基于2QD15A17K.docx

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1、基于2QD15A17KIGBT损坏的原因一般有过流、过压、过热3个方面。过压又分集电极发射极过压，门极发射极过压。在过流保护方面很多消费厂家的技术资料说明：IGBT短时间最大可承受两倍的额定电流但是经常承受过电流会使器件过早老化。从图3可以发现。如门极驱动信号的幅值为15V，当IGBT通过450A的额定电流时，管压降大约为2.65V。根据这一特性，可以设计出IGBT过流保护电路。图22QD15A17K-C典型保护电路如图2所示为2QD15A17K-C典型的保护电路，按照该电路的构造，对参数的配置予以计算。由图可见，当IGBT关断时，VT1导通比拟器同相端为0，此时150A电流经过Rth在比拟器

2、反相端形成一个基准电位，此时比拟器输出为低电平。当IGBT开通时，监测管关断，此时基准电位仍然存在，1.4mA电流经过电容C延时后经过电阻Rm、VDM1、VDM2、IGBT后进入参考地。因此在比拟器的同相端形成一个电位，其幅值由电阻Rm压降VRm，二极管VDM1、VDM2压降VD以及IGBT压降UCE共同决定，而VRm、VD为确定值，所以在比拟器同相端的电位就决定于VCE。由图1可知在某一确定型号的IGBT，通态条件下其两端电压与通过的电流有一定的曲线关系。流过IGBT的电流增大，IGBT两端电压VCE也随之增大，当VCE增大到使比拟器同相端电位高于反相端电位时，比拟器输出翻转，进而封闭IGB

3、T驱动脉冲。电路参数可按如下计算：由于IGBT可以短时承受两倍额定电流，所以在实际应用中可以适中选取。在IGBT导通的瞬间，IGBT两端电压VCE不会立即进入稳态，而是由一个短时的过度过程，在这个阶段IGBT保护电路会发出错误的检测信号。当加电容C延时后，IGBT保护电路就可以避开这一过度过程，实现正确的保护功能。而且此电容还可以在一定程度上滤掉VCE上的外界干扰信号，减少了保护误动的发生率。C的参数计算如下：42QD15A17K-C简介及应用图32QD15A17K-C外观、尺寸图4.12QD15A17K-C驱动模块介绍2QD15A17K-C驱动模块深圳青铜剑电力电子科技有限公司为1700V及

4、以下电压IGBT模块的可靠工作和平安运行而设计的驱动模块，它以专用芯片组为根底、外加必须的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式，能同时驱动两个IGBT模块，可提供15V的驱动电压和15A的峰值电流，具有准确可靠的驱动功能与灵敏可调的过流保护功能，同时可对电源电压进展欠压检测，工作频率可达100kHz，电气隔离可到达4500VAC。图42QD15A17K-C功能框图图3为2QD15A17K-C外观图和尺寸图，图4为2QD15A17K-C功能框图，它主要由DC/DC转换电路、输入处理电路、驱动输出及逻辑保护电路组成。DC/DC转换电路的功能是将输人局部与工作局部进展隔离。输入处理电路包括脉冲

5、信号处理模块、故障检测模块和半桥逻辑模块组成。由于控制电路产生的PWM信号不能直接通过脉冲变压器，尤其是当脉冲信号的频率和占空比变化较大时，尤为困难。脉冲信号处理模块就是专门为此而设计的，此模块的功能主要是对输人的PWM信号进展编码，以使之可通过脉冲变压器进展传输。由于该模块内部带有施密特触发器，因此对输人端信号无特殊的边沿陡度要求，并能提供准静态的状态信号反应。将其设计为集电极开路方式，可以适应任何电平逻辑，并可直接产生死区时间。以上优点使得接口既易用又灵敏，进而省去了其它专用电路所必须的很多外围器件。驱动输出及逻辑保护电路包括脉冲信号处理模块、脉冲存储模块、欠压保护模块。这三个模块包括变压器接口、过流短路保护、阻断逻辑生成、反应状态记录、供电监视和输出阶段识别等功能。每三个模块用于一个通道，其详细功能是对脉冲变压器传来的PWM信号进展解码，对PWM信号进展功率放大，对IGBT的短路、过流及电源的欠压检测保护，并向输入端反应状态，以产生短路保护的响应时间和阻断时间等。