第9章-光电式传感器-《传感器与检测技术(第2版)》课件.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《第9章-光电式传感器-《传感器与检测技术(第2版)》课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第9章-光电式传感器-《传感器与检测技术(第2版)》课件.ppt(107页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第9章光电式传感器知识单元与知识点光电式传感器的类别、基本形式;光电器件及其基本特性;CCD图像传感器的工作原理、分类、特性参数与应用;光纤的传光原理、光纤的主要特性、光纤传感器的组成、分类与应用;光电式编码器(码盘式、脉冲盘式)的结构、工作原理与应用;计量光栅的结构、组成、工作原理与应用。能力点深入理解光电效应、内光电效应、外光电效应、亮电阻、暗电流、全反射、数值孔径、粗误差、莫尔条纹、辨向与细分等基本概念;了解光电式传感器的类别、基本形式;把握各种光电器件的基本特性;会分析CCD图像传感器、光纤、光电式编码器(码盘式、脉冲盘式)和计量光栅的工作原理;把握CCD图像传感器的分类、特性参数,光
2、纤的主要特性、光纤传感器的组成、分类,光电式编码器(码盘式、脉冲盘式)的结构和计量光栅的结构、组成;了解光电式传感器的应用。重难点重点:基本概念;光电器件的基本特性;光电式传感器的工作原理。难点:CCD图像传感器的工作原理、码盘的辨向原理、计量光栅的辨向原理与细分技术。学习要求熟练掌握光电效应、内光电效应、外光电效应、亮电阻、暗电流、全反射、数值孔径、粗误差、莫尔条纹、辨向与细分等基本概念;了解光电式传感器的类别、基本形式;了解各种光电器件的基本特性;掌握CCD图像传感器、光纤、光电式编码器(码盘式、脉冲盘式)和计量光栅的工作原理;了解CCD图像传感器的分类、特性参数,光纤的主要特性、光纤传感
3、器的组成、分类,光电式编码器(码盘式、脉冲盘式)的结构和计量光栅的结构、组成;掌握二进制与循环码的相互转换方法;了解光电式传感器的应用。9.1概述9.1.1 光电式传感器的类别光电式传感器的类别光电式传感器(或称光敏传感器)是利用光电器件把光信号转换成电信号(电压、电流、电阻等)的装置。按工作原理分类光电效应传感器红外热释电探测器固体图像传感器光纤传感器 光电效应传感器光电效应传感器是应用光敏材料的光电效应制成的光敏器件。光电效应:光电效应:因光照引起物体电学特性改变的现象,包括光照射到物体上使物体发射电子,或电导率发生变化,或产生光生电动势等。红外热释电探测器红外热释电探测器主要是利用辐射的
4、红外光(热)照射材料时引起材料电学性质发生变化或产生热电动势原理制成的一类器件。固体图像传感器固体图像传感器结构上分为两大类,一类是用CCD电荷耦合器件的光电转换和电荷转移功能制成CCD图像传感器,一类是用光敏二极管与MOS晶体管构成的将光信号变成电荷或电流信号的MOS金属氧化物半导体图像传感器。光纤传感器光纤传感器它利用发光管(LED)或激光管(LD)发射的光,经光纤传输到被检测对象,被检测信号调制后,光沿着光导纤维反射或送到光接收器,经接收解调后变成电信号。9.1.2 光电式传感器的基本形式光电式传感器的基本形式由光路及电路两大部分组成光路部分实现被测信号对光量的控制和调制电路部分完成从光
5、信号到电信号的转换后的电信号传输与输出等四种基本形式(基于光路的特征)透射式反射式辐射式开关式9.2 光电效应与光电器件光子是具有能量的粒子,每个光子的能量可表示为 光电效应方程 光电效应光电效应:当光照射在某些物体上时,光能量作用于被测物体而释放出电子,即物体吸收具有一定能量的光子后所产生的电效应。9.2.1 外光电效应型光电器件外光电效应:外光电效应:当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时,光子的能量传给光电材料表面的电子,如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量,电子会克服正离子对它的吸引力,脱离材料表面而进入外界空间的现象即外光电效应是在光线作用下,电子逸出物体表面的现象。根据外光电
6、效应做出的光电器件有光电管光电管和光电倍增光电倍增管管。1、光电管及其基本特性、光电管及其基本特性光电管的光照特性曲线1表示(银)氧铯阴极氧铯阴极光电管的光照特性,光电流与光通量呈线性关系。曲线2为锑铯阴极锑铯阴极的光电管光照特性,它呈非线性关系 2、光电倍增管及其基本特性、光电倍增管及其基本特性主要参数主要参数 倍增系数 M阳极电流 光电倍增管的电流放大倍数光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度暗电流光电倍增管的光谱特性9.2.2 内光电效应型光电器件内光电效应内光电效应是指在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的现象内光电效应可分为:因光照引起半导体电阻率变化的光电导效应光电导效
7、应因光照产生电动势的光生伏特效应光生伏特效应 内光电效应分类内光电效应分类光电导效应光电导效应 在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,阻值减低的现象。如光敏电阻光敏电阻光生伏特效应光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池光电池(1)光敏电阻)光敏电阻 1.光敏电阻的结构与工作原理光敏电阻的结构与工作原理光敏电阻是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流
8、)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以下。典型的光敏电阻有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)以及碲化镉汞(Hg1-xCdxTe)系列光敏电阻。光敏电阻的结构光敏电阻结构(a)光敏电阻结构;(b)光敏电阻电极;(c)光敏电阻接线图2.光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数 暗电阻 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻暗电阻,此时流过的电流称为暗电流暗电流。亮电阻 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻亮电阻
9、,此时流过的电流称为亮电流亮电流。光电流 亮电流与暗电流之差光照特性指光敏电阻的光电流I和光照强度之间的关系光敏电阻的光照特性 光谱特性光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系。即光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用,即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的光谱特性 频率特性光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化,即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性,这种惰性通常用时间常数表示,对应着不同材料的频率特性。时间常数:光敏电阻自停止光照起到电流下降为原来的63%所需要的时间。时间常数越小,响应越快。光敏电阻的频率特性 光敏电阻的应用火灾探测PbS的峰值响应波长为2.2um(火焰的特征
10、波长)。由V1、电阻R1、R2和稳压二极管VS构成对光敏电阻R3的恒压偏置电路。当被探测物体的温度高于燃点或被点燃而发生火灾时,物体将发出波长接近于2.2um的辐射(或“跳变”的火焰信号),该辐射光将被PbS光敏电阻接收,使前置放大器的输出跟随火焰“跳变”信号,并经电容C2耦合,由V2、V3组成的高输入阻抗放大器放大。放大的输出信号再送给中心站放大器,由其发出火灾报警信号或自动执行喷淋等灭火动作。(2)光电池)光电池光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。即电源。工作原理:基于“光生伏特效应”。光电池实质上是一个大面积的PN结,当光照射到PN结的一个面,例如P型面时,若光子能量大于半导体材
11、料的禁带宽度,那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子-空穴对从表面向内迅速扩散,在结电场的作用下,最后建立一个与光照强度有关的电动势。光电池种类光电池种类 光电池的种类很多,有硅光电池、硒光电池、锗光电池、砷化镓光电池、氧化亚铜光电池等最受人们重视的是硅光电池硅光电池。具有性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高、能耐高温辐射、价格便宜、寿命长等特点。它不仅广泛应用于人造卫星和宇宙飞船作为太阳能电池,而且也广泛应用于自动检测和其它测试系统中硒光电池硒光电池由于其光谱峰值位于人眼的视觉范围,所以在很多分析仪器、测量仪表中也常常用到。光电池基本特性光谱特性 光电池对不同波长的光
12、的灵敏度是不同的。光电池的光谱特性 光照特性光电池在不同光照度下,其光电流和光生电动势是不同的,它们之间的关系就是光照特性 硅光电池的光照特性 频率特性光电池的PN结面积大,极间电容大,因此频率特性较差。由图可见,硅光电池有较好的频率特性和较高的频率响应,因此一般在高速计算器中采用。温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。硅光电池在1000lx光照下的温度特性曲线如图所示:开路电压随温度的升高而快速下降,短路电流却随温度升高而增加,(在一定温度范围内)它们都与温度成线性关系。温度对光电池的工作影响较大,当它作为测量元件时,最好保证温度恒定,或采取温度补偿措施。硅光电池的温度特
13、性(3)光敏二极管和光敏三极管)光敏二极管和光敏三极管大多数半导体二极管和三极管都是对光敏感的,当二极管和三极管的PN结受到光照射时,通过PN结的电流将增大,因此,常规的二极管和三极管都用金属罐或其它壳体密封金属罐或其它壳体密封起来,以防光照。而光敏管(包括二极管和光敏三极管)则必须使PN结能接收最大的光照射。光电池与光敏二极管、三极管都是光电池与光敏二极管、三极管都是PN结结,它们的主要区别在于:后者的PN结处于反向偏置,无光照时反向电阻很大、反向电流很小,相当于截止状态。当有光照时将产生光生的电子空穴对,在PN结电场作用下电子向N区移动,空穴向P区移动,形成光电流。光敏二极管工作原理光敏二
14、极管工作原理光敏二极管的结构与一般二极管相似、光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。光敏二极管在不受光照射时处于截止状态,只有少数载流子在反向偏压下越过阻挡层,形成微小的反向电流(暗电流)。受光照射时,光子在半导体内被吸收,使P区电子数增多,N区空穴增多,即产生光生电子空穴对,在结电场作用下,电子向N区移动、空穴向P区移动,使PN结的反向电流大为增加,形成光电流,处于导通状态。光生载流子的多少与光照强弱相联系。光敏晶体管u光敏晶体管与一般晶体管很相似,具有两个PN结,只是它的发射极一边做得很大,以扩大光的照射面积。uNPN:大多数光敏晶体管的基极无引出线,当集电极加上相对于发射极为正的电压
15、而不接基极时,集电结就是反向偏压u当光照射在集电结时,就会在结附近产生电子空穴对,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,被正向偏置的发射结发出的自由电子填充,形成光电流Ibu同时空穴使基极与发射极间的电压升高,这样便会有大量发射区的电子流向集电极,形成输出电流Ic,且集电极电流为光电流的倍,所以光敏晶体管有放大作用。光敏管的基本特性光敏晶体管的光谱特性光敏晶体管的光谱特性是指光敏晶体管在照度一定时,输出的光电流(或相对光谱灵敏度)随入射光的波长而变化的关系。对一定材料和工艺制成的光敏管,必须对应一定波长范围(即光谱)的入射光才会响应,这就是光敏管的光谱响应。从图中可以看出:硅光敏晶体管硅光敏晶体
16、管适用于0.41.1 um波长,最灵敏的响应波长为0.80.9um;而锗光锗光敏晶体管敏晶体管适用于0.61.8 um的波长,其最灵敏的响应波长为1.41.5 um。伏安特性指光敏晶体管在照度一定的条件下,光电流与外加电压之间的关系。由图可见,光敏晶体管的光电流比相同管型光敏二极管的光电流大上百倍。光照特性 下图给出了光敏二极管和光敏晶体管的输出电流 和照度 之间的关系。从图中可以看出它们的关系是正相关的:光照度越大,产生的光电流越强。光敏二极管光敏二极管的光照特性曲线的线性较好 光敏三极管光敏三极管在照度较小时,光电流随照度增加缓慢,而在照度较大时(光照度为几千勒克斯)光电流存在饱和现象,这
17、是由于光敏三极管的电流放大倍数在小电流和大电流时都有下降的缘故。频率特性 是光敏二极管或晶体管输出的光电流(或相对灵敏度)与光强变化频率的关系。光敏二极管的频率特性是很好的,其响应时间可以达到10-710-8 s,因此它适用于测量快速变化的光信号。光敏三极管由于存在发射结电容和基区渡越时间,所以,光敏三极管的频率响应比光敏二极管差,而且和光敏二极管一样,负载电阻越大,高频响应越差,因此,在高频应用时应尽量降低负载电阻的阻值。光敏二极管和三极管的主要差别 光电流光敏二极管一般只有几微安到几百微安,而光敏三极管一般都在几毫安以上,至少也有几百微安,两者相差十倍至百倍。光敏二极管与光敏三极管的暗电流
18、则相差不大,一般都不超过1uA。响应时间光敏二极管的响应时间在100ns以下,而光敏三极管为510us。因此,当工作频率较高时,应选用光敏二极管;只有在工作频率较低时,才选用光敏三极管。输出特性光敏二极管有很好的线性特性,而光敏三极管的线性较差。光敏管的应用图为路灯自动控制器电路原理图。VD为光敏二极管。当夜晚来临时,光线变暗,VD截止,V1饱和导通,V2截止,继电器K线圈失电,其常闭触点K1闭合,路灯HL点亮。天亮后,当光线亮度达到预定值时,VD导通,V1截止,V2饱和导通,继电器K线圈带电,其常闭触点K1断开,路灯HL熄灭。数字转速表图(a)是光电式数字转速表的工作原理图。在电动机的转轴上
19、安装一个具有均匀分布齿轮的调制盘,当电动机转轴转动时,将带动调制盘转动,发光二极管发出的恒定光被调制成随时间变化的调制光,透光与不透光交替出现,光敏管将间断地接收到透射光信号,输出电脉冲。图(b)为放大整形电路,当有光照时,光敏二极管产生光电流,使RP2上压降增大,直到晶体管V1导通,作用到由V2和V3组成的射极耦合触发器射极耦合触发器,使其输出U0为高电位;反之,U0为低电位。放大整形电路输出整齐的脉冲信号,转速可由该脉冲信号的频率来确定,该脉冲信号 可送到频率计进行计数,从而测出电动机的转速。每分钟的转速n与脉冲频率f之间的关系为:式中,N为调制盘的齿数。光耦合器光电耦合器件是将发光元件和
20、光敏元件合并使用,以光为媒介实现信号传递的光电器件。为了保证灵敏度,要求发光元件与光敏元件在光谱上要得到最佳匹配光谱上要得到最佳匹配。光电耦合器件将发光元件和光敏元件集成在一起,封装在一个外壳内。光电耦合器件的输入电路和输出电路在电气上完全隔离电气上完全隔离,仅仅通过光的耦合才把二者联系在一起。工作时,把电信号加到输入端,使发光器件发光,光敏元件则在此光照下输出光电流,从而实现电光电的两次转换电光电的两次转换。光电耦合器实际上能起到电量隔离电量隔离的作用,具有抗干扰和单向信号传输抗干扰和单向信号传输功能。光电耦合器件广泛应用于电量隔离、电平转换、噪声抑制、无触点开关等领域。光耦合器的应用-燃气
21、灶的脉冲点火控制器煤气是易燃、易爆气体,所以对燃气器具中的点火控制器的要求是安全、稳定、可靠。因此,电路功能设计要求打火针确认产生火花,才可打开燃气阀门,否则燃气阀门保持关闭,以保证燃气具使用的安全。图为燃气灶高压打火确认电路。在高压打火时,火花电压可达一万多伏,这个脉冲高电压对电路工作影响极大,为了使电路正常工作,采用光电耦合器VLC进行电平隔离,大大增强了电路抗干扰能力。当高压打火针对打火确认针放电时,光耦合器中的发光二极管发光,耦合器中的光敏晶体管导通,信号经V1、V2、V3放大,驱动强吸电磁阀将气路打开,燃气碰到火花即燃烧。如果打火针与确认针之间不放电,则光电耦合器不工作,V1等不导通
22、,燃气阀将保持关闭。9.3 CCD固体图像传感器电荷耦合器件(Charge Couple Device,缩写为CCD)是一种大规模金属氧化物半导体(MOS)集成电路光电器件。它以电荷为信号,具有光电信号转换、存储、转移并读出信号电荷的功能。1.CCD的工作原理的工作原理结构:CCD是由若干个电荷耦合单元组成的。其基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器。它以P型(或N型)半导体为衬底,上面覆盖一层SiO2,再在SiO2表面依次沉积一层金属电极而构成MOS电容转移器件。这样一个MOS结构称为一个光敏元或一个像素。将MOS阵列加上输入、输出结构就构成了CCD器件。P型 MOS光敏元(2)电荷
23、存储原理构成CCD的基本单元是MOS电容器。与其它电容器一样,MOS电容器能够存储电荷。如果MOS电容器中的半导体是P型硅,当在金属电极上施加一个正电压Ug时,P型硅中的多数载流子(空穴)受到排斥,半导体内的少数载流子(电子)吸引到P-Si界面处来,从而在界面附近形成一个带负电荷的耗尽区,也称表面势阱。对带负电的电子来说,耗尽区是个势能很低的区域。在一定的条件下,所加正电压Ug越大,耗尽层就越深,势阱所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。如果有光照射在硅片上,在光子作用下,半导体硅产生了电子-空穴对,光生电子被附近的势阱所吸收,而空穴被排斥出耗尽区。势阱内所吸收的光生电子数量与入射到该势阱附近的
24、光强成正比。(3)电荷转移原理CCD器件基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS光敏元,这些光敏元使用同一半导体衬底;氧化层均匀、连续;相邻金属电极间隔极小。任何可移动的电荷都将力图向表面势大的位置移动。为了保证信号电荷按确定的方向和路线转移,在MOS光敏元阵列上所加的各路电压脉冲要求严格满足相位要求。三相CCD时钟电压与电荷转移的关系(a)三相时钟脉冲波形;(b)电荷转移过程 若两个相邻MOS光敏元所加的栅压分别为 Ug1、Ug2,且Ug1Ug2。因 Ug2高,表面形成的负离子多,则表面势 ,电子的静电位能,则Ug2 吸引电子能力强,形成的势阱深,则1中电子有向2中下移的趋势。若串联很多光敏元,
25、且使 电压依次升高,可形成一个输运电子的路径,实现电子的转移。(4)电荷注入方法电荷注入方法(a)背面光注入;(b)电注入(5)电荷的输出CCD输出端结构输出端结构 当输出二极管加上反向偏压时,转移到终端的电荷在时钟脉冲作用下移向输出二极管,被二极管的PN结所收集,在负载 上形成脉冲电流。输出电流的大小与信号电荷的大小成正比,并通过负载电阻 转换为信号电压 Uo输出。9.3.2 CCD固体图像传感器的分类线阵型CCD图像传感器面阵型CCD图像传感器9.3.3 CCD图像传感器的特性参数光电转移效率光电转移效率 总转移效率分辨率分辨率分辨率是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力,是图像传感器最重
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 传感器与检测技术第2版 光电 传感器 检测 技术 课件
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内