模拟集成电路基本单元.pptx
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1、双极型镜像电流源1基本镜像电流源带缓冲级的镜像电流源 第1页/共50页2威尔逊电流源求动态内阻R0增大动态内阻R0第2页/共50页3NMOS基本电流镜 MOS电流镜多支路比例电流镜 第3页/共50页4MOS威尔逊电流镜改进结构(使M2和M3工作状态相同)VG2IO VG2 VGS1 IO 第4页/共50页第八章 模拟集成电路基本单元8.1 电流源电路设计8.2 基准电压源设计8.3 单端反相放大器电路设计 8.4 差分放大器电路设计8.5 运算放大器电路8.6 振荡器 8.7 D/A与A/D转换5第5页/共50页6三管能隙基准源8.2 基准电压源设计第6页/共50页7CMOS基准电压源电压差与
2、温度成正比的结构温度补偿CMOS基准电压电路第7页/共50页第八章 模拟集成电路基本单元8.1 电流源电路设计8.2 基准电压源设计8.3 单端反相放大器电路设计 8.4 差分放大器电路设计8.5 运算放大器电路8.6 振荡器 8.7 D/A与A/D转换8第8页/共50页有源电阻IC中,MOS器件的有源电阻常用来代替扩散电阻或多晶硅电阻,可以大大节省面积。工作在线性区和饱和区的MOS管都可以做有源电阻,饱和区可以获得较大阻值。另一种形式“二极管连接”(栅-漏相连)9I+_VVTIV第9页/共50页108.3 单端反相放大器电路设计纯电阻负载纯电阻负载NMOS共源放大器共源放大器截止截止饱和饱和
3、线性线性饱和饱和线性线性单位面积栅电容单位面积栅电容第10页/共50页118.3 单端反相放大器电路设计饱和饱和NMOS负载共源放大器负载共源放大器等效电阻值比较小,等效电阻值比较小,VT2管工作在饱和做负载管工作在饱和做负载VT2管管G、D电位固定,电位固定,S输出输出第11页/共50页128.3 单端反相放大器电路设计二极管连接二极管连接NMOS负载共源放大器负载共源放大器第12页/共50页138.3 单端反相放大器电路设计E/D NMOS共源放大器共源放大器VT2管为耗尽型管为耗尽型沟道电阻受衬底偏置影响沟道电阻受衬底偏置影响第13页/共50页148.3 单端反相放大器电路设计PMOS负
4、载共源放大器负载共源放大器PMOS管管VT2工作在饱和,没有衬底偏置效应。工作在饱和,没有衬底偏置效应。第14页/共50页158.3 单端反相放大器电路设计二极管连接二极管连接PMOS负载共源放大器负载共源放大器PMOS管管VT2作二极管连接,没有衬底偏置效应。作二极管连接,没有衬底偏置效应。第15页/共50页16CMOS推挽放大器在在正正常常工工作作情情况况下下,两两管管均均工工作作在在饱饱和和状状态态。对对于于交交流流信信号号而而言言,两两个个管管子处于并联连接。子处于并联连接。输出电阻输出电阻=r01/r02跨导跨导=g1+g2第16页/共50页17共栅放大器线性边界:线性边界:关断关断
5、饱和饱和线性线性第17页/共50页18共栅放大器饱和状态小信号增益饱和状态小信号增益共栅放大器获得同相放大,且体效应增大了增益。共栅放大器输入电阻较低。还可以通过电容耦合构成共栅放大器。第18页/共50页19共栅共源放大器为了保证为了保证VT1和和VT2均工作在饱和均工作在饱和Vout1降到比降到比Vin低一个低一个VT1,迫使,迫使VT1进入线性区进入线性区Vout 降到比降到比VB低一个低一个VT2,迫使,迫使VT2进入线性区进入线性区输出阻抗高输出阻抗高频带宽频带宽输出摆幅小输出摆幅小可可以以采采用用折折叠叠方方式式解解决决摆摆幅幅小小的的问问题题第19页/共50页第八章 模拟集成电路基
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- 模拟 集成电路 基本 单元
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