材料科学基础选择题汇总.pdf

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1、1、极化会对晶体结构产生显著碍事，可使键性由 B过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A:共价键向离子键 B:离子键向共价键C:金属键向共价键 D:键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离B，离子配位数。A:增大，落低 B:减小，落低C:减小，增大 D:增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是C。A:5B:6C:4D:34、NaCl 单位晶胞中的“分子数为 4，Na+填充在 Cl-所构成的B空隙中。A:全部四面体 B:全部八面体C:1/2 四面体 D:1/2 八面体5、CsCl 单位晶胞中的“分子数为 1，Cs+填充在 Cl-所构成的C空隙中。A:全部四

2、面体 B:全部八面体C:全部立方体 D:1/2 八面体6、MgO 晶体属 NaCl 型结构，由一套 Mg 的面心立方格子和一套 O 的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有B个 MgO 分子。A:2B:4C:6D:87、萤石晶体能够瞧作是 Ca2+作面心立方堆积，F-填充了D。A:八面体空隙的半数 B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙 D:全部四面体空隙8、萤石晶体中 Ca2+的配位数为 8，F-配位数为B。A:2B:4C:6D:89、CsCl 晶体中 Cs+的配位数为 8，Cl-的配位数为D。A:2B:4C:6D:810、硅酸盐晶体的分类原那么是B。A:正负离子的个数 B:结构中的硅氧比C:

3、化学组成 D:离子半径11、锆英石 ZrSiO4是A。A:岛状结构 B:层状结构C:链状结构 D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量 Si4+被 Al3+取代，这种现象称为C。A:同质多晶 B:有序无序转变C:同晶置换 D:马氏体转变13.镁橄榄石 Mg2SiO4是A。A:岛状结构 B:层状结构C:链状结构 D:架状结构14、对沸石、萤石、MgO 三类晶体具有的空隙体积相比立，其由大到小的顺序为A。A:沸石萤石MgOB:沸石MgO萤石C:萤石沸石MgOD:萤石MgO沸石15、依据鲍林(Pauling)规那么，离子晶体 MX2中二价阳离子的配位数为 8 时，一价阴离子的配位数为B。A:2B:4C

4、:6D:816、构成硅酸盐晶体的全然结构单元 SiO4四面体，两个相邻的SiO4四面体之间只能A连接。A:共顶共顶B:共面共面C:共棱共棱D:A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是D。A：弗仑克尔缺陷 B：肖特基缺陷C：杂质缺陷 D：A+B18、位错的A是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移 B:攀移C:增值 D:减少19、关于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了维持电中性，会产生D。A:负离子空位 B:间隙正离子C:间隙负离子 D:A

5、或 B20、关于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了维持电中性，会产生D。A:正离子空位 B:间隙负离子C:负离子空位 D:A 或 B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生碍事,要紧表现为D。A:稳定晶格 B:活化晶格C:固溶强化 D:A+B+C22、固溶体的特点是掺进外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中B。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件D:结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要碍事，常见的缺陷为D。A:点缺陷

6、 B:线缺陷C:面缺陷 D:A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的缘故，可将晶体结构缺陷的类型分为D。A:热缺陷 B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷 D:A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是B。A:线性增加 B:呈指数规律增加C:无规律 D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑D。A:杂质质点大小 B:晶体基质结构C:电价因素 D:A+B+C27、位错的滑移是指位错在A作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A:外力 B:热应力C:化学力 D:结构应力28、柏格斯矢量BurgersVector与

7、位错线垂直的位错称为(A)，其符号表示为()。A:刃位错；B:刃位错；VXC:螺位错；D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的缘故所产生的空位或间隙质点原子或离子。当离子晶体生成肖特基缺陷Schottkydefect时，B。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的缘故所产生的空位或间隙质点原子或离子。生成弗仑克尔缺陷F

8、renkeldefect时，A。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，以下讲法不正确的选项是C。A:位错不一定是直线 B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错能够中断于晶体内部 D:位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中A。A:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度数量受D因素的碍事。

9、A:组成 B:温度C:时刻 D:A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量C，粘度。A:落低；增加 B:不变；落低C:增加；落低 D:增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的 O/Si 比高，低聚物C，粘度。A:落低；增加 B:不变；落低C:增加；落低 D:增加；不变36、硅酸盐熔体的粘度随 O/Si 升高而B，随温度下落而。A:增大，落低 B:落低，增大C:增大，增大 D:落低，落低37、由结晶化学瞧点知，具有A的氧化物轻易形成玻璃。A:极性共价键B:离子键C:共价键D:金属键38、Na2OAl2O34SiO2熔体的桥氧数为D。A:1B:2C:3D:439、Na2OCaOAl2

10、O3SiO2 玻璃的桥氧数为B。A:2.5B:3C:3.5D:440、要是在熔体中同时引进一种以上的R2O 时，粘度比等量的一种R2O 高，这种现象为B。A:加和效应 B:混合碱效应C:中和效应 D:交叉效应41、对一般硅酸盐熔体，随温度升高，外表张力将A。A:落低 B:升高C:不变 D:A 或 B42、熔体的组成对熔体的外表张力有特殊重要的碍事，一般情况下，O/Si 减小，外表张力将A。A:落低 B:升高C:不变 D:A 或 B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是C的过程。A:可逆与突变 B:不可逆与渐变C:可逆与渐变 D:不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有C。

11、A:突变性 B:不变性C:连续性 D:A 或 B45、熔体组成对熔体的外表张力有重要的碍事，一般情况下，O/Si 减小，外表张力将A。A落低B升高C不变DA 或 B46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度 Tg的比值Tg/TM接近B易形成玻璃。A:二分之一 B:三分之二C:四分之一 D:五分之一47、可用三TTime-Temperature-Transformation曲曲折折曲曲折折折折曲曲折折曲曲折折折折折折线来讨论玻璃形成的动力学条件，三 T 曲曲折折曲曲折折折折曲曲折折曲曲折折折折折折线前端即鼻尖对应析出 106体积分数的晶体的时刻是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临

12、界冷却速率愈大，那么系统形成玻璃A。A:愈困难 B:愈轻易C:质量愈好 D:质量愈差48、不同 O/Si 比对应着一定的聚拢负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃A。A:越不轻易 B:越轻易C:质量愈好 D:质量愈差49、当熔体中负离子集团以C的歪曲曲折折曲曲折折折折曲曲折折曲曲折折折折折折链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。A:低聚合 B:不聚合C:高聚合 D:A 或 C25、桥氧离子的平均数 Y 是玻璃的结构参数，玻璃的许多性质取决于 Y 值。在形成玻璃范围内，随 Y 的增大，粘度D，膨胀系数。A:增大；不变 B:落低；增大C:不变；落低

13、D:增大；落低50、关于实际晶体和玻璃体，处于物体外表的质点，其境遇和内部是不同的，外表的质点处于A的能阶，因此导致材料呈现一系列特不的性质。A:较高 B:较低C:相同 D:A 或 C51、由于固相的三维周期性在固体外表处陡然中断，外表上原子产生的相关于正常位置的上、下位移，称为B。A:外表收缩 B:外表弛豫C:外表滑移 D:外表扩张52、固体的外表能与外表张力在数值上不相等，一般讲来，同一种物质，其固体的外表能B液体的外表能。A:小于 B:大于C:小于等于 D:等于53、重构外表是指外表原子层在水平方向上的周期性与体内，垂直方向的层间距与体内A。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同

14、D:不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性C，粘附界面的强度。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不变55、离子晶体 MX 在外表力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成外表C，这种重排的结果使晶体外表能量趋于稳定。A:收缩 B:弛豫C:双电层 D:B+C56、外表微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地碍事外表性质，关于脆性材料的强度这种碍事尤为重要，微裂纹长度 ，断裂强度 A。A:越长；越低 B:越长；越高C:越短；越低 D:越长；不变57、界面对材料的性质有着重要的碍事，界面具有D的特性。

15、A:会引起界面吸附 B:界面上原子扩散速度较快C:对位错运动有阻碍作用 D:A+B+C58、只要液体对固体的粘附功B液体的内聚功，液体即可在固体外表自开展开。A:小于 B:大于C:小于等于 D:等于59、当液体对固体的润湿角90时，即在润湿的前提下，外表粗糙化后，液体与固体之间的润湿C。A:更难 B:不变C:更易 D:A 或 B60、当液体对固体的润湿角90时，即在不润湿的前提下，外表粗糙化后，液体与固体之间的润湿A。A:更难 B:不变C:更易 D:A 或 B61、粘附功数值的大小，标志着固-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值 B，固-液两相互相结合；相反，粘附功越小，那么越易不离。A:越大

16、；越松散 B:越大；越牢固C:越小；越牢固 D:越大；不变62、为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力B。A:落低B:升高C:维持不变 D:有时升高，有时落低63、关于附着润湿而言，附着功表示为W=SV+LV-SL，依据这一原理，(A)才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。A:尽量采纳化学组成相近的两相系统B:尽量采纳化学组成不同的两相系统C:采纳在高温时不发生固相反响的两相系统D:前三种方法都不行64、将高外表张力的组分参加低外表张力的组分中往，那么外加组分在外表层的浓度C体积内部的浓度。A:等于 B:大于C:小于 D:A 或 B65、外表微裂纹是由于晶体缺

17、陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地碍事外表性质，关于脆性材料的强度这种碍事尤为重要，微裂纹长度 A，断裂强度。A:越长；越低 B:越长；越高C:越短；越低 D:越长；不变66、吸附膜使固体外表张力B。A:增大 B:减小C:不变 D:A 或 B67、粗糙度对液固相润湿性能的碍事是：CA:固体外表越粗糙，越易被润湿B:固体外表越粗糙，越不易被润湿C:不一定D:粗糙度对润湿性能无碍事68、以下关于晶界的讲法哪种是错误的。AA:晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B:晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C:晶界是原子、空位快速扩散的要紧通道D:晶界易受腐蚀69、相平衡是指在多相体系中，物质在各相间分布的平

18、衡。相平衡时，各相的组成及数量均可不能随时刻而改变，是C。A:尽对平衡B:静态平衡C:动态平衡D:临时平衡70、二元凝聚系统平衡共存的相数最多为 3，而最大的自由度数为A。A:2B:3C:4D:571、热分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是依据系统在冷却过程中温度随时刻的变化情况来判定系统中是否发生了相变化，该方法的特点是D。A:简便B:测得相变温度仅是一个近似值C:能确定相变前后的物相D:A+B72、淬冷法是相平衡的研究的动态方法，其特点是D。A:正确度高B:适用于相变速度慢的系统C:适用于相变速度快的系统D:A+B73、可逆多晶转变是一种同质多晶现象，多晶转变温度A两种晶型的熔点。A:低

19、于B:高于C:等于D:A 或 B74、不可逆多晶转变的多晶转变温度B 种晶型的熔点。A:低于B:高于C:等于D:A 或 B75、在热力学上，每一个稳定相有一个稳定存在的温度范围，超过那个范围就变成介稳相。在一定温度下，稳定相具有C的蒸汽压。A:最高B:与介稳相相等C:最低D:A 或 B76、多晶转变中存在时期转变定律，系统由介稳状态转变为稳定态不是直截了当完成的，而是依次通过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳定状态。最终存在的晶相由D决定。A:转变速度B:冷却速度C:成型速度D:A 与 B77、二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为C。A:3B:2C:1D:078、依据杠杠规那么，在二元凝

20、聚系统的相图中，要是一个总质量为 M 的相分解为质量 G1和 G2的两个相，那么生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的组成点之间线段B。A:成正比 B:成反比C:相等 D:A 或 C79、三元相图中，相界线上的自由度为C。A:3B:2C:1D:080、固体中质点的扩散特点为：(D)。A:需要较高温度 B:各向同性C:各向异性 D:A+C81、在离子型材料中，碍事扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为(C)。A：互扩散 B：无序扩散C：非本征扩散 D：本征扩散82、固体中质点的扩散特点为：DA:需要较高温度 B:各向同性C:各向异性 D:A+C83、扩散之

21、因此能进行，在实质上是由于体系内存在A。A:化学位梯度 B:浓度梯度C:温度梯度 D:压力梯度84、固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大碍事。那么 H、C、Cr 在 -Fe 中扩散的活化能的大小顺序为B。A:QHQCQCrB:QCrQCQHC:QCQHQCrD:QCrQHQC85、晶体的外表扩散系数 Ds、界面扩散系数 Dg和体积扩散系数 Db之间存在 A的关系。A:DsDgDbB:DbDgDsDbD:DgDs空位扩散 B:易位扩散间隙扩散=空位扩散C:易位扩散间隙扩散空位扩散 D:易位扩散间隙扩散空位扩散91、一般晶体中的扩散为D。A:空位扩散 B:间隙扩散C:易位扩散 D:A

22、和 B92、由肖特基缺陷引起的扩散为AA:本征扩散 B:非本征扩散C:正扩散 D:负扩散93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁进邻近原子，而原子反向迁进空位，这种扩散机制适用于C的扩散。A:各种类型固溶体 B:间隙型固溶体C:置换型固溶体 D:A 和 B94、扩散过程与晶体结构有紧密的关系，扩散介质结构A，扩散。A:越紧密；越困难 B:越疏松；越困难C:越紧密；活化能越小 D:越疏松；活化能越大95、不同类型的固溶体具有不同的结构，其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比置换型D。A:难于扩散 B:扩散活化能大C:扩散系数小 D:轻易扩散96、扩散相与扩散介质性质差异越大，B。A:扩散活化能越大 B:扩

23、散系数越大C:扩散活化能不变 D:扩散系数越小97、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的碍事，要紧是通过 D，使得扩散系数增大。A:增加缺陷浓度 B:使晶格发生畸变C:落低缺陷浓度 D:A 和 B98、通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散要紧是A。A:本征扩散 B:非本征扩散C:互扩散 D:A+B99、按热力学方法分类，相变能够分为一级相变和二级相变，一级相变是在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵不相等，因此一级相变B。A:有相变潜热，无体积改变B:有相变潜热，并伴随有体积改变C:无相变潜热，并伴随有体积改变D:无相变潜热，无体积改变100、二级相变是指在相变时两相化学势

24、相等，其一阶偏微熵也相等，而二阶偏微熵不等，因此二级相变D。A:有相变潜热，无体积的不连续性，有居里点B:无相变潜热，有体积的不连续性，有居里点C:无相变潜热，无体积的不连续性，无居里点D:无相变潜热，无体积的不连续性，有居里点101、晶体由一相转化为另一相时，如该相变为一级相变，那么在相变温度时，该过程C。A:自由焓相等，等压热容不等 B:自由焓不相等，体积相等C:自由焓相等，体积不等D:自由焓不相等，等压热容相等102、假设某一体系进行二级相变，那么在相变温度下，二相的C。A:自由焓相等，体积不相等 B:自由焓不相等，体积相等C:自由焓和体积均相等 D:自由焓和体积均不相等103、成核-长

25、大型相变是材料中常见的一种相变，如结晶釉的形成。成核-长大型相变是由A的浓度起伏开始发生相变，并形成新相核心。A:程度大，范围小 B:程度小，范围小C:程度大，范围大 D:以上均不正确104、关于吸热的相变过程，要使相变过程能自发进行，那么必须A。A:过热 B:过冷C:过饱和 D:在相平衡温度保温105、关于放热的相变过程，要使相变过程能自发进行，那么必须：AA:过冷 B:过热C:过饱和 D:在相平衡温度保温106、临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚，临界晶核的半径越大，晶核的形成C。A:越轻易 B:需要更低的能量C:越困难 D:不受碍事107、在相同条件下，非均匀成核与均匀成核比立，非均匀成核D。A:晶核数目更多 B:晶核大小更均匀C:需要更大的过冷度 D:均不对108、在成核生长机制的液固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比立，有如下关系B。A:非均匀成核势垒均匀成核势垒B:非均匀成核势垒均匀成核势垒C:非均匀成核势垒均匀成核势垒D:视具体情况而定，以上三种均可能。