠式共源共栅Folded向上或向下折叠；小信号电流流向被改变西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第49页/共57页51共源共栅级折叠式共源共栅大信号特性ID2变为0西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第50页/共57页52共源共栅级折叠式共源共栅输出阻抗比非折叠共源共栅级小R out =1+(g m 2

18、 +g mb 2)rO 2(rO 1 rO 3)+rO 2西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第51页/共57页53共源共栅级主要应用优点输出阻抗高高增益屏蔽特性好不足输出摆幅受一定影响折叠共源共栅级直流功耗大应用电流源共源共栅OPA折叠共源共栅OPA等西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第52页/共57页54本讲共漏级源跟随器共栅级共源共栅级折叠共源共栅级手算时器件模型和公式的选择西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第53页/共57页55手算时器件模型和公式的选择器件模型复杂度不同，计算复杂度不同，结果的精度不同电路小信号分析或设计过程把复杂电路拆分成自己熟悉的子电路用最简单器件模型分析子电路的小信号特性节点为高阻抗节点时，才计入rO影响再考虑体效应影响直流偏置的估算开始可以不考虑体效应和沟长调制效应根据计算机仿真结果微调，以修正手算误差通过计算机仿真结果来优化所设计电路西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第54页/共57页56总结共漏级源跟随器共栅级共源共栅级折叠共源共栅级手算时器件模型和公式的选择西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第55页/共57页57作业3.15(a)，3.23，3.27分别应用本讲的三部分内容西电微电子学院董刚模拟集成电路设计第56页/共57页感谢您的观看。第57页/共57页