《电力电子技术及试卷》.pdf

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1、红河学院 20162017 学年秋季学期电力电子技术课程期中考试试卷卷别：卷别：考试单位：工学院考试单位：工学院 考试日期：考试日期：年年月月日日题 号一得 分二三四五六总分得分评卷人一、填空题（每小题 2 分，共 30 分)1、电力电子技术的诞生是以 1957 年美国通用公司研制出第一个标志的.2、电力电子器件一般总是工作在，以减小本身的损耗,提高效率。3、全控型器件电路的主要控制方式为。4、电力电子器件的损耗包括、和。5、晶闸管的开通是靠在其双晶体管模型中形成强烈的，使两个晶体管进入完全饱和状态,从而使晶闸管导通。6、IGBT 内部寄生着一个晶闸管，可能引发 IGBT 的栅极对集电极电流失

2、去控制作用,导致集电极电流增大，造成器件功耗过高而损坏，这种现象称为 .7、电力电子器件的驱动电路采用的隔离技术有和。8、晶闸管的缓冲电路一般采用。9、可控整流电路采用的控制方式是。10、单相桥式全控整流电路，带直流电动机负载工作时，会出现电流断续情况，将导致电动机的机械特性变软，为了克服这个缺点,一般在主电路中直流输出侧串联一个。11、单相桥式半控整流电路，如果输出端不并联续流二极管,会出现。12、可控整流电路中，交流侧 n 次谐波电流的有效值比基波电流的有效值等于 .得分评卷人二、选择题（每小题 2 分，共 18 分)1、下列器件中，（)属于半控型器件.A、SR；B、SCR；C、GTO；D

3、、MOSFET2、IGBT 是一种由（）组成的复合型器件；A、SCR 和 BJT；B、SCR 和 MOSFET；C、GTO 和 MOSFET;D、MOSFET 和 BJT；3、若晶闸管电流有效值是157A，且其阳极和阴极间电压为60sint V，则其额定电流和额定电压分别为（）.A、100A，60V；B、157A，60V;C、100A,30V;D、157A，30V；4、单相桥式全控整流电路,带阻感负载工作时，当=30时，晶闸管的导通角为（）。A、60;B、120；C、150;D、180;5、单相桥式全控整流电路，带阻感负载工作时,的移相范围是（)。A、090;B、0120；C、0150；D、0

4、180；6、三相半波可控整流电路中，为了避免3 次谐波流入电网且获得零线，变压器的接法为（）。A、；B、；C、-；D、；7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时，晶闸管承受的最高正向电压和最高反向电压为（）。A、均为2U2;B、2U2、6U2；C、均为6U2；D、6U2、2U2;8、三相半波可控整流电路带阻感性负载工作时，输出电压的平均值为(）。0.45U2cos；0.9U2cos；1.17U2cos；2.34U2cosA、B、C、D、9、三相桥式可控整流电路工作在有源逆变状态时，逆变角的范围是(）。A、090;B、0120；C、0150；D、0180得分评卷人三、判断题（每小题 1 分，共

5、 9 分)1、电力电子技术可以看成是弱电控制强电的技术，是弱电控制强电的接口。（）2、MOSFET 是一种电流控制型器件。（)3、电力晶体管的集电极电压升高到某一数值时，会出现雪崩击穿现象，这会使管子永久损坏.（）4、智能功率模块 IPM 一般指 IGBT 及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装集成，也称智能 IGBT。（)5、电力电子器件的保护包括:过压保护、过流保护。（）6、晶闸管的串联是为了提高总体的耐压能力,而并联则是为承担较大的电流。（）7、单相半波可控整流电路结构简单，输出电压脉动大，不存在变压器铁心直流磁化问题。（）8、一般情况下，整流电路带阻感性负载时晶闸管的导通角比带电阻性负载

6、时大,所以整流电路输出电压平均值也增大了。(）9、m 脉波整流电路变压器二次侧电流所含谐波次数为 mk 次,而输出直流电压和电流所含谐波次数为mk1 次。（）得分评卷人四、计算题(10 分）单 相 桥 式 全 控 整 流 电 路,带 反 电 势 阻 感 负 载，R=1 ，L=，E=40V,U2100V，LB 0.5mH,当=60时求Ud、Id与的值。得分评卷人五、作图计算题（23 分)三相桥式全控整流电路，U2200V，带阻感性负载，R=10，L=，要求:(1）请作出=0、30、60、90时整流电路输出电压的波形，并作出=30时流过晶闸管VT1 的电流iVT1波形和变压器二次侧a相电流ia的VT1VT3VT5d1idTiaa波形。（2)计算=30时Ud、Id、IdVT和IVT(3)=30时，求晶闸管的额定电压和额定电流；（4）计算此电路在=0时的功率因素;VT4VT6bcudLRVT2d2得分评卷人六、简答题(10 分）1、可控整流电路产生逆变的条件是什么？为了防止逆变失败，最小逆变角应限制在什么范围？（5 分）2、晶闸管在使用的过程中需要考虑哪些保护措施，晶闸管的触发信号有哪些？（5 分）