电力电子技术复习-复习.ppt
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1、1勤劳积蓄的必见加增电力电子技术辅导电力电子技术辅导2勤劳积蓄的必见加增国国际电气和气和电子工程子工程师协会(会(IEEE)的)的电力力电子学会将子学会将电力力电子技子技术表述表述为:有效地使用有效地使用电力半力半导体器件,体器件,应用用电路路和和设计理理论以及分析开以及分析开发工具,工具,实现对电能的高效能能的高效能变换和控制的一和控制的一门技技术。3勤劳积蓄的必见加增Newell提出的提出的“倒三角倒三角”定定义义,已,已为为各国所接各国所接受,即把受,即把电电力力电电子学定子学定义为义为一一门门交叉于交叉于电电气气工程三大工程三大领领域:域:电电力力学、学、电子学和控制理子学和控制理论之
2、之间的的边缘科学科学。4勤劳积蓄的必见加增电力力变换分分为四四类:交交流流变直直流流、直直流流变交流、直流交流、直流变直流和交流直流和交流变交流交流 输入输入 输出输出 交流交流(AC)直流直流(DC)直流直流(DC)整流整流 直流斩波直流斩波 交流交流(AC)交流电力控制交流电力控制变频、变相变频、变相逆变逆变 5勤劳积蓄的必见加增电力力电子器件子器件6勤劳积蓄的必见加增电力力电子器件子器件归类 按照器件内部按照器件内部电子子和和空穴空穴两种两种载流子参与流子参与导电的情况的情况 单极型极型:肖特基二极管、:肖特基二极管、电力力MOSFET和和SIT等。等。双极型双极型:基于:基于PN结的的
3、电 力二极管、晶力二极管、晶闸管、管、GTO和和 GTR等。等。复合型复合型:IGBT、SITH 和和MCT等。等。7勤劳积蓄的必见加增电力力电子器件子器件归类 电流电流驱动型器件驱动型器件(双极型器件双极型器件)共共同同特特点点是是:具具有有电电导导调调制制效效应应,因因而而通通态态压压降降低低,导导通通损损耗耗小小,但但工工作作频频率率较较低低,所所需需驱驱动动功功率率大大,驱驱动动电电路路也也比较复杂。比较复杂。电压电压驱动型器件驱动型器件(单极型器件和复合单极型器件和复合型器件型器件)共同特点是:输入阻抗高,所需驱共同特点是:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。动功率
4、小,驱动电路简单,工作频率高。按照驱动电路加在电力电子器件控制端按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,和公共端之间的性质,8勤劳积蓄的必见加增8/89通通态损耗耗是是电力力电子器件功率子器件功率损耗的主要成因。耗的主要成因。当器件的开关当器件的开关频率率较高高时,开关开关损耗耗会随之增会随之增大而可能成大而可能成为器件功率器件功率损耗的主要因素。耗的主要因素。通态损耗断态损耗开关损耗开通损耗关断损耗电力电子器件的功率损耗电力力电子器件一般都工作在开关状子器件一般都工作在开关状态9勤劳积蓄的必见加增晶闸管晶闸管SCR从外形上来看,晶从外形上来看,晶闸管也主要有管也主要有螺栓型螺栓
5、型和和平板型平板型两种封装两种封装结构构。内部是内部是PNPN四四层半半导体体结构。引出构。引出阳极阳极A、阴极阴极K和和门极极(控制端)(控制端)G三个三个联接端。接端。图 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a)外形 b)结构 c)电气图形符号 10勤劳积蓄的必见加增晶晶闸管管导通与关断条件通与关断条件(1)导通的充分必要条件。通的充分必要条件。1)阳极与阴极阳极与阴极间承受正向承受正向电压。2)门极施加相极施加相对阴极来阴极来说为正的脉冲正的脉冲信号。信号。(2)关断条件关断条件为下列之一。下列之一。1)阳极与阴极阳极与阴极间承受反向承受反向电压。2)阳极阳极电流减小到小于流减小到小于维持
6、持电流。流。11勤劳积蓄的必见加增图中阴影部分中阴影部分为晶晶闸管管处于通于通态区区间的的电流波形,流波形,各波形的各波形的电流最大流最大值均均为Im,试计算各波形的算各波形的电流流平均平均值Id1、Id2、Id3与与电流有效流有效值I1、I2、I3。12勤劳积蓄的必见加增图中阴影部分中阴影部分为晶晶闸管管处于通于通态区区间的的电流波形,流波形,各波形的各波形的电流最大流最大值均均为Im,试计算各波形的算各波形的电流流平均平均值Id1、Id2、Id3与与电流有效流有效值I1、I2、I3。13勤劳积蓄的必见加增图中阴影部分中阴影部分为晶晶闸管管处于通于通态区区间的的电流波形,流波形,各波形的各波
7、形的电流最大流最大值均均为Im,试计算各波形的算各波形的电流流平均平均值Id1、Id2、Id3与与电流有效流有效值I1、I2、I3。14勤劳积蓄的必见加增双向晶双向晶闸管(双向可控硅)管(双向可控硅)单向晶向晶闸管只能管只能单向向导电,如果把两个,如果把两个晶晶闸管反向并管反向并联就构成了双向晶就构成了双向晶闸管。管。15勤劳积蓄的必见加增门极可关断晶极可关断晶闸管管GTO16勤劳积蓄的必见加增GTO和普通晶和普通晶闸管同管同为PNPN结构,构,为什么什么GTO能能够自关断,而普通晶自关断,而普通晶闸管不能?管不能?GTO 和普通晶和普通晶闸管同管同为PNPN 结构,由构,由P1N1P2和和N
8、1P2N2构成两个晶构成两个晶体管体管V1、V2,分分别具有共基极具有共基极电流增益流增益a1 和和 a2,由普通晶由普通晶闸管的分析管的分析可得,可得,a1+a2=1 是器件是器件临界界导通的条件。通的条件。a1+a2 1,两个等效晶体管,两个等效晶体管过饱和而和而导通;通;a1+a2 1,不能,不能维持持饱和和导通而关断。通而关断。GTO 之所以能之所以能够自行关断,而普通晶自行关断,而普通晶闸管不能,是因管不能,是因为GTO 与普通晶与普通晶闸管在管在设计和工和工艺方面有以下几点不同:方面有以下几点不同:1)GTO 在在设计时a2较大,大,这样晶体管晶体管V2控制灵敏,易于控制灵敏,易于
9、GTO 关断关断;2)GTO 导通通时的的a1+a2更接近于更接近于1,普通晶普通晶闸管管a1+a2 1.15,而,而GTO 则为a1+a2 1.05,GTO 的的饱和程度不深,接近于和程度不深,接近于临界界饱和,和,这样为门极控制关断提供了有利条件;极控制关断提供了有利条件;3)多元集成多元集成结构使每个构使每个GTO 元阴极面元阴极面积很小,很小,门极和阴极极和阴极间的距离大的距离大为缩短,使得短,使得P2极区所极区所谓的横向的横向电阻很小,从而使从阻很小,从而使从门极抽出极抽出较大的大的电流成流成为可能。可能。17勤劳积蓄的必见加增大功率晶体管大功率晶体管GTR18勤劳积蓄的必见加增电力
10、力场效效应晶体管(晶体管(电力力MOSFET)电力力场效效应晶体管晶体管MOSFET按按导电导电沟道可分沟道可分为为N沟道和沟道和P沟道两大沟道两大类类。当。当栅栅极极电压为电压为零零时时漏源漏源之之间间存在存在导电导电的沟道的称的沟道的称为为耗尽型耗尽型;而当;而当栅极极电压大于或小于零大于或小于零时才存在才存在导电沟道的称沟道的称为增增强型型。19勤劳积蓄的必见加增绝缘栅双极晶体管(双极晶体管(IGBT)20勤劳积蓄的必见加增整流电路整流电路21勤劳积蓄的必见加增 整流整流电电路可根据路可根据输入交流入交流电的不同的不同和所和所采用的方式采用的方式不同分不同分为:1)单单相可控整流和非可控
11、整流相可控整流和非可控整流2)三相可控整流和非可控整流)三相可控整流和非可控整流22勤劳积蓄的必见加增直流平均电压:直流平均电压:单相半波可控整流电路单相半波可控整流电路电阻负载电阻负载电流平均值、有效值电流平均值、有效值23勤劳积蓄的必见加增移相角的范移相角的范围=0时时,=时时,Ud从最大从最大值到最小到最小值,单向半波可控整向半波可控整流流电路的移相角路的移相角的移相范的移相范围是是 0180。24勤劳积蓄的必见加增25勤劳积蓄的必见加增晶晶闸管的管的导通角通角=-,流流过过晶晶闸闸管的平均管的平均电电流流流流过SCR电电流的有效流的有效值值26勤劳积蓄的必见加增单相相桥式全控整流式全控
12、整流电路路电阻负载电阻负载27勤劳积蓄的必见加增1)Ud与与的关系:的关系:2)移相范)移相范围围:当当=0时时,Ud=0.9U2为最大;最大;当当=时时,Ud=0为为最小。最小。故晶故晶闸闸管可移相范管可移相范围为围为0 180。3)Id与与的关系:的关系:整流整流输出的直流平均出的直流平均电流:流:28勤劳积蓄的必见加增4)流)流过过晶晶闸闸管的平均管的平均电电流流IdT:由于晶由于晶闸闸管是两两分管是两两分别导别导通的,每通的,每对对晶晶闸闸管流管流过过一半一半电电流。流。负载负载上平均上平均电电流就分成两半:流就分成两半:5)负载电负载电流的有效流的有效值值:6)流)流过过晶晶闸闸管的
13、管的电电流有效流有效值值29勤劳积蓄的必见加增电感感负载负载电流连续时,整流电负载电流连续时,整流电压平均值压平均值Ud:移相范围:移相范围:090。30勤劳积蓄的必见加增单相相桥式全控整流式全控整流电路,路,U2100V,负载中中R2,L 值极大,当极大,当30时,要求:要求:作出作出ud、id、和和i2的波形的波形;求整流求整流输出平均出平均电压Ud、电流流Id,变压器二次器二次电流有流有效效值I2;考考虑安全裕量安全裕量,确定晶确定晶闸管的管的额定定电压和和额定定电流。流。31勤劳积蓄的必见加增ud、id和和i2的波形如的波形如图32勤劳积蓄的必见加增32/131 整流整流输出平均出平均
14、电压Ud、电流流Id,变压器二次器二次侧电流流有效有效值I2分分别为 Ud0.9 U2 cos 0.9100cos3077.97(A)Id Ud/R77.97/238.99(A)I2Id38.99(A)晶晶闸管承受的最大反向管承受的最大反向电压为:U2100 141.4(V)流流过每个晶每个晶闸管的管的电流的有效流的有效值为:IVTId 6.36(A)故晶故晶闸管的管的额定定电压为:UN(23)141.4283424(V)晶晶闸管的管的额定定电流流为:IN(23)6.361.57812(A)晶晶闸管管额定定电压和和电流的具体数流的具体数值可按晶可按晶闸管管产品品系列参数系列参数选取。取。33勤
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