核磁共振波谱法详细解析.pptx
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1、一、一、核磁共振和核磁共振波谱法核磁共振和核磁共振波谱法1.1.核磁共振核磁共振(NMR):):概概 述述在外磁场的作用下,具有磁矩的原子核在外磁场的作用下,具有磁矩的原子核存在着不同能级,当用一定频率的射频照射存在着不同能级,当用一定频率的射频照射分子时,可引起原子核自旋能级的跃迁,即分子时,可引起原子核自旋能级的跃迁,即产生核磁共振。产生核磁共振。第第1页页/共共91页页2.2.核磁共振波谱:核磁共振波谱:以核磁共振信号强度对照以核磁共振信号强度对照射频率(磁场强度)作图,所得图谱。射频率(磁场强度)作图,所得图谱。3.3.核磁共振波谱法:核磁共振波谱法:利用核磁共振波谱对物利用核磁共振波
2、谱对物质进行结构测定、定性和定量分析的质进行结构测定、定性和定量分析的方法。方法。概概 述述第第2页页/共共91页页UV-Vis 200-760nm 紫外可见光紫外可见光 价电子跃迁价电子跃迁IR 2.5-25m 红外线红外线 振动转动能级跃迁振动转动能级跃迁 NMR 0.6-30m 无线电波无线电波 原子核自旋能级跃迁原子核自旋能级跃迁 概概 述述二、二、NMR与与UV、IR的区别的区别 1.1.照射的电磁辐射频率不同,引起的跃迁类型不同照射的电磁辐射频率不同,引起的跃迁类型不同第第3页页/共共91页页UV、IR测定测定A(T)NMR共振吸收法共振吸收法共振吸收法:利用原子核在磁场中,核共振
3、吸收法:利用原子核在磁场中,核自旋能级跃迁时自旋能级跃迁时核磁矩方向改变产生感应核磁矩方向改变产生感应电流电流来得到来得到NMR信号。信号。2.2.测定方法不同:测定方法不同:第第4页页/共共91页页三、核磁共振波谱法的应用三、核磁共振波谱法的应用1.1.测定有机物结构:化学及立体结构(构型、构像、测定有机物结构:化学及立体结构(构型、构像、互变异构)互变异构)2.2.医学:核磁共振成像技术(医疗诊断)医学:核磁共振成像技术(医疗诊断)3.3.生化:生物大分子、酶结构测定生化:生物大分子、酶结构测定 概概 述述第第5页页/共共91页页质子类型(质子类型(-CH3,-CH2,CH,Ar-H)和所
4、处)和所处的化学环境;的化学环境;H分布情况分布情况;核间的关系。核间的关系。缺点:缺点:不含不含H基团无基团无 NMR信号信号,化学环境相近化学环境相近的烷烃,难区别的烷烃,难区别四、四、1H-NMR和和 13C-NMR 给出的结构信息给出的结构信息1H-NMR:13C-NMR:丰富的丰富的C骨架信息骨架信息第第6页页/共共91页页第一节第一节 基本原理基本原理1.1.自旋分类自旋分类一一 、原子核的自旋、原子核的自旋 原子核:质子和中子组成的带正电荷的粒子。原子核:质子和中子组成的带正电荷的粒子。原子核自旋运动与原子核自旋运动与自旋量子数自旋量子数I I有关。有关。I I与原子核的与原子核
5、的质量数质量数和和电荷数电荷数(原子序数原子序数)有关。有关。第第7页页/共共91页页第一节第一节 基本原理基本原理 1.自旋分类自旋分类 自旋量子数自旋量子数I 偶数偶数 偶数偶数 I=0 奇数奇数 奇偶数奇偶数 I为半整数为半整数,1/2,3/2 偶数偶数 奇数奇数 I为整数为整数,I=1,2,3,*I=1/2的的核核质量数质量数 电荷数电荷数 自旋量子数自旋量子数 如:如:,如:如:,第第8页页/共共91页页 I 0核,自旋产生核磁矩核,自旋产生核磁矩,核磁矩的方向服,核磁矩的方向服从右手法则,其大小与自旋角动量成正比。从右手法则,其大小与自旋角动量成正比。原子核有自旋现象,因而有自旋角
6、动量:原子核有自旋现象,因而有自旋角动量:2.核磁矩核磁矩()()第第9页页/共共91页页磁矩方向:右手螺旋法则磁矩方向:右手螺旋法则 为磁旋比,是原子核为磁旋比,是原子核的特征常数。的特征常数。2.核磁矩核磁矩()()第第10页页/共共91页页(一一)核自旋能级分裂核自旋能级分裂在无外加磁场时,自旋核磁矩的取向是任意的;在无外加磁场时,自旋核磁矩的取向是任意的;若将原子核置于磁场中,核磁矩可有不同的排列,若将原子核置于磁场中,核磁矩可有不同的排列,共有共有 2I+1 个取向;个取向;每一种取向用磁量子数每一种取向用磁量子数m表示,则表示,则m=I,I-1,I-2,-I+1,-I。二、原子核的
7、自旋能级和共振吸收二、原子核的自旋能级和共振吸收第第11页页/共共91页页氢核磁矩的取向氢核磁矩的取向顺磁场顺磁场 低能量低能量 逆磁场逆磁场 高能量高能量例:例:I=1/2时,时,即:即:第第12页页/共共91页页例:例:I=1时,时,I I=1=1 氢核磁矩的取向氢核磁矩的取向个取向,个取向,m=1,0,-1即:即:第第13页页/共共91页页核磁矩在外磁场空间的取向不是任意的核磁矩在外磁场空间的取向不是任意的,是量是量子化的,这种现象称为子化的,这种现象称为空间量子化空间量子化。用用Z表示不同取向核磁矩在外磁场方向的投影。表示不同取向核磁矩在外磁场方向的投影。核磁矩的能量与核磁矩的能量与z
8、和外磁场强度和外磁场强度H0有关:有关:第第14页页/共共91页页 在外加磁场中,自旋核发能级分裂,能级差和在外加磁场中,自旋核发能级分裂,能级差和H0成正比成正比0H0H0=0m=-1/2m=1/2E(一)核自旋能级分裂(一)核自旋能级分裂不同取向的核具有不同的能级,不同取向的核具有不同的能级,I=1/2:m=1/2 的的z 顺磁场,能量低;顺磁场,能量低;m=1/2的的 z 逆磁场,能量高。逆磁场,能量高。第第15页页/共共91页页(二)原子核的共振吸收(二)原子核的共振吸收z0自旋轴自旋轴回旋轴回旋轴原子核的进动原子核的进动陀螺的进动陀螺的进动原子核原子核1.进动进动 外加磁场外加磁场H
9、0,第第16页页/共共91页页共振吸收与弛豫共振吸收与弛豫第第17页页/共共91页页m=1,跃迁只能发生在两个相邻能级间跃迁只能发生在两个相邻能级间m=+1m=-1(低低能能 态)态)(高高能能态)态)第第18页页/共共91页页三、自旋驰豫三、自旋驰豫驰豫历程:驰豫历程:激发核通过非辐射途径损失能量而恢复至基态激发核通过非辐射途径损失能量而恢复至基态的过程,是维持连续的过程,是维持连续NMR信号必不可少的过程。信号必不可少的过程。例:例:I=1/2核,核,T=300K,H0=1.4092T:Boltzmann分布:分布:第第19页页/共共91页页 低能态核数低能态核数n+仅比高能态核数仅比高能
10、态核数n-多十万分之一多十万分之一 当当n-=n+时,时,NMR信号消失信号消失饱和饱和 外磁场外磁场H0/温度温度,n-/n+,对测定有利,对测定有利自旋晶格驰豫:自旋晶格驰豫:处于高能态的核自旋体系将能量传递处于高能态的核自旋体系将能量传递给周围环境(晶格或溶剂),自己回到低能态的过程给周围环境(晶格或溶剂),自己回到低能态的过程自旋自旋驰豫:自旋自旋驰豫:处于高能态的核自旋体系将能量传处于高能态的核自旋体系将能量传递给邻近低能态同类磁性核的过程递给邻近低能态同类磁性核的过程三、自旋驰豫三、自旋驰豫第第20页页/共共91页页*2.共振吸收条件共振吸收条件0 即照射的无线电波的频率必须等于核
11、进动频率,即照射的无线电波的频率必须等于核进动频率,才能发生核自旋能级跃迁。才能发生核自旋能级跃迁。例:氢例:氢(1H)核:核:H0=1.4092T,=60MHz,吸收,吸收0=60MHz无线电波,核磁矩由顺磁场无线电波,核磁矩由顺磁场(m=1/2)跃跃迁至逆磁场迁至逆磁场(m=-1/2)共振吸收共振吸收。实现核磁共振就是改变照射频率或磁场强度。实现核磁共振就是改变照射频率或磁场强度。第第21页页/共共91页页第三节 化学位移一、屏蔽效应一、屏蔽效应 H0=1.4092T,=60MHz 实验发现:由于实验发现:由于H核周围的化学环境不同,核周围的化学环境不同,H核发生共核发生共振吸收时,共振频
12、率微小的差异。振吸收时,共振频率微小的差异。NMR通过通过微小的差异微小的差异化学位移不同,推测化学位移不同,推测H周围的周围的化学环境化学环境H0一定时一定时照射照射 0=所有所有H核吸收相同频率的光波核吸收相同频率的光波无意义?无意义?第第22页页/共共91页页H0感应磁场方向感应磁场方向核核绕核电子在外加磁场绕核电子在外加磁场的诱导下产生与外加的诱导下产生与外加磁场方向相反的感应磁场方向相反的感应磁场(次级磁场、抗磁场(次级磁场、抗磁场)磁场)屏蔽效应:由于感应磁场的存在,使原子核实受磁屏蔽效应:由于感应磁场的存在,使原子核实受磁场强度稍有降低场强度稍有降低一、屏蔽效应一、屏蔽效应第第2
13、3页页/共共91页页 H=(1-)H0 屏蔽常数,屏蔽常数,与被研究核的核外电子云密度有关与被研究核的核外电子云密度有关电子云密度电子云密度,屏蔽效应屏蔽效应扫频(扫频(H0一定):一定):的核的核,低频端(右端)低频端(右端)扫场(扫场(一定一定):):的核,需的核,需H0较大才能较大才能 共振,共振峰出现在高场(右端)共振,共振峰出现在高场(右端)一、屏蔽效应一、屏蔽效应第第24页页/共共91页页(高频)(高频)(低频)(低频)左端为低场高频,右端为高场低频左端为低场高频,右端为高场低频(低场)(低场)(高场)(高场)10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1
14、.0 0ppm()C6H560000438Hz例:例:C6H5CH2CH3CH260000216HzCH360000126Hz TMS60MHzH0=1.4092T0 固定固定第第25页页/共共91页页1.定义:定义:由于屏蔽效应的存在,不同化学环境由于屏蔽效应的存在,不同化学环境 H核共振频率不同核共振频率不同 2.表示方法表示方法采用相对值的原因:采用相对值的原因:绝对值不易测得;绝对值不易测得;对于同一核,对于同一核,H0不同时,不同时,不同,不便于比较,采不同,不便于比较,采用相对值用相对值与与H0无关。无关。二、化学位移二、化学位移第第26页页/共共91页页例:例:CH3Br,标准物
15、:四甲基硅烷标准物:四甲基硅烷TMS H0=1.4092T,CH3=60MHz+162Hz,TMS=60MHz二、化学位移二、化学位移第第27页页/共共91页页 H0=2.3487T,CH3=100MHz+270Hz,TMS=100MHz 横座标用横座标用表示,表示,TMS的的=0(最右端最右端),向左增大向左增大二、化学位移二、化学位移第第28页页/共共91页页3.常用标准物:常用标准物:TMS (CH3)4Si 12个个H化学环境相同,单峰化学环境相同,单峰 最大(屏蔽大,最大(屏蔽大,=0),出现在最低频端),出现在最低频端不与其他化合物发生反应不与其他化合物发生反应易溶于有机溶剂,沸点
16、低易溶于有机溶剂,沸点低4.H谱常用溶剂:谱常用溶剂:D2O,CDCl3二、化学位移二、化学位移第第29页页/共共91页页内部因素(分子结构因素):内部因素(分子结构因素):局部屏蔽效局部屏蔽效应、磁各向异性效应和杂化效应等应、磁各向异性效应和杂化效应等外部因素:外部因素:分子间氢键和溶剂效应等。分子间氢键和溶剂效应等。三、化学位移的影响因素三、化学位移的影响因素第第30页页/共共91页页电负性电负性,吸电子能力,吸电子能力,H核电子云密度核电子云密度,(去磁屏蔽效应),去磁屏蔽效应),三、化学位移的影响因素三、化学位移的影响因素 1.局部屏蔽效应:氢核核外成键电子云产生的抗磁局部屏蔽效应:氢
17、核核外成键电子云产生的抗磁屏蔽效应(相邻基团的电负性影响)。屏蔽效应(相邻基团的电负性影响)。CH3XCH3FCH3OHCH3ClCH3BrCH3ICH4(CH3)4SiX电负性电负性F4.04.26O3.53.40Cl3.13.05Br2.82.68I2.52.16H2.10.23Si1.80第第31页页/共共91页页正屏蔽区(正屏蔽区(+):次级磁场磁):次级磁场磁力线与外加磁场方向相反,力线与外加磁场方向相反,实受实受H降低,降低,屏蔽效应屏蔽效应,右移。,右移。峰右移峰右移峰左移峰左移+苯环苯环 电子诱导环流电子诱导环流次级磁场次级磁场HH0H0H0H负负/去屏蔽区(去屏蔽区(-):次
18、级磁场):次级磁场磁力线与外加磁场方向相同,磁力线与外加磁场方向相同,实受实受H增强,增强,屏蔽效应屏蔽效应,左移。,左移。2.2.磁各向异性:磁各向异性:键产生的感应磁场,其强度及正负具有方向性,分子中键产生的感应磁场,其强度及正负具有方向性,分子中H H所处的空间位置不同,屏蔽作用不同的现象所处的空间位置不同,屏蔽作用不同的现象 第第32页页/共共91页页C=O+双键上下方形成双键上下方形成正屏蔽区正屏蔽区,平面上产生平面上产生负屏蔽区。负屏蔽区。醛醛H、低场(乙醛、低场(乙醛=9.69)烯烯H:去屏蔽效应:去屏蔽效应 =5.252 2)双键()双键(C=O及及C=C)H0第第33页页/共
19、共91页页3 3)叁键()叁键(CC)H-C C-RH0+键轴方向上下:键轴方向上下:正屏蔽区正屏蔽区与键轴垂直方向:与键轴垂直方向:负屏蔽区负屏蔽区乙炔氢乙炔氢=2.88 正屏蔽区正屏蔽区乙烯氢乙烯氢=5.25 负屏蔽区负屏蔽区第第34页页/共共91页页3 3)芳环体系)芳环体系第第35页页/共共91页页酸类酸类 R-COOH 10 12酚类酚类 ArOH 4 7酰胺酰胺 RCONH2 5 8醇、伯胺醇、伯胺 0.5 5变动的化变动的化学位移学位移 3.H键影响:核外电子云密度键影响:核外电子云密度,-OH在无在无H键时键时 0.5 1浓溶液,浓溶液,H键时键时 4 5氢键形成与温度、浓度及
20、溶剂极性有关氢键形成与温度、浓度及溶剂极性有关第第36页页/共共91页页四、四、几类质子的化学位移几类质子的化学位移第第37页页/共共91页页 芳氢芳氢78烯氢烯氢56炔烃炔烃23烷烃烷烃01 次甲基次甲基1.55;亚甲基;亚甲基1.20;甲基;甲基0.87 -COOH 1112 -RCHO 910 ArOH 45 ROH 0.55 RNH2 0.55 四、四、几类质子的化学位移几类质子的化学位移第第38页页/共共91页页 -OCH3 3.34.0;-OCH2-4.04.3;-CO-CH3 1.92.6;-CO-CH2 2.02.4;COCH2CO3.6 ArCH3 2.32.5;ArCH2
21、2.53.1;第第39页页/共共91页页第四节第四节 偶合常数偶合常数乙苯乙苯NMR谱谱 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 (ppm)TMS-CH3-CH2-523c一、自旋偶合与自旋分裂一、自旋偶合与自旋分裂 屏蔽效应对屏蔽效应对NMR的峰位有重要影响的峰位有重要影响 各核的核磁矩间的相互作用将影响峰形各核的核磁矩间的相互作用将影响峰形第第40页页/共共91页页1.1.自旋自旋自旋偶合:自旋偶合:核自旋产生的核磁矩间的相互干扰核自旋产生的核磁矩间的相互干扰2.2.自旋自旋自旋分裂:自旋分裂:由自旋偶合引起的共振峰裂分的现象由自旋偶合引起的共振峰裂分的现象 偶
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