磁电式传感器霍尔传感器.pptx
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1、霍尔传感器的工作原理霍尔传感器的工作原理1 1霍尔效应霍尔效应 半导体薄片置于磁感应强度为半导体薄片置于磁感应强度为B B 的磁场中,磁场方向垂直于的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流薄片,当有电流I I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势将产生电动势E EH H,这种现象称为霍尔效应。,这种现象称为霍尔效应。磁感应强度磁感应强度B B为零时的情况为零时的情况A AB BC CD D第1页/共27页当有图示方向磁场当有图示方向磁场B B作用时作用时 作作用用在在半半导导体体薄薄片片上上的的磁磁场场强强度度B B越越强强,霍霍尔尔电电势势也
2、也就就越越高高。霍尔电势霍尔电势U UH H可用下式表示:可用下式表示:UH=KH IB第2页/共27页霍尔效应演示霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片侧偏移,在半导体薄片A A、B B方向的端面之间建立起霍尔电方向的端面之间建立起霍尔电势。势。A AB BC CD D第3页/共27页可以推出,霍尔电动势可以推出,霍尔电动势UH的大小为:的大小为:式式中中:kH为为灵灵敏敏度度系系数数,kH=RH/d,表表示示在在单单位位磁磁感感应应强强度度和和单单位位控控制制电电流流时时的的霍霍尔尔电电动动势势的的
3、大大小小,与与材材料料的的物物理理特特性性(霍霍尔尔系系数)和几何尺寸数)和几何尺寸d d有关;有关;霍霍尔尔系系数数RH1/(nq),由由材材料料物物理理性性质质所所决决定定,q为为电电子子电电荷荷量量 ;n为材料中的电子浓度。为材料中的电子浓度。为磁场和薄片法线夹角。为磁场和薄片法线夹角。a第4页/共27页 结论:结论:霍尔电势与输入电流霍尔电势与输入电流I I、磁感应强度、磁感应强度B B成正比,成正比,且当且当B B的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率的果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频
4、率的交变电势。交变电势。金金属属材材料料中中的的自自由由电电子子浓浓度度n很很高高,因因此此RH很很小小,不不宜宜作作霍霍尔尔元元件件。霍霍尔尔元元件件多多用用载载流流子子迁迁移移率率大大的的N型型半半导导体体材材料料制制作作。另另外外,霍霍尔尔元元件件越越薄薄(d越越小小),kH就就越越大大,所所以以通通常常霍霍尔尔元元件件都都较较薄薄。薄薄膜膜霍霍尔尔元元件件的的厚厚度只有度只有1 1 左右。左右。mm第5页/共27页2 2霍尔元件霍尔元件霍霍 尔尔 片片 是是 一一 块块 矩矩 形形 半半 导导 体体 单单 晶晶 薄薄 片片(一一 般般 为为4 4mm2mm2mm0.1mm0.1mm)m
5、m),经经研研磨磨抛抛光光,然然后后用用蒸蒸发发合合金金法法或或其其他他方方法法制制作作欧欧姆姆接接触触电电极极,最最后后焊焊上上引引线线并并封封装装。而而薄薄膜膜霍霍尔尔元元件件则则是是在在一一片片极极薄薄的的基基片片上上用用蒸蒸发发或或外外延延的的方方法法做做成成霍霍尔尔片片,然然后后再再制制作作欧欧姆姆接接触触电电极极,焊焊上上引引线线最最后后封封装装。一一般般控控制制端端引引线线采采用用红红色色引引线线,而而霍霍尔尔输输出出端端引引线线则则采采用用绿绿色色引引线线。霍霍尔尔元元件件的的壳壳体用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。体用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。(a)(a)霍尔元件外形霍
6、尔元件外形 (b)(b)电路符号电路符号 (c)(c)基本应用电路基本应用电路第6页/共27页3 3霍尔元件的主要特性及材料霍尔元件的主要特性及材料 1)1)霍尔元件的主要特性参数霍尔元件的主要特性参数(1)(1)灵灵敏敏度度k kH H:表表示示元元件件在在单单位位磁磁感感应应强强度度和和单单位位控控制制电电流流下下所所得到的开路(得到的开路(R RL L=)霍尔电动势,单位为)霍尔电动势,单位为V/(AV/(AT)T)。(2)(2)霍尔输入电阻霍尔输入电阻R Ri i:霍尔控制电流电极间的电阻值。:霍尔控制电流电极间的电阻值。(3)(3)霍尔输出电阻霍尔输出电阻R Ro o:霍尔输出电极间
7、的电阻值。:霍尔输出电极间的电阻值。(4)(4)霍霍尔尔电电阻阻的的温温度度系系数数:表表示示在在一一定定的的磁磁感感应应强强度度和和控控制制电电流流的的条条件件下下,环环境境温温度度每每变变化化11时时霍霍尔尔元元件件材材料料的的电阻变化率,单位为电阻变化率,单位为%/%/。第7页/共27页 1)1)霍尔元件的主要特性参数霍尔元件的主要特性参数(6)(6)额额定定控控制制电电流流I Icmcm:空空气气中中的的霍霍尔尔元元件件产产生生允允许许温温升升T=10T=10时的控制电流,一般为几毫安到几百毫安。时的控制电流,一般为几毫安到几百毫安。(7)(7)不等位电势不等位电势U U0 0:外加磁
8、场为:外加磁场为0 0,霍尔元件在额定控制电流下,霍尔元件在额定控制电流下,两霍尔电极之间的开路电动势。两霍尔电极之间的开路电动势。U U0 0越小越好,一般地,越小越好,一般地,U U0 0小于小于1mV1mV。(8 8)不等位电阻)不等位电阻r r0 0:r r0 0=U=U0 0/Icm/Icm。(5)(5)霍霍尔尔电电动动势势的的温温度度系系数数:表表示示在在一一定定的的磁磁感感应应强强度度和和控控制制电电流流的的条条件件下下,环环境境温温度度每每变变化化11时时霍霍尔尔电电势势的的相相对对变变化化率率单位为单位为%/%/。第8页/共27页3 3霍尔元件的主要特性及材料霍尔元件的主要特
9、性及材料 1)1)霍尔元件的主要特性参数霍尔元件的主要特性参数(9)(9)霍霍尔尔最最大大允允许许激激励励电电流流I Imaxmax:以以霍霍尔尔元元件件允允许许最最大大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。(10)(10)霍霍尔尔寄寄生生直直流流电电势势U UODOD:在在外外加加磁磁场场为为零零、霍霍尔尔元元件件用用交交流流激激励励时时,霍霍尔尔电电极极输输出出除除了了交交流流不不等等位位电电动动势势外,还有一直流电势,称为寄生直流电势。外,还有一直流电势,称为寄生直流电势。第9页/共27页 2)2)霍尔元件的材料霍尔元件的材料锗锗
10、(Ge)(Ge)、硅、硅(Si)(Si)、锑化铟、锑化铟(InSb)(InSb)、砷化铟、砷化铟(InAs)(InAs)和砷化镓和砷化镓(GaAs)(GaAs)是常见的制作霍尔元件的几种半导体材料。表是常见的制作霍尔元件的几种半导体材料。表6-26-2所列所列为制作霍尔元件的几种半导体材料主要参数。为制作霍尔元件的几种半导体材料主要参数。电阻率电阻率电子迁移率电子迁移率 材料材料(单晶单晶)禁带宽度禁带宽度Eg/(eV)/(cm)/(cm/Vs)霍尔系数霍尔系数RH/(cmC-1-1)N型锗型锗(Ge)0.661.0350042504000N型硅型硅(Si)1.1071.51500225018
11、40锑化铟锑化铟(InSb)0.170.005600003504200砷化铟砷化铟(InAs)0.360.0035250001001530磷砷铟磷砷铟(InAsP)0.630.08105008503000哪种材料制作的霍尔元件灵敏度高哪种材料制作的霍尔元件灵敏度高第10页/共27页不不等等位位电电动动势势产产生生的的原原因因是是由由于于制制造造工工艺艺不不可可能能保保证证将将两两个个霍霍尔尔电电极极对对称称地地焊焊在在霍霍尔尔片片的的两两侧侧,致致使使两两电电极极点点不不能能完完全全位位于于同一等位面上。同一等位面上。4 4 霍尔元件的误差及补偿霍尔元件的误差及补偿 1 1霍尔元件的零位误差与
12、补偿霍尔元件的零位误差与补偿霍霍尔尔元元件件的的零零位位误误差差是是指指在在无无外外加加磁磁场场或或无无控控制制电电流流的的情情况况下下,霍霍尔尔元元件件产产生生输输出出电电压压并并由由此此而而产产生生的的误误差差。它它主主要要表表现现为为以以下几种具体形式。下几种具体形式。1)1)不等位电动势不等位电动势不不等等位位电电动动势势是是零零位位误误差差中中最最主主要要的的一一种种,它它是是当当霍霍尔尔元元件件在在额额定定控控制制电电流流(元元件件在在空空气气中中温温升升1010所所对对应应的的电电流流)作作用用下下,不不加加外外磁磁场时,霍尔输出端之间的空载电动势。场时,霍尔输出端之间的空载电动
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