模拟电子技术基础期末试题西安交大.pdf
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1、三、计算题(每题 10 分,共 60 分)1某放大电路输入电阻 Ri10k,如果用 1A 电流源驱动,放大电路短路输出电流为 10mA,开路输出电压为 10V。求放大电路接 4k负载电阻时的电压增益 Av、电流增益 Ai、功率增益 Ap。2二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压 VAO。设二极管是理想的。3电路如图题所示,设 BJT 的80,VBE06 V,ICEO、VCES可忽略不计,试分析当开关 S 分别接通 A、B、C 三位置时,BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流 Ic。4电路参数如图所示,FET 工作点上的互导 gm1
2、 ms,设 rdRd。(1)画出电路的小信号模型;(2)求电压增益 Av;(3)求放大器的输入电阻 Ri。5电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压 Vo 的值。6由运放组成的 BJT 电流放大系数的测试电路如图所示,设 BJT 的VBE07 V。(1)求出 BJT 的 c、b、e 各极的电位值;(2)若电压表读数为200mV,试求 BJT 的值。一、选择题(每题 2 分,共 20 分)(1)PN 结加正向电压时,PN 结将。A.变窄 B.基本不变 C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为
3、。A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏(4)在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体。A.五价 B.四价 C.三价(5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A.增大 B.不变 C.减小(6)工作在放大区的某三极管,如果当 IB从 12A 增大到 22A 时,IC从 1mA 变为 2mA,那么它的约为。A.83 B.91 C.100(7)已知变压器副边电压有效值 U2 为 10V,采用桥式整流 RLC3(T/2)(T 为电网电压的周期)。测得输出电压平均值 UO可能的数值为 A.14V B.12V C.9V(8)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正
4、弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大。A交流功率 B直流功率 C交直流功率(9)功率放大电路的转换效率是指。A输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比(10)在 OTL 乙类功放电路中,若最大输出功率为 1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为。A1W B0.5W C 二、判断题(每题 2 分,共 20 分)(1)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()(2)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 RG
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