模拟电子技术第2章半导体三极管及放大电路基础.ppt

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1、上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2 半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础2.1 半导体三极管半导体三极管半导体三极管又称简称晶体管。半导体三极管又称简称晶体管。半导体三极管的放大作用和开关作用，促半导体三极管的放大作用和开关作用，促使了电子技术的的飞跃。使了电子技术的的飞跃。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础半导体三极管图片半导体三极管图片上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 半导体三极管的结构半导体三极管的结构1.NPN型三极管结构示意图和符号型三极管结构

2、示意图和符号（2）根据使用的半导体材料分根据使用的半导体材料分:硅管和锗管硅管和锗管 （1）根据结构分根据结构分:NPN型和型和PNP型型三极管的主要类型三极管的主要类型上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础NNP发射区发射区集电区集电区基区基区发射极发射极E(e)集电极集电极C(c)发射结发射结Je集电结集电结Jc基极基极B(b)上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础NPN型三极管符号型三极管符号B(b)E(e)TC(c)NNP发射区发射区集电区集电区基区基区发射极发射极E(e)集电极集电极C(c)发射结发射结Je集电结集电结Jc基极基极B(b)上页上页下

3、页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2、PNP型三极管结构示意图和符号型三极管结构示意图和符号PNP型三极管符号型三极管符号B(b)E(e)TC(c)E(e)发射区发射区集电区集电区基区基区PPNC(c)B(b)JeJc上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础（1）发射区小，掺杂浓度大发射区小，掺杂浓度大。3、三极管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件）三极管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件）：（2）集电区掺杂浓度低，集电结面积大。集电区掺杂浓度低，集电结面积大。（3）基区掺杂浓度很低，且很薄。基区掺杂浓度很低，且很薄。NNP发射区发射区集电区集电区基区基区E

4、BC上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 三极管工作原理（以三极管工作原理（以NPN型管为例）型管为例）依据两个依据两个PN结的偏置情况结的偏置情况放大状态放大状态饱和状态饱和状态截止状态截止状态倒置状态倒置状态晶体管的工作状态晶体管的工作状态上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础1发射结正向偏置、集电结反向偏置发射结正向偏置、集电结反向偏置放大状态放大状态 原理图原理图电路图电路图+上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(1)电流关系电流关系a.发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子形成发射极电流形成发射极电流IE。发射区向基区扩散电

5、子发射区向基区扩散电子称扩散到基区的发射称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子区多子为非平衡少子上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础b.基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子形成空穴电流。形成空穴电流。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流忽略不记。空穴电流忽略不记。基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基

6、础c.基区电子扩散和复合基区电子扩散和复合非平衡少子在基区复非平衡少子在基区复合，形成基极电流合，形成基极电流IBIB非平衡少子向非平衡少子向集电结扩散集电结扩散上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础非平衡少子非平衡少子到达集电区到达集电区IBd.集电区收集从发射区扩散过来的电子集电区收集从发射区扩散过来的电子IC形成发射极电流形成发射极电流IC上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础形成反向饱和电流形成反向饱和电流ICBOe.集电区、基区少子相互漂移集电区、基区少子相互漂移少子相互漂移少子相互漂移ICBOICIB上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电

7、子技术基础发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。定义定义基极是两个回路的公共端，称三极管这种接法为基极是两个回路的公共端，称三极管这种接法为共基极接法。共基极接法。称为共基极直流电流放大系数称为共基极直流电流放大系数 输入回路输入回路输出回路输出回路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础各电极电流之间的关系各电极电流之间的关系 IE=IC+IB IBICICBO上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管共射极接法晶体管共射极接法原理图原理图电路图电路图IBICICBO上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础

8、模拟电子技术基础定义定义为三极管共射极直为三极管共射极直流电流放大系数流电流放大系数IBICICBO上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础各电极电流之间的关系各电极电流之间的关系ICEO称为穿透电流称为穿透电流IBICICBO上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础得得或或的关系式的关系式由由由由及及的定义的定义与与上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 如果如果 UBE 0，那么那么IB 0，IC 0，IE 0 当输入回路电压当输入回路电压U BE=UBE+UBE那么那么I B=IB+IBI C=IC+ICI E=IE+IE 如果如果 UB

9、E 0，那么那么IB 0，IC 0，IE UBEb.IC=IBc.IC与与UCE无关无关饱和区饱和区放大区放大区iiB=20A04060801002468/V uCE01234C/mA 截止区截止区上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础NPN管与管与PNP型管的区别型管的区别iB、uBE、iC、iE、uCE的极性二者相反的极性二者相反PNP管电路管电路NPN管电路管电路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础硅管与锗型管的区别硅管与锗型管的区别（3）锗管的锗管的ICBO比硅管大比硅管大（1）死区电压约为死区电压约为硅管硅管0 0.5 V锗管锗管0.1V（2）导

10、通压降导通压降|uBE|锗管锗管0.3V硅管硅管0 0.7 V上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 半导体三极管的主要电参数半导体三极管的主要电参数1.直流参数直流参数（3）发射极开路，集电极发射极开路，集电极基极间反向饱和电流基极间反向饱和电流ICBO （1）共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数（2）共射极直流电流放大系数共射极直流电流放大系数（4）发射极开路，集电极发射极开路，集电极发射极间反向饱和电流发射极间反向饱和电流ICEO 上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.交流参数交流参数 （1）共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 值

11、与值与iC的的关系曲线关系曲线（2）共射极交流电流放大系数共射极交流电流放大系数 常数常数iC0上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.极限参数极限参数(4)集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM(1)集电极开路时发射极集电极开路时发射极基极间反向击穿电基极间反向击穿电压压U（BR）EBO(2)发射极开路时集电极发射极开路时集电极基极间反向击穿基极间反向击穿电压电压U（BR）CBO(3)基极开路时集电极基极开路时集电极发射极间反向击穿发射极间反向击穿电压电压U（BR）CEO 上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础iCuCE0U(BR)CEOICMPCM

12、不安全区不安全区安全区安全区(5)集电极最大允许功率耗散集电极最大允许功率耗散PCM晶体管的安工作全区晶体管的安工作全区等功耗线等功耗线PC=PCM=uCEiC上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 温度对管子参数的影响温度对管子参数的影响 1对对的影响的影响2对对ICBO的影响的影响3对对UBE的影响的影响 4温度升高，管子的死区电压降低。温度升高，管子的死区电压降低。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础思思 考考 题题2.如何用万用表判别晶体管的类型和电极？如何用万用表判别晶体管的类型和电极？3.为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做的很薄？为什么晶体管基区

13、掺杂浓度小而且做的很薄？1.晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？4.晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大？大系数和在放大区工作时是否一样大？上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.2 共射极放大电路的组成和工作原理共射极放大电路的组成和工作原理 放大电路概述放大电路概述 1放大电路的用途放大电路的用途:把微弱的电信号不失真地放大到把微弱的电信号不失真地放大到负载所需的数值。负载所需的数值。应用举例应用举例放放大大器器直直 流流 电电 源源话筒话筒

14、输入输入喇叭喇叭输出输出上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2放大电路的主要性能指标放大电路的主要性能指标 放大器性能指标测量原理方框图放大器性能指标测量原理方框图 被被 测测 放放 大大 电电 路路负负载载正正弦弦波波信信号号源源+直直 流流 电电 源源+上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础互导放大倍数互导放大倍数Ag 互阻放大倍数互阻放大倍数 Ar 电流放大倍数电流放大倍数AiioUUAu=电压放大倍数电压放大倍数Au +直直流流电电源源+(1)放大倍数放大倍数 A 上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(2)输入电阻输入电阻Ri

15、Ri越大，越大，Ui也就越大，电路的放大能力越强。也就越大，电路的放大能力越强。a.由于由于b.Ri越大，输入电流越大，输入电流ii越小，越小，信号源的负载越小。信号源的负载越小。+直直流流电电源源+Ri上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(3)输出电阻输出电阻Ro 定义：定义：测量电路测量电路被被+测测 放放大大 电电 路路直直 流流 电电源源+Ro上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础对输出电压的电路对输出电压的电路即即 Ro越小，输出电压越稳定，电路带载能力越强。越小，输出电压越稳定，电路带载能力越强。+直直流流电电源源+由于由于上页上页下页下页后退

16、后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础测量测量Ro的一种方法的一种方法 带负载时的输出电压带负载时的输出电压负载开路时的输出电压负载开路时的输出电压+直直流流电电源源+S上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(4)全谐波失真度全谐波失真度D(5)动态范围动态范围Uo p-p也称为最大不失真输出电压。也称为最大不失真输出电压。即谐波电压总有效值与基波电压有效值之比即谐波电压总有效值与基波电压有效值之比使输出电压使输出电压uo的非线性失真度达到某一规定数值时的非线性失真度达到某一规定数值时的的uo的峰的峰峰值。峰值。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(6)频带

17、宽度频带宽度fbw相频特性相频特性由由得得幅频特性幅频特性fL幅频特性曲线幅频特性曲线fHffBW相频特性曲线相频特性曲线90_o180_o225_o270_o135_ofBWf上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 共射极放大电路的组成及其工作原理共射极放大电路的组成及其工作原理 1.共射极放大电路的组成共射极放大电路的组成电路存在的问题：电路存在的问题：（1）信号源与放大电信号源与放大电路相互影响。路相互影响。（2）放大电路与负载放大电路与负载相互影响。相互影响。TVBBVCCiBuBE_uCEiC+RBRC+_+_RL_uO+上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟

18、电子技术基础各元器件的作用：各元器件的作用：T放大器件放大器件隔离放大电路对信号源和负载隔离放大电路对信号源和负载的直流影响。的直流影响。沟通信号源、放大电路、负载沟通信号源、放大电路、负载之间的信号传递通道。之间的信号传递通道。耦合电容耦合电容C1、C2改进的共射改进的共射极放大电路极放大电路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础为为T提供提供Je正偏电压正偏电压UBEVBB、RB提供基极偏置电流提供基极偏置电流IBVCC为为T提供提供Jc反偏电压反偏电压UCE为电路提供能量为电路提供能量上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础RC使集电极有合适的电流使集电

19、极有合适的电流IC转换集电极电流信号为电压信号转换集电极电流信号为电压信号,实现电压放大实现电压放大上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础只用一个电源，只用一个电源，减少电源数。减少电源数。（1）电路的简化电路的简化（2）电路画法电路画法不画电源符号，不画电源符号，只写出电源正只写出电源正极对地的电位。极对地的电位。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础放大电路的两放大电路的两种工作状态：种工作状态：静态静态 当输入信号为零时电路的工作状态。当输入信号为零时电路的工作状态。静态时放大电路只有直流分量。静态时放大电路只有直流分量。动态动态有输入信号时电路的工作

20、状态。有输入信号时电路的工作状态。动态时电路中的信号为交直流分量的叠加。动态时电路中的信号为交直流分量的叠加。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础注：不同书写体字母的含义注：不同书写体字母的含义UBEIB 大写字母，大写下标，表示直流量。大写字母，大写下标，表示直流量。ube小写字母，小写下标，表示交流瞬时值。小写字母，小写下标，表示交流瞬时值。uBE小写字母，大写下标，表示交、直混合量。小写字母，大写下标，表示交、直混合量。Ube大写字母，小写下标，表示交流分量有效值。大写字母，小写下标，表示交流分量有效值。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础信号的传

21、递过程信号的传递过程C2隔直作用隔直作用上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础思思 考考 题题1.通常希望放大电路的输入电阻高一些好，还是低一些通常希望放大电路的输入电阻高一些好，还是低一些好？对输出电阻呢？放大电路的带负载能力是指什么好？对输出电阻呢？放大电路的带负载能力是指什么?上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.3 放大电路的静态分析放大电路的静态分析 静态分析静态分析就是通过放大就是通过放大电路的直流通路求解静态工电路的直流通路求解静态工作点值作点值IBQ、ICQ、UCEQ。直流通路直流通路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基

22、础 图解法在放大电路静态分析中的应用图解法在放大电路静态分析中的应用 1输入回路输入回路列写输入回路方程列写输入回路方程VCC=iBRB+uBE 求解静态工作点的常用方法求解静态工作点的常用方法图解法图解法估算法估算法上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础直流负载线与三极管输入特性曲线的交点，即为直流负载线与三极管输入特性曲线的交点，即为放大电路的输入静态工作点放大电路的输入静态工作点Qi。在在iB、uBE坐标系上是一条直线坐标系上是一条直线称为输入回路的直流负载线称为输入回路的直流负载线VCC=iBRB+uBE 方程方程PK三极管输入三极管输入特性曲线特性曲线直流负载线直流

23、负载线0iBuBE上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2输出回路输出回路VCC=iCRC+uCE输出回路方程输出回路方程称为输出回路的直流负载线称为输出回路的直流负载线MN直流负载线直流负载线输出输出特性特性曲线曲线直流负载线与晶体管输出特直流负载线与晶体管输出特性曲线的交点，即为放大电性曲线的交点，即为放大电路的输入静态工作点路的输入静态工作点Qo。在在iC、uCE坐标系上是一条直线坐标系上是一条直线iC0uCE上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 估算法在放大电路静态分析中的应用估算法在放大电路静态分析中的应用 UCEQ=VCCICQRC式中，式中，

24、|UBEQ|硅管可取为硅管可取为0.7V，锗管锗管0.3V 由输入回路方程由输入回路方程VCC=iBRB+uBE得得上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础思思 考考 题题1.在在晶体管放大电路的分析中，估算法在什么情况晶体管放大电路的分析中，估算法在什么情况下将引起较大的误差？下将引起较大的误差？上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 在静态分析基础上，分析电路中的交流分量之间在静态分析基础上，分析电路中的交流分量之间关系。主要求关系。主要求Au、Ri、Ro及及Uopp等参数等参数。2.4 放大电路的动态分析放大电路的动态分析 常用的分析方法常用的分析方法图

25、解法图解法微变等效电路法微变等效电路法上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 图解法在放大电路动态分析中的应用图解法在放大电路动态分析中的应用 设输入信号设输入信号ui=Uimsinw wt V上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础1当当RL=时时在输入回路在输入回路uBE=UBE+uit0uBE波形图波形图上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础iB的波形图的波形图工作点的移动工作点的移动uBE波形图波形图（1）iB的形成过程的形成过程已知已知Qabt00t0上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础abtMN00tiB1iB

26、2(2)输出波形输出波形已知已知Q已知已知 iB工作点的移动工作点的移动uCE波形图波形图iC波形图波形图输出电压输出电压uo0上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础已知输入信号已知输入信号小结：小结：输出信号波形输出信号波形输出电压输出电压uo与输入电压与输入电压ui相位相反相位相反0t0t上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(2)如果静态工作点如果静态工作点Q太低太低工作点的移动工作点的移动uBE波形图波形图ab已知已知QiB1iB2iB的波形图的波形图a.输输入入波波形形0tt00上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础abiB1iB

27、2已知已知Q已知已知 iB工作点的移动工作点的移动uCE波形图波形图iC波形图波形图输出电压输出电压b.输出波形输出波形截止截止失真失真tMN00t0上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础0t0t0工作点的移动工作点的移动uBE波形图波形图ab已知已知QiB1iB2iB的波形图的波形图a.输输入入波波形形(3)如果静态工作点如果静态工作点Q太高太高上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础abiB1iB2已知已知Q已知已知 iB工作点的移动工作点的移动uCE波形图波形图iC波波形图形图b.输出波形输出波形输出输出电压电压饱和饱和失真失真tMN00t0上页上页下页

28、下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础0t0t0工作点的移动工作点的移动uBE波形波形ab已知已知QiB1iB2iB的波形的波形a.输输入入波波形形(4)如果输入信号太大如果输入信号太大上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础abiB1iB2已知已知Q已知已知 iB工作点的移动工作点的移动uCE波形波形iC波形波形b.输出波形输出波形tMN00t0上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础（忽略（忽略 UCES和和ICBO）(5)放大电路的动态范围放大电路的动态范围a.如果如果UCEQ=ICQRC=VCC/2iB波形波形iB1iB2iB3uo1uo2uo3输

29、输出出波波形形=2ICRCUopp=2UCEQ=VCC0t0MN上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础b.如果如果UCEQICQRCiB波形波形iB1iB2iB3输输出出波波形形Uopp=2ICRCuo1uo2uo30t0MN上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础结论结论:(2)共射极放大电路的共射极放大电路的uo与与ui的相位相反。的相位相反。(3)ui的幅度过大或静态工作点不合适的幅度过大或静态工作点不合适，将产生非线，将产生非线性失真（饱和失真、截止失真）。性失真（饱和失真、截止失真）。(4)放大电路信号放大电路信号iB=IB+ibuBE=UBE+ui

30、iC=IC+icuCE=UCE+uce(1)上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础(5)动态范围动态范围(忽略忽略ICEO和和UCES)(a)Qo点在负载线的中点点在负载线的中点UCEQ=ICQRC=VCC/2Uo pp=2ICQRC(b)Qo点在负载线中点下方点在负载线中点下方 UCEQICQRC上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础 (c)Qo点在负载线中点上方点在负载线中点上方(6)非线性失真的特点：非线性失真的特点：Uopp=2min UCEQ，ICQRCUCEQICQRC饱和失真：输出电压波形的下半部被削平。饱和失真：输出电压波形的下半部被削平。截

31、止失真：输出电压波形的上半部被削平。截止失真：输出电压波形的上半部被削平。(d)Uopp的一般表示式的一般表示式上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2当当RL时时（1）放大电路的交流通路）放大电路的交流通路交流通路画法：交流通路画法：耦合电容短路耦合电容短路直流电压源短路直流电压源短路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础交流通路交流通路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础RL RC/RL由放大电路的交流通路可知由放大电路的交流通路可知式中式中ic上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础由于由于故故（2）交流负载线交流负

32、载线式中式中上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础该直线称为放大电路的该直线称为放大电路的交流负载线。交流负载线。在在uCE和和iC的坐标中，也表示一条直线的坐标中，也表示一条直线M直流负载线直流负载线交流负载线交流负载线PUCEQ+ICQ RLiCuCE0QONICQab式式上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础交流负载线的特点交流负载线的特点:d.电路的工作点沿交流负载线移动电路的工作点沿交流负载线移动。a.斜率为斜率为1/RLb.经过静态工作点经过静态工作点Qc.与横轴的交点为与横轴的交点为UCEQ+ICQ RL iCuCE0QOMNICQabPUCE

33、Q+ICQ RL直流负载线直流负载线交流负载线交流负载线上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础e.动态范围动态范围(a)比电路空载时小。比电路空载时小。(b)(c)当考虑当考虑UCES时时iCuCE0QOMNICQabPUCEQ+ICQ RL直流负载线直流负载线交流负载线交流负载线上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础（2）作图烦琐，作图烦琐，Ui很小时难以作图。很小时难以作图。图解法的特点图解法的特点（1）便于观察。便于观察。（3）放大电路一些性能指标无法由图解法求得。放大电路一些性能指标无法由图解法求得。上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技

34、术基础 微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用 1晶体管的晶体管的H参数微变等效电路参数微变等效电路 （1）晶体管线性化的条件：晶体管线性化的条件：电路工作在小信号状态。电路工作在小信号状态。a.iB与与 uBE 之间具有线性关系之间具有线性关系 b.值恒定值恒定（2）晶体管可线性化的主要依据：晶体管可线性化的主要依据：上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管共射极接法线性化原理晶体管共射极接法线性化原理晶体管晶体管ucebecNPNPNP或或型型型型晶晶 管管体体+icubeib+等效图等效图线线 性性网网 络络uce+ubei

35、cib上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管线性等效电路的晶体管线性等效电路的H参数描述参数描述式中式中线线 性性网网 络络uce+ubeicib上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管的微变等效电路晶体管的微变等效电路可画出等效电路可画出等效电路由由+_bec+_ ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicuce上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础称为晶体管的输入电阻称为晶体管的输入电阻称为晶体管的基极体电阻称为晶体管的基极体电阻式中式中hre反向传输电压比反向传输电压比电流放大系数电流放大系数图中图中+_bec+_

36、ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicuce上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础称为晶体管共射极输出电导称为晶体管共射极输出电导+_bec+_ ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicuce上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础hre、hoe一般比较小，可忽略不计一般比较小，可忽略不计 晶体管微变等晶体管微变等效简化电路效简化电路+_bec+_ ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicuceube+_becib+_rbeibicuce上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础2微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用 （1）画出放大电路的交流通路）画出放大电路的交流通路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础交流通路交流通路上页上页下页下页后退后退模拟电子技术基础模拟电子技术基础（2）将晶体管微变等效将晶体管微变等效放大电路的微放大电路的微变等效电路变等效电路b ce