第1章二极管、三极管和MOS管精品课件.ppt

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1、1.21.2 晶体三极管晶体三极管 1.31.3 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管 1.1 1.1 晶体二极管晶体二极管第一章第一章第一章第一章 半导体二极管、半导体二极管、半导体二极管、半导体二极管、三极管和三极管和三极管和三极管和MOSMOSMOSMOS管管管管第1章上页下页返回杆煌鹏垃却摩直宪诛嘴怯王久薄耳猫雨琢匠冠或粥懒辅汉桩腮羔棠幢哑粥第1章二极管、三极管和MOS管ch11.1.21.1.2 二极管的特性和主要参数二极管的特性和主要参数 1.1.31.1.3 二极管的电路模型二极管的电路模型1.1.41.1.4 稳压二极管稳压二极管 1.1.11.1.1 PNPN结及其单向导电性结及其单

2、向导电性1.1 1.1 1.1 1.1 晶体二极管晶体二极管晶体二极管晶体二极管第1章上页下页返回峦亏妨涤咨栖植卤厄尿西喊臃侥糠擎问辅培馁叶鸿姚篱唐对困辉付冰卒剁第1章二极管、三极管和MOS管ch11 1.本征半导体本征半导体 完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征本征半导体半导体。它具有共价键结构。锗和硅的原子结构锗和硅的原子结构锗和硅的原子结构锗和硅的原子结构单晶硅中的共价键结构单晶硅中的共价键结构单晶硅中的共价键结构单晶硅中的共价键结构价价电电子子硅原子硅原子第1章上页下页返回1.1.11.1.1 PNPNPNPN结及其单向结及其单向结及其单向结及其单向导电特性导电特性导电特性导电特性侵

3、榷烛涸垣砚摧恬太与呵也浅宅新辽愧联庶凛走煌肮忱申氧惶影躺设窄驮第1章二极管、三极管和MOS管ch1 在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电。空穴和自由电子都称为载流子。载流子。它们成对出现，成对消失。在常温下自由电子和空穴的形成在常温下自由电子和空穴的形成复合自由电子自由电子本征本征激发激发第1章上页下页返回空穴空穴嗜哗焚峰烁姓磁防弛茫脑爹椿慷竭甜昼胸座丹谦福柿部航示殊爆毫昨耕浚第1章二极管、三极管和MOS管ch12.2.N N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体原理图P自由电子自由电子结构图结构图磷原子磷原子正离子正离子P+在硅或锗中掺在硅或锗中掺入少量的五价元入少量的五价元素，如磷

4、或砷、素，如磷或砷、锑，则形成锑，则形成N型型半导体。半导体。多余价电子多余价电子少子少子多子多子正离子正离子在在N N型半导体中，电子是多子，空穴是少子型半导体中，电子是多子，空穴是少子第1章上页下页 N N型半导体型半导体返回批敲亲惊率燎江魂抚抓捌泛锑杰岸雄筒免吾袜罩掖痕檄渤睡拙碍尉树哄扯第1章二极管、三极管和MOS管ch1 P P型半导体型半导体 在硅或锗中在硅或锗中掺入三价元素，掺入三价元素，如硼或铝、镓，如硼或铝、镓，则形成则形成P P型半导型半导体。体。原理图原理图BB-硼原子硼原子负离子负离子空穴空穴填补空位填补空位结构图结构图在在P P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。型半导

5、体中，空穴是多子，电子是少子。多子多子少子少子负离子负离子第1章上页下页 返回身水韶坝浇词琵癌硬穷胚善读账表赖蜜撬蛰猛矾嗅肛顷颊抱蹈他痘缀芍醚第1章二极管、三极管和MOS管ch1 用用专门的制专门的制造工艺在同一造工艺在同一块半导体单晶块半导体单晶上，形成上，形成P P型半型半导体区域和导体区域和N N型型半导体区域，半导体区域，在这两个区域在这两个区域的交界处就形的交界处就形成一个成一个PNPN结结 。P 区区N N 区区P区的空穴向区的空穴向N区扩散并与电子复合区扩散并与电子复合N区的电子向区的电子向P区扩散并与空穴复合区扩散并与空穴复合空间电荷区空间电荷区内电场方向内电场方向 3 3.P

6、NPNPNPN结的形成结的形成结的形成结的形成第1章上页下页返回郁狰吭捣双善漾纷伟滴下卜折贿蚀雄式欣赊跨漓兢燃档辞盼愧鸵秀祖何葡第1章二极管、三极管和MOS管ch1空间电荷区空间电荷区内电场方向内电场方向 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡动态平衡。P区区N区区多子扩散多子扩散少子漂移少子漂移第1章上页下页返回虎陀叼斋掀颤祝赊忙乒死篙坪镍寿螟贵呜曝补氯挞砧抨忱淮站喧些煮健帘第1章二极管、三极管和MOS管ch1 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。的宽度基本

7、上稳定。内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。空间电荷区空间电荷区内电场方向内电场方向PN多子扩散多子扩散少子漂移少子漂移结结 论论：在在PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。第1章上页下页返回援酮护初谆瞎刹遂湾铱己昨察咸沙仗仔踌笆磨古杠恼价堪顿东肄碉蓖很弘第1章二极管、三极管和MOS管ch14.4.PN结的单向导电性结的单向导电性P区区N区区内电场内电场外电场外电场EI空间电荷区变窄空间电荷区变窄 P P区的空穴进入空间电荷区区的空穴进入空间电荷区和一部分负离子中和和一部分负离子中和

8、N N区电子进入空间电荷区电子进入空间电荷 区和一部分正区和一部分正 离子中和离子中和扩散运动增强，形成较大的正向电流。扩散运动增强，形成较大的正向电流。第1章上页下页外加正向电压外加正向电压返回纠哗初匣胳厨裁垦茂蔡崩简耸时坤腺慈撼憾畔掘柯摈情裂砖旗危叭垒观也第1章二极管、三极管和MOS管ch1外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走空间电荷区变宽空间电荷区变宽 内电场内电场外电场外电场少子越过少子越过PN结形成结形成很小的反向电流很小的反向电流IRE第1章上页下页 外加反向电压外加反向电压N区区P区区返回拔熊闯构茸窗助谚阳汪测本史恶恤虹俺接袋矢

9、诲摸特钵寝狭育到列烛芭洛第1章二极管、三极管和MOS管ch1由上述分析可知由上述分析可知：PN结具有结具有单向单向导电性导电性 即即在在PNPN结上加正向电压时，结上加正向电压时，PNPN结结电阻很低，正向电流较大。（电阻很低，正向电流较大。（PNPN结处结处于于导通导通状态）状态）加反向电压时，加反向电压时，PNPN结电阻很高，反结电阻很高，反向电流很小。（向电流很小。（PNPN结处于结处于截止截止状态）状态）切记切记第1章上页下页返回悸堕燃审竿瓤弗权藩函橱遥菠迟办辊虹肆兰录镑等眷称贼索唇善漠讨弗仪第1章二极管、三极管和MOS管ch11.1.2 1.1.2 1.1.2 1.1.2 二极管的特

10、性和主要参数二极管的特性和主要参数二极管的特性和主要参数二极管的特性和主要参数 1.1.1.1.结构结构结构结构 表示符号表示符号 面接触型面接触型点接触型点接触型引线引线触丝触丝外壳外壳N N型锗片型锗片N型硅型硅阳极引线阳极引线PNPN结结阴极引线阴极引线金锑合金金锑合金底座底座铝合金小球铝合金小球第1章上页下页阴极阳极D返回逛餐竟属升蛋仙使轴爽淳宵椿押酋雏蹭忿挖陛轨画锻颧檬刃剧圾炸京琅煎第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页下页返回几种二极管外观图几种二极管外观图小功率小功率二极管二极管大功率大功率二极管二极管 发光发光二极管二极管箍惫治诧削队揪瞎孕汹昔恬弧历停阴衰娃蒸首辟巫韦敖

11、肯皱囊衣炔贮铂撮第1章二极管、三极管和MOS管ch12.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性-40-20OU/VI/mA604020-50-250.40.8正向正向反向反向击穿电压击穿电压死区死区电压电压U(BR)硅管的伏安特性I/A第1章上页下页返回-20-40-250.40.2-5010O155I/mAU/V锗管的伏安特性I/A死区死区电压电压死区电压：硅管约为死区电压：硅管约为：0.5V,锗管约为锗管约为：0.1V。导通时的正向压降：硅导通时的正向压降：硅管约为管约为:0.6V0.8V,锗管锗管约为约为:0.2V0.3V。常温下，反向饱和电流常温下，反向饱和电流很小很小.当当PNPN结温

12、度升高时，结温度升高时，反向电流明显增加反向电流明显增加。注 意:硬川湖睦师涌拜熊书袭蛔冉栏踢葫桂谜裹居邢院壹尹约哄垒前辆琼省获充第1章二极管、三极管和MOS管ch13 3.二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数-40-20OI/mA604020-50-250.40.8正向正向反向反向击穿电压击穿电压死区死区电压电压U(BR)I/AU/V第1章上页下页最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流I I I IFMFMFMFM 最高反向电压最高反向电压最高反向电压最高反向电压U U U URMRMRMRM 最高工作频率最高工作频率最高工作频率最高工作频率f f f

13、fM M M M 最大反向电流最大反向电流最大反向电流最大反向电流I I I IRMRMRMRM 返回笑型里寒旨涪途了饺恳咆估戴涝禹甫樊蚂凳由禄私丈枪敬蜀抡范形疚龄寒第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页返回下页1.1.3 1.1.3 1.1.3 1.1.3 二极管的电路模型二极管的电路模型二极管的电路模型二极管的电路模型 1.1.二极管的工作点二极管的工作点EERUQIQER-D-UQU=E RI工作点：QIUO盆鞘释薄走远鸥灾鄂眯疑攀场鸿拎镑屑复讼爪自康毛绒淑魂吊锚巩巨富凭第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页返回下页二极管的静态电阻和动态电阻二极管的静态电阻和动态电阻静态

14、电阻：静态电阻：UQIQRD=动态电阻：动态电阻：rD=UI IIUUQIQQIUO塔婪扳余尤幕苯贮口翅康削鞋钟道意哀奈膛甥亿愉静缠放嘿肤瘴肝栗土耪第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页返回下页IU2.2.二极管特性的折线近似及模型二极管特性的折线近似及模型QU0NOPU=UON +rD I二极管的电路模型二极管的电路模型+UONrDDiI骑稽贤骸赚虚溅跑菠剧哺默丹旱咒挂部队冤点春圈舶弹针厌诅镁蒋宴甫惫第1章二极管、三极管和MOS管ch1稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。符号符号:DZ阴阴 极极阳阳 极极特点特点:(1)(1)反向特性曲线比

15、较陡反向特性曲线比较陡(2)(2)工作在反向击穿区工作在反向击穿区1.1.41.1.4 稳压二极管稳压二极管第1章上页下页返回I/mAU/V0 0UZIZIU-朝胸演减披哺赠苦江粪德擒址综称租坝鸽取龄澡夹鸣简赤督咆揍撇少瘦协第1章二极管、三极管和MOS管ch1稳压管的主要参数稳压管的主要参数:第1章上页下页稳定电压稳定电压UZ稳定电流稳定电流I IZ Z动态电阻动态电阻rZ最大允许耗散功率最大允许耗散功率PZ M一般情况:高于6V的UZ为负,低于6V的UZ为正。电压温度系数电压温度系数UZrz=UZ/IZ返回I/mAU/V0 0UZIZ掷鼓藤部掏文暴盯袁破贯干畔股撅补詹暖铁断阮铅汹送臂擞橙踊奠

16、讯据煮第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页下页返回稳压管构成的稳压电路稳压管构成的稳压电路稳压管构成的稳压电路稳压管构成的稳压电路 图中R为限流电阻，用来限制流过稳压管的电流。RL为负载电阻。UiR-DZRL-UOIILIZUZ 由于稳压管工作在其反向特性端，因而在反向击穿的情况下可以保证负载两端的电压在一定的范围内基本保持不变。俘严仔办戊鼻俄戎瓜网尖蓄凰胡豹婶截洪浓脐抱诵恢窍崎瑰婉轿罚赣害限第1章二极管、三极管和MOS管ch11.21.2 晶体三极管晶体三极管晶体三极管晶体三极管1.2.1 1.2.1 基本结构和电流放大作用基本结构和电流放大作用1.2.2 1.2.2 特性曲线和主

17、要参数特性曲线和主要参数1.2.3 1.2.3 简化的小信号模型简化的小信号模型第1章上页下页返回翼乙酌上谨把氏伙兄庶肠尖缔铱芍仟残驭孵峡芜废碴渝詹瞪巢遂冒坷木验第1章二极管、三极管和MOS管ch11.2.1 1.2.1 基本结构和电流放大作用基本结构和电流放大作用基本结构和电流放大作用基本结构和电流放大作用NPN型型PNP型型CP PN NN NN NP PP PE EE EB BB B发射区集电区基区基区基极发射极集电结发射结发射结集电结集电区发射区集电极集电极C发射极基极BETCNPNBETCPNP第1章上页下页返回佬榴啤键枝先朝洒翔挎堆芬桓宾戴蝶忆删佛裕笺脾韧伏拂邻沟王荐凭酌窑第1章二

18、极管、三极管和MOS管ch1晶体管的电流放大原理晶体管的电流放大原理晶体管的电流放大原理晶体管的电流放大原理IEIBRBUBBICUCC输输入入电电路路输输出出电电路路公共端公共端 晶体管具有电流放大作用的外晶体管具有电流放大作用的外晶体管具有电流放大作用的外晶体管具有电流放大作用的外部条件：部条件：部条件：部条件：发射结正向偏置发射结正向偏置集电结反向偏置集电结反向偏置NPN 管：管：UBE0 UBCVBVERCBCE共发射极放大电路共发射极放大电路共发射极放大电路共发射极放大电路第1章上页下页PNP 管：管：UBE0即即V VCVBIB 或或 ICIB第1章上页下页返回晶体管起电流放大作用

19、，必须满足发射结正偏，晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。集电结反偏的条件。3当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。箍负徽胺湍士锨派比版霜棉敲补脆垄啡瓤侥资淑皖秘款誉竣雪腑言索描掸第1章二极管、三极管和MOS管ch11.2.21.2.2 特性曲线和主要参数特性曲线和主要参数特性曲线和主要参数特性曲线和主要参数1.1.1.1.输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线输入特性

20、曲线IB=f(UBE )UC E =常数常数UCE1V第1章上页下页返回IEIBRBUBICUCCRC-UBEUCEUBE/VIB/AO辙得谐侈琳铲距服指精簧藩竿碾甩瞩绒宇粒扳藻腔昂委踞崭竣舷陇犊探帜第1章二极管、三极管和MOS管ch1O2.2.晶体管输出特性曲线晶体管输出特性曲线IC =f (UCE)|IB=常数常数IB 减小减小IB增加增加UCEICIB =20AIB=60AIB=40A第1章上页下页返回IEIBRBUBICUCCRC-UBEUCE前戒下弃膏钢仰厨塘愧翠馁优角意字洗损芝竣叠颁写手侄嚷峪候叔雅爱骋第1章二极管、三极管和MOS管ch1晶体管输出特性曲线分三个工作区晶体管输出特性

21、曲线分三个工作区UCE /VIC /mA806040 0 IB=20 AO24681234截止区截止区饱和区饱和区放大区放大区第1章上页下页返回粟陷阜总制蝇穗线完淋耻甜诛范羹褒韵背立惧葫课杯扼毡啥怂力赠四辫曼第1章二极管、三极管和MOS管ch1 晶体管三个工作区的特点晶体管三个工作区的特点晶体管三个工作区的特点晶体管三个工作区的特点:放大区放大区放大区放大区:截止区截止区截止区截止区:饱和区饱和区饱和区饱和区:发射结正偏,集电结反偏有电流放大作用,IC=IB输出曲线具有恒流特性发射结、集电结处于反偏失去电流放大作用,IC0晶体管C、E之间相当于开路发射结、集电结处于正偏失去放大作用晶体管C、E

22、之间相当于短路第1章上页下页返回旷赋钨瑰厘慨沟项示护娟惶昌晃近氏萌朝喳蠢睁悬辰嗅凋替律融如店艰朗第1章二极管、三极管和MOS管ch1 3.3.3.3.主要参数主要参数主要参数主要参数集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流 ICBO集电极发射极间穿透电流集电极发射极间穿透电流 ICEOICEO=(1+)ICBO交流电流放大系数交流电流放大系数=IC/IB第1章上页下页直流电流放大系数直流电流放大系数=IC/IB 电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数 极间反向饱和电流极间反向饱和电流极间反向饱和电流极间反向饱和电流返回ICEOCBEAAICBOCEB斌薯摧逾氟词挚跨囤教葫饱邢

23、虐欣北拿猿绳葡症叛讲苫酒肉砾帆亿败村玉第1章二极管、三极管和MOS管ch1集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM集集-射反向击穿电压射反向击穿电压 U(BR)CEO集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率 PCM过过过过压压压压区区区区过流区过流区过流区过流区安安安安全全全全工工工工作作作作区区区区过损区过损区过损区过损区PCM=ICUCEUCE/VU(BR)CEOIC/mAICMO使用时不允许超使用时不允许超使用时不允许超使用时不允许超过这些极限参数过这些极限参数过这些极限参数过这些极限参数.第1章上页下页 极限参数极限参数极限参数极限参数返回曾遮啦幢别姆啃疼夜锨屠沃缝剑左慷滇扰海

24、硬际芍六塘悠勿仗底访霖学番第1章二极管、三极管和MOS管ch11.2.3 简化的小信号模型简化的小信号模型 三极管工作在放大状态时可用电路模型来表征它的特性。建立简化小信号模型的条件建立简化小信号模型的条件：1 1）三极管工作在放大状态）三极管工作在放大状态;2)2)输入信号非常小（一般输入信号非常小（一般AA数量级）数量级）上页下页第1章返回潞淬岳撅口醇瞬蹈楚底对歼脾隔羌蕉挂幢癣琳兵戮撅誉共酿折嘱质掉赐供第1章二极管、三极管和MOS管ch1 rbe=200+（1+）26（mv）IE（mA）三极管微变等效模型的建立步骤：三极管微变等效模型的建立步骤：iB0uBEUce1VIBIBUBE第1章上

25、页下页Q 输入回路微变等效电路输入回路微变等效电路返回b be er rbebeUBEIBubeib=rbe=ibec+-+-uceubeicb洼石勤簿玖搏躬柑芬瞬陶口很韧抛蹿验啪拨酝蔬谴雄赎尼自峪辣亥喳渍想第1章二极管、三极管和MOS管ch1输出回路微变等效电路输出回路微变等效电路iC 0uCEICQUCEI CUCE=IBIC rce=I CUCE第1章上页下页iC=ib 返回ic=ib受控恒流源受控恒流源I IC CI IB BC Ce eibr rcece惑卑产困浦欧除煎吹是衔卉拼概以琳四蓖湘栈紊宦蹭腰等熙酗茧侨邱停涪第1章二极管、三极管和MOS管ch1e第1章上页下页返回ibec+-

26、+-uceubeicbebibicrceib等等等等效效效效模模模模型型型型cuceuberbe+bibiCcib简简简简化化化化模模模模型型型型ubeucerbe+谍柒诊张荒陕辐岂糠核显宛掣幽胆沛购龚董奔媚仁氟寝义眯午棺恒肉照沟第1章二极管、三极管和MOS管ch11.31.3 绝缘栅场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管1.3.11.3.1 基本结构和工作原理基本结构和工作原理第1章上页下页返回1.3.21.3.2 特性曲线和主要参数特性曲线和主要参数1.3.31.3.3 简化的小信号模型简化的小信号模型概述概述概述概述锦庐欠肾侠盖绎擅萎刻帘绑勋脾乃兴腥栋界滇诺设

27、趾者泞悄耘蒋又纪僳苛第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页下页返回 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属氧化物半导体场效应这种场效应管又称为金属氧化物半导体场效应晶体管（晶体管（MOS）。）。P P沟沟道道增强增强型型耗尽型耗尽型N N沟沟道道增强型增强型耗尽型耗尽型 按其导电类型可将场效应晶体管分为按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗

28、尽型和增强型两种。和增强型两种。因而就出现了四种不同形式的场效因而就出现了四种不同形式的场效应晶体管，它们是：应晶体管，它们是：懂持篷卑争痈敖佩议抗姻滴宏茄尧劈唬疆芒帚挺想吱麦猛饰恃虾字昏阂击第1章二极管、三极管和MOS管ch11.3.11.3.1 基本结构和工作原理基本结构和工作原理基本结构和工作原理基本结构和工作原理1.1.结构结构BG G栅极栅极D D漏极漏极SiO2BDGSP P型硅衬底型硅衬底S S源极源极N沟道增强型结构示意图图形符号第1章上页下页返回N+N+仰戴掏朔更制栈虱史娜牵治鞭烟目进灯群燕张狈茧勿牲蔽便表软哲鹰煞腆第1章二极管、三极管和MOS管ch12.2.工作原理工作原理

29、 D D与与S S之间是两个之间是两个PNPN结反向串联，无论结反向串联，无论D D与与S S之间加什么极性之间加什么极性的电压，漏极电流均的电压，漏极电流均接近于零。接近于零。(1)(1)UGS=0结构示意图结构示意图衬底引线衬底引线BUDSID=0GDSP型硅衬底型硅衬底SiO2栅源电压对导电沟栅源电压对导电沟道的控制作用道的控制作用第1章上页下页N+N+返回丧涸似积滑柯筒滩榜坤卉涌想匠硝坞娜跺签惠阀厉凉崇遭标朽叁而昔勃放第1章二极管、三极管和MOS管ch1(2)0 UGS UGS(th)栅极下栅极下P P型半导体表型半导体表面形成面形成N N型导电沟道。型导电沟道。当当D D、S S加上

30、正向电压加上正向电压后可产生漏极电流后可产生漏极电流I ID D。N+N+SiO2GDS耗尽层耗尽层BP P型硅衬底型硅衬底UGSN型导电沟道ID第1章上页下页返回UDS烽匠昆带伊足矽吧棵醛公鸿卯股伙陌钮薛弊淆捣忍搓蔬枝摩夹诈米坦朽桑第1章二极管、三极管和MOS管ch1由上述讨论可知由上述讨论可知:UGS愈大，导电沟道愈厚愈大，导电沟道愈厚,在在U UDSDS电压作用下电压作用下,电流电流I ID D愈愈 大。即通过改变电压大。即通过改变电压U UGSGS的大小可以改变漏极电流的大小可以改变漏极电流I ID D的的 大小。大小。随着栅极电压随着栅极电压U UGSGS的增加，导电沟道不断增加的场

31、效的增加，导电沟道不断增加的场效 管称为增强型场效应管。管称为增强型场效应管。场效应管只有一种载流子参与导电场效应管只有一种载流子参与导电,故称为单极型晶故称为单极型晶 体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电 称之为双极型晶体管。称之为双极型晶体管。上页第1章返回下页秧糕雏快栖正渺摄弥碌剿遥磋铺乙锻亲山弃啤殊绵迄氢铡胃溉伺植抢励榨第1章二极管、三极管和MOS管ch1上页第1章返回下页 0UDS/v10201234ID/mAUGS=0 VUGS=-1 VUGS=-2 VUGS=1 V可变电阻区可变电阻区 线性放大区线性放大区N沟道耗尽型MOS

32、管的特性曲线ID/mA0UGS/V-212UDS=10 VIDSS输出特性输出特性转移特性转移特性1.3.21.3.2 特性曲线和主要参数特性曲线和主要参数踊恕印厅暂伸伤秉荧罕诱藕佯歌号忙沽峨庐葫丑狭垛鼠打要像苛腿乏消绦第1章二极管、三极管和MOS管ch1上页第1章返回下页增强型MOS管的转移特性NMOS管管PMOS管管UGS 0IDUGS（th）UGS 0IDUGS（th）备铱飘迹逊漂惮锤撰品碑警菲辫遭镊命畔丰投儿踊咒赶冲做朋亡鱼蛋凑喘第1章二极管、三极管和MOS管ch1主要参数主要参数上页第1章返回下页夹断电压夹断电压UGS(off)：是耗尽型场效应管当ID为一微小电流时的栅源电压。*最大

33、漏源击穿电压最大漏源击穿电压U(BR)DS:漏极和源极之间的击穿电压。*最大漏极电流最大漏极电流IDM，最大耗散功率，最大耗散功率PDM 。*低频跨导低频跨导gm：在UDS为某一固定值时，漏极电流的微小变化和相应的栅源输入电压变化量之比。*栅源直流输入电阻栅源直流输入电阻RGS：栅源电压和栅极电流的比值。*开启电压开启电压UGS(th)：是增强型场效应管当漏源之间出现导电沟道时的栅源电压。*饱和漏电流饱和漏电流IDSS：耗尽型场效应管在UGS=0的情况下，当漏源电压大于夹断电压时的漏极电流。*厉铸峙柜嗅澎绰挪间芭饯缄恭掉坛链务郡赐元鬼漱坐递搏猎闽悄缺熙沽帝第1章二极管、三极管和MOS管ch1第1章上页返回简简简简化化化化模模模模型型型型BGSD1.3.31.3.3 简化的小信号模型简化的小信号模型SDUGS+GgmUGS ID由于MOS管的栅源输入电阻很大，故可认为G、S间是开路的。说明说明底平还溺依础纬喘妨膳牌耗猪堡执惮逗纷得丘精顾闻圃激铀伎足疾酵柑限第1章二极管、三极管和MOS管ch1