模电复习题学习.pptx
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1、解第1页/共78页1.2 当负载电阻RL=1k时,电压放大电路输出电压比负载开路(RL=)时输出电压减少20,求该放大电路的输出电阻Ro。解 第2页/共78页2.1电路如图所示,运放均为理想运放,求uO与uI1、uI2和uI3的运算关系。第3页/共78页解:第4页/共78页2.2如图,运放为理想运放,求uO与uI的运算关系。第5页/共78页解利用虚地VN=0和虚断iN=iP=0的概念,列出节点N和M的电流方程为 解上述方程组得 第6页/共78页2.3画出积分运算电路并写出输出表达式第7页/共78页2.4画出微分运算电路并写出输出表达式第8页/共78页2.5电路如图所示,运放为理想运放。求输出电
2、压与各输入电压的运算关系。R第9页/共78页2.6 电路如图所示,运放为理想运放。求输出电压的表达式。第10页/共78页解:第11页/共78页3.1二极管具有什么特性?理想二极管的正向电阻为多少?反向电阻为多少?稳压二极管应工作在什么状态?(单向导电性、0、反向击穿)3.2PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?(变宽)3.3二极管的正向电阻为5K,反向电阻为500K,该二极管的性能为(正常)。3.4PN结中扩散电流的方向是从(P)区(N)区,漂移电流的方向是从(N)区到(P)区。3.5在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。()3.6因为 N 型半导体的
3、多子是自由电子,所以它带负电。()3.7PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()3.8设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程是()第12页/共78页3.9写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 UD0.7V。解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V,UO62V。第13页/共78页四、已知稳压管的稳压值 UZ6V,稳定电流的最小值 IZmin5mA。求下图所示电路中 UO1 和 UO2 各为多少伏。解:UO16V,UO25V。第14页/共78页4.1BJT放大电路包括共射哪三种组态,其中哪种组态输出电阻最小?哪种组态无电压放大能力?共基(CB
4、)、共集(CC)、共射(CE)、共集、共集第15页/共78页4.2测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别VA=8V,VB=5V ,VC=5.7V,试判断BJT 的三个电极和管型。(A是集电极,B是发射电极,C是基电极;NPN型)4.3测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为VA=V,VB=V,VC=.2V,试判断BJT 的三个电极和管型(A是集电极,B是发射电极,C是基电极;PNP型)4.4测得NPN三极管的管脚电位分别为VB=3.7V,VE=3V,VC=3.3V,则三极管工作什么状态?(饱和)4.5测得NPN三极管的管脚电位分别为VB=3.7V,VE=3V,V
5、C=7V,则三极管工作状态为()。放大第16页/共78页4.6常用的BJT具有 作用,此时应工作在 状态;而FET管是一种 的有源器件,其二种特性曲线为 。(电流放大、放大、压控型、转移特性和漏极特性)4.7BJT电路中,输出电压与输入电压同相且有放大能力的组态是哪种?CB4.8多级放大电路的输出电阻等于()。最后一级的输出电阻 各级输出电阻之和 第一级的输出电阻 4.9二个NPN管组成的复合管,其电流放大倍数分别为80和50,则该复合管的电流放大倍数为多少?4000第17页/共78页4.10半导体三相管工作在放大状态时,测的二个极的电流如图所示。另一极电流的大小为 ;管脚 分别是 极 极和
6、极(0.03 mA、集电、发射、基)4.11NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太低,输出电压的波形会出现什么?截止失真4.12 NPN管共射放大电路中,输入为正弦波,输出为顶部失真,即()失真,原因是(),可采用()和()进行调节。截止、Q点太低、减小Rb、增大Rc4.13NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太高,输出电压的波形会出现什么失真?饱和失真 T1.5mA1.53mA第18页/共78页4.14BJT特性曲线常用 和 来表达。(输入特性曲线、输出特性曲线)4.15对于单管共射放大电路,当f=fH时,uO与ui的相位关系是();当f=fL时,uO与ui的相位关系是()。4.16当信号频
7、率等于放大电路中的fL时,增益将比中频时下降多少?db第19页/共78页4.17电路如下图所示,已知BJT的=40,VBE=0。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号等效电路图;(3)估算电路的电压放大倍数AV。第20页/共78页解(1)IBVCC/Rb=12/300=0.04mA IC=IB=400.04=1.6mA VCE=VCC-ICRC=12-1.64=5.6V (2)(3)rbe=200+(1+)26/IE=200+(1+40)26/1.6=0.866K AV=-RC/rbe=-404/0.866=-185 第21页/共78页4.18如图,RC=2K,Re=600,Rb=200K
8、,VCC=15V,=40 ,UBE=0.7V,rbe=800,试估算放大电路的Q点画出微变等效电路计算Au、Ri和R0。第22页/共78页解(1)由VCC=IBRb+VBE+(1+)IBRe得:IB=(VCC-VBE)/Rb+(1+)Re=(15-0.7)/200+(1+40)0.6=0.063mA IC=IB=400.063=2.54mA VCE=VCC-IC(RC+Re)=15-2.54(2+0.6)=8.4V (2)(3)AV=-RC/rbe+(1+)Re=-402/0.8+(1+40)0.6=-3.1 Ri=Rbrbe+(1+)Re=2000.8+(1+40)0.6=22.5K Ro=
9、RC=2 K 第23页/共78页4.19如图,T管放大倍数为=80,VBE=0,=200.(1)用估算公式法求Q点(2)求电压增益Av、Ri和Ro第24页/共78页解:(1)VB=2016/(20+60)=4V ICIE=4/2=2mA IB=2/800=0.025mA=25A VCE=16-2(3+2)=6V Ri=60201.251.15K Ro=Rc=3K 第25页/共78页4.20如图:T管放大倍数为=80,rbe=1K.(1)求电压增益Av、Ri和Ro(2)如电容C开路,定性分析Av、Ri和Ro如何变化?第26页/共78页解:Ri=Rb1Rb2rbe+(1+)Re1 =2551+(1
10、+80)0.3=3.4K Ro=RC=5 K (2)Av减小;Ri增大;Ro不变。第27页/共78页4.21 BJT工作在放大区时,发射结()偏置,集电结()偏置;工作在饱和区时,发射结()偏置,集电结()偏置。正向 反向 正向 正向第28页/共78页4.22某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率PCM200mW,试画出它的过损耗区。解:根据 PCM200mW 可得:UCE40V 时 IC5mA,UCE30V 时 IC6.67mA,UCE20V 时 IC10mA,UCE10V 时 IC20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。第29页/
11、共78页5.1为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?为什么MOSFET的输入电阻比JFET还高?答:这是由于BJT的发射极处于正向偏置状态,JFET栅源间的PN处于反向偏置状态,MOSFET的栅极处于绝缘状态。5.2场效应管的输入电阻很(大)。5.3 UGS0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有(A C)。A.结型管 B.增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管5.4测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态。(恒流区、截止区、可变电阻区)第30页/共78页5.5结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受(反向)电压,才
12、能保证其 RGS 大的特点。5.6已知放大电路中一只 N 沟道场效应管三个极、的电位分别为 4V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS 管、增强型、耗尽型),并说明 、与 G、S、D 的对应关系。解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极、与 G、S、D 的对应关系如图所示。第31页/共78页6.7已知某结型场效应管的 IDSS2mA,UGS(off)4V,试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出预夹断轨迹。解:根据方程 逐点求出确定的 uGS 下的 iD,可近似画出转移特性和输出特性;在输出特性中,将各条曲线上 uGDUGS(off)的点连接起
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