材料科学基础经典习题及答案.pdf
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1、第一章 晶面及晶向。2.在六方晶体中,绘出以下常见晶向等。3.写出立方晶体中晶面族100,110,111,112等所包括的等价晶面。4.镁的原子堆积密度和所有 hcp 金属一样,为 0.74。试求镁单位晶胞的体积。已知 Mg 的密度,相对原子质量为 24.31,原子半径 r=0.161nm。5.当 CN=6 时离子半径为 0.097nm,试问:1)当 CN=4 时,其半径为多少?2)当 CN=8 时,其半径为多少?6.试问:在铜(fcc,a=0.361nm)的方向及铁(bcc,a=0.286nm)的方向,原子的线密度为多少?7.镍为面心立方结构,其原子半径为。试确定在镍的(100),(110)
2、及(111)平面上 1中各有多少个原子。8.石英。试问:1)1 中有多少个硅原子(与氧原子)?2)当硅与氧的半径分别为 0.038nm 与 0.114nm 时,其堆积密度为多少(假设原子是球形的)?9.在 800时个原子中有一个原子具有足够能量可在固体内移动,而在 900时个原子中则只有一个原子,试求其激活能(J/原子)。10.若将一块铁加热至 850,然后快速冷却到 20。试计算处理前后空位数应增加多少倍(设铁中形成一摩尔空位所需要的能量为 104600J)。11.设图 1-18 所示的立方晶体的滑移面 ABCD 平行于晶体的上、下底面。若该滑移面上有一正方形位错环,如果位错环的各段分别与滑
3、移面各边平行,其柏氏矢量bAB。1)有人认为“此位错环运动移出晶体后,滑移面上产生的滑移台阶应为 4 个b,试问这种看法是否正确?为什么?2)指出位错环上各段位错线的类型,并画出位错运动出晶体后,滑移方向及滑移量。12.设图 1-19 所示立方晶体中的滑移面 ABCD 平行于晶体的上、下底面。晶体中有一条位错线段在滑移面上并平行 AB,段与滑移面垂直。位错的柏氏矢量b与平行而与垂直。试问:1)欲使段位错在 ABCD 滑移面上运动而不动,应对晶体施加怎样的应力?2)在上述应力作用下位错线如何运动?晶体外形如何变化?为滑移面,位错滑移后的滑移矢量为。1)在晶胞中画出柏氏矢量b的方向并计算出其大小。
4、2)在晶胞中画出引起该滑移的刃型位错和螺型位错的位错线方向,并写出此二位错线的晶向指数。14.判断下列位错反应能否进行。1)2)3)4)15.若面心立方晶体中有b=的单位位错及b=的不全位错,此二位错相遇产生位错反应。1)问此反应能否进行?为什么?2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的类型。16.若已知某晶体中位错密度。1)由实验测得 F-R 位错源的平均长度为,求位错网络中 F-R 位错源的数目。2)计算具有这种 F-R 位错源的镍晶体发生滑移时所需要的切应力。已知 Ni 的Pa,。17.已知柏氏矢量 b=0.25nm,如果对称倾侧晶界的取向差=1及 10,求晶界上位错之间的距离。从计
5、算结果可得到什么结论?18.由 n 个刃型位错组成亚晶界,其晶界取向差为 0.057。设在形成亚晶界之前位错间无交互作用,试问形成亚晶界后,畸变能是原来的多少倍(设形成亚晶界后,)?19.用位错理论证明小角度晶界的晶界能与位向差的关系为。式中和 A 为常数。20.简单回答下列各题。1)空间点阵与晶体点阵有何区别?2)金属的 3 种常见晶体结构中,不能作为一种空间点阵的是哪种结构?3)原子半径与晶体结构有关。当晶体结构的配位数降低时原子半径如何变化?4)在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环?5)计算位错运动受力的表达式为,其中是指什么?6)位错受力后运动方向处处垂直于位错线,在运动过程中是可
6、变的,晶体作相对滑动的方向应是什么方向?7)位错线上的割阶一般如何形成?8)界面能最低的界面是什么界面?9)“小角度晶界都是由刃型位错排成墙而构成的”这种说法对吗?答案 1有关晶面及晶向附图 2.1 所示。421,210,123 346,112,021 0121,0211,0110,0112,00013Mg/m74.1mgNanm1246.0Nir2mm2SiO3Mg/m1010defed,)111(1012a;1113211 6 1102aaa;11021012100aaa;111611121123aaa.111 21112100aaa011 2a 1126a376cm/cm1010cm10
7、410109.7Gnm350.0a;10,10804brRbDRln0Abf 2 见附图 2.2 所示。3 100(100)十(010)+(001),共 3 个等价面。110(110)十()+(101)+()+(011)+(),共 6 个等价面。111(111)+()+()+(),共 4 个等价面。共 12 个等价面。4 单位晶胞的体积为 VCu0.14 nm3(或 1.410-28m3)5(1)0.088 nm;(2)0.100 nm。6Cu 原子的线密度为 2.77106个原子/mm。Fe 原子的线密度为 3.50106个原子/mm。71.6ll013个原子/mm213个原子/mm2;1.
8、861013个原子/mm2。8(1)5.291028个矽原子/m3;(2)0.33。99.0.410-18/个原子。101.061014倍。11(1)这种看法不正确。在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。位错环的柏氏矢量为b,故其相对滑移了一个b的距离。(2)AB为右螺型位错,CD为左螺型位错;BC为正刃型位错,DA为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图 2.3 所示。12(。1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力0,的方向应与 de 位错线平行。(2)在上述切应力作用下,位错线 de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线 de垂直
9、的方向(且在滑移面上)移动。在位错线沿滑移面旋转 360后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。13(1),其大小为,其方向见附图 2.4 所示。(2)位错线方向及指数如附图 2.4 所示。14(1)能。几何条件:b前b后;能量条件:b前2b后2(2)不能。能量条件:b前2b后2,两边能量相等。101011110111111111)121()112()112()211()112()121()211()121()211()211()121()112(1121012ab ab22|1113a232a231a(3)不能。几何条件:b前a/6557,b后a/6111,不能满足。(4)不能。
10、能量条件:b前2a2 b后2(2)b合;该位错为弗兰克不全位错。16(1)假设晶体中位错线互相缠结、互相钉扎,则可能存在的位错源数目个Cm3。(2)Ni1.95107 Pa。17当1,D14 nm;10,D1.4 nm 时,即位错之间仅有 56 个原子间距,此时位错密度太大,说明当角较大时,该模型已不适用。18畸变能是原来的 0.75 倍(说明形成亚晶界后,位错能量降低)。19设小角度晶界的结构由刃型位错排列而成,位错间距为 D。晶界的能量由位错的能量 E 构成,设l为位错线的长度,由附图 2.5 可知,由位错的能量计算可知,取 RD(超过 D 的地方,应力场相互抵消),r0b 和b/D 代入
11、上式可得:式中 20(1)晶体点阵也称晶体结构,是指原子的具体排列;而空间点阵则是忽略了原子的体积,而把它们抽象为纯几何点。(2)密排六方结构。(3)原子半径发生收缩。这是因为原子要尽量保持自己所占的体积不变或少变 原子所占体积 VA原子的体积(4/3r3+间隙体积,当晶体结构的配位数减小时,即发生间隙体积的增加,若要维持上述方程的平衡,则原子半径必然发生收缩。(4)不能。因为位错环是通过环内晶体发生滑移、环外晶体不滑移才能形成。(5)外力在滑移面的滑移方向上的分切应力。(6)始终是柏氏矢量方向。(7)位错的交割。(8)共格界面。(9)否,扭转晶界就由交叉的同号螺型位错构成。第二章 1.说明间
12、隙固熔体与间隙化合物有什么异同。2.有序合金的原子排列有何特点?这种排列和结合键有什么关系?为什么许多有序合金在高温下变成无序?3.已知 Cd,Zn,Sn,Sb 等元素在 Ag 中的固熔度(摩尔分数)极限分别为,它们的原子直径分别为0.3042nm,0.314nm,0.316nm,0.3228nm,Ag 为 0.2883nm。试分析其固熔度(摩尔分数)极限差别的原因,并计算它们在固熔度(摩尔分数)极限时的电子浓度。4.试分析 H、N、C、B 在Fe 和 Fe 中形成固熔体的类型、存在位置和固溶度(摩尔分数)。各元素的原子半径如下:H 为 0.046nm,N 为 0.071nm,C 为0.077
13、nm,B 为 0.091nm,Fe 为 0.124nm,Fe 为 0.126 nm。5.金属间化合物 AlNi 具有 CsCl 型结构,其点阵常数 a=0.2881nm,试计算其密度(Ni 的相对原子质量为 58.71,Al 的相对原子质量为 26.98)。6.,试由此计算两离子的中心距离。223a1113a232a231a1113a11101010lnDEDlEl中心ErRGbE02ln)1(4)ln(1ln)1(4 ln)1(402AbEbGEbDGbb中心中心GbEGb中心,)1(4A)1(40210/5.42Cdx210/20Znx210/12Snx210/7Sbx3Mg/mFe 中的
14、最大固熔度(摩尔分数)分别为,。已知 C、N原子均位于八面体间隙,试分别计算八面体间隙被 C、N 原子占据的百分数。8.为什么只有置换固熔体的两个组元之间才能无限互溶,而间隙固熔体则不能?9.计算在 NaCl 内,钠离子的中心与下列各离子中心的距离(设和的半径分别为 0.097nm 和 0.181nm)。1)最近邻的正离子;2)最近邻的离子;3)次邻近的离子;4)第三邻近的离子;5)最邻近的相同位置。10.某固熔体中含有氧化镁为,。1)试问之质量分数为多少?2),那么该固溶体的密度为多少?11.非晶形材料的理论强度经计算为 G/6G/4,其中 G 为剪切模量。若=0.25,由其弹性性质试估计玻
15、璃(非晶形材料)的理论强度(已知 E=70000Mpa)。12.一陶瓷绝缘体在烧结后含有 1(以容积为准)的孔,其孔长为 13.7mm 的立方体。若在制造过程中,粉末可以被压成含有 24的孔,则模子的尺寸应该是多少?13.一有机化合物,其成分为,。试写出可能的化合物名称。14.画出丁醇的 4 种可能的异构体。20.试述硅酸盐结构的基本特点和类型。21.为什么外界温度的急剧变化可以使许多陶瓷器件开裂或破碎?22.陶瓷材料中主要结合键是什么?从结合键的角度解释陶瓷材料所具有的特殊性能。答案 1 其比较如附表 2.1 所示。附表 2.1 间隙固溶体与间隙化合物的比较 类 别 间隙固熔体 间隙化合物
16、相 同 点 一般都是由过渡族金属与原子半径较小的 C,N,H,O,B 等非金属元素所组成 不同点 晶体结构 属于固熔体相,保持熔剂的晶格类型 属于金属化合物相,形成不同于其组元的新点阵 表达式 用、等表示 用化学分子式 MX,M2X 等表示 机械性能 强度、硬度较低,塑性、韧性好 高硬度、高熔点,甥性、韧性差 2 有序固熔体,其中各组元原子分别占据各自的布拉菲点阵称为分点阵,整个固熔体就是由各组元的分点阵组成的复杂点阵,也叫超点阵或超结构。这种排列和原子之间的结合能(键)有关。结合能愈大,原子愈不容易结合。如果异类原子间结合能小于同类原子间结合能,即 EAB (EAA十 EBB)/2,则熔质原
17、子呈部分有序或完全有序排列。有序化的推动力是混合能参量(mAB1/2(EAA+EBB)m 0,而有序化的阻力则是组态熵;升温使后者对于自由能的贡献(-TS)增加,达到某个临界温度以后,则紊乱无序的固熔体更为稳定,有序固熔体消失,而变成无序固熔体。3在原子尺寸因素相近的情况下,上述元素在 Ag 中的固熔度(摩尔分数)受原子价因素的影响,即价电子浓度 e/a 是决定固熔度(摩尔分数)的一个重要因素。它们的原子价分别为 2,3,4,5 价,Ag 为 1 价,相应的极限固熔度时的电子浓度可用公式 cZA(1 一 xB)ZBxB计算。式中,ZA,ZB分别为 A,B 组元的价电子数;xB为 B 组元的摩尔
18、分数。上述元素在固溶度(摩尔分数)极限时的电子浓度分别为1.43,1.42,1.39,1.31。4-Fe 为体心立方点阵,致密度虽然较小,但是它的间隙数目多且分散,因而间隙半径很小:r四=0.291,R0.0361nm;r八0.154,R0.0191nm。H,N,C,B 等元素熔人。-Fe 中形成间隙固熔体,由于尺寸因素相差很大,所以固熔度(摩尔分数)都很小。例如 N 在-Fe 中的固熔度(摩尔分数)在 590时达到最大值,约为 WN-2,在室温时降至 WN-2;C 在-Fe 中的固溶度(摩尔分数)在 727时达最大值,仅为 WC-2,在室温时降至 WC-2。所以,可以认为碳原子在室温几乎不熔
19、于-Fe 中,微量碳原子仅偏聚在位错等晶体缺陷附近。假若碳原子熔入。-Fe中时,它的位置多在-Fe 的八面体间隙中心,因为。-Fe 中的八面体间隙是210/9.8Cx210/3.10NxNaCl2MgO10/30 x2LiF10/70 x-22O,F,Mg,Li3g/cm3g/cm2C10/1.62w2H10/3.10w2O10/6.27wOHHC94不对称的,形为扁八面体,100方向上间隙半径 r0.154R,而在110方向上,r0.633R,当碳原子熔入时只引起一个方向上的点阵畸变。硼原子较大,熔人间隙更为困难,有时部分硼原子以置换方式熔人。氢在-Fe 中的固熔度(摩尔分数)也很小,且随温
20、度下降时迅速降低。以上元素在-Fe。中的固熔度(摩尔分数)较大一些。这是因为-Fe 具有面心立方点阵,原子堆积致密,间隙数目少,故间隙半径较大:rA0.414,R0.0522nm;r四0.225,R0.0284 nm。故上述原子熔入时均处在八面体间隙的中心。如碳在-Fe 中最大固熔度(质量分数)为 WC-2;氮在-Fe 中的最大固熔度(质量分数)约为 WN-2。5密度5.97 gcm3。6 两离子的中心距离为 0.234 nm。7碳原子占据 10.2的八面体间隙位置;氮原子占据 12.5的八面体间隙位置。8这是因为形成固熔体时,熔质原子的熔入会使熔剂结构产生点阵畸变,从而使体系能量升高。熔质与
21、熔剂原子尺寸相差越大,点阵畸变的程度也越大,则畸变能越高,结构的稳定性越低,熔解度越小。一般来说,间隙固熔体中熔质原子引起的点阵畸变较大,故不能无限互溶,只能有限熔解。9(1)0.278 nm;(2)0.393 nm(3)0.482 nm;(4)0.622 nm;(5)0.393 nm。10(1)WLi+16/10-2,WMg2+24/1020,WF-44/10-2,WO216/10-2(2)该固熔体的密度2.9 gcm3。11故理论强度介于之间,即 49007000 MPa 12模子的尺寸 l15.0 mm。13 故可能是丙酮。14 画出丁醇(C4H9OH)的 4 种可能的异构体如下:20硅
22、酸盐结构的基本特点:(1)硅酸盐的基本结构单元是Si04四面体,硅原子位于氧原子四面体的间隙中。硅氧之间的结合键不仅是纯离子键,还有相当的共价键成分。(2)每一个氧最多只能被两个Si04四面体所共有。(3)Si04四面体可以是互相孤立地在结构中存在,也可以通过共顶点互相连接。(4)SiO-Si 的结合键形成一折线。硅酸盐分成下列几类:(1)含有有限硅氧团的硅酸盐;(2)链状硅酸盐;(3)层状硅酸盐;(4)骨架状硅酸盐。21因为大多数陶瓷主要由晶相和玻璃相组成,这两种相的热膨胀系数相差较大,由高温很快冷却时,每种相的收缩不同,所造成的内应力足以使陶瓷器件开裂或破碎。22陶瓷材料中主要的结合键是离
23、子键及共价键。由于离子键及共价键很强,故陶瓷的抗压强度很高,硬度极高。因为原子以离子键和共价键结合时,外层电子处于稳定的结构状态,不能自由运动,故陶瓷材料的熔点很高,抗氧化性好,耐高温,化学稳定性高。第三章 44.064.0EE1:6:37.1:2.10:2.5994.156.27:00797.13.10:011.121.62:OHC1.试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。2.如果纯镍凝固时的最大过冷度与其熔点(tm1453)的比值为 0.18,试求其凝固驱动力。(H-18075J/mol)3.已知 Cu 的熔点 tm1083,熔化潜热 Lm1.88103J/cm3,比表面能
24、1.44105 J/cm3。(1)3,求临界晶核中的原子数。4.试推导杰克逊(K.A.Jackson)方程 5.铸件组织有何特点?6.液体金属凝固时都需要过冷,那么固态金属熔化时是否会出现过热,为什么?7.3,低密度乙烯(LDPE)为 0.92 g/cm3,而高密度乙烯(HDPE)为 0.96 g/cm3,试计算在 LDPE 及 HDPE 中“资自由空间”的大小。8.欲获得金属玻璃,为什么一般选用液相线很陡,从而有较低共晶温度的二元系?9.比较说明过冷度、临界过冷度、动态过冷度等概念的区别。10.分析纯金属生长形态与温度梯度的关系。11.什么叫临界晶核?它的物理意义及与过冷度的定量关系如何?1
25、2.简述纯金属晶体长大的机制。13.试分析单晶体形成的基本条件。14.指出下列概念的错误之处,并改正。(1)所谓过冷度,是指结晶时,在冷却曲线上出现平台的温度与熔点之差;而动态过冷度是指结晶过程中,实际液相的温度与熔点之差。(2)金属结晶时,原子从液相无序排列到固相有序排列,使体系熵值减少,因此是一个自发过程。(3)在任何温度下,液体金属中出现的最大结构起伏都是晶胚。(4)在任何温度下,液相中出现的最大结构起伏都是核。(5)所谓临界晶核,就是体系自由能的减少完全补偿表面自由能的增加时的晶胚的大小。(6)在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能成核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功
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