CMOS模拟集成电路设计ch单级放大器实用.pptx

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1、2023/2/211第1页/共36页2023/2/2121、共源级放大器1.1 电阻做负载的共源级放大器大信号分析cutoffactivetriodeMOS管工作在饱和区时第2页/共36页2023/2/213小信号分析考虑沟道长度调制时，第3页/共36页2023/2/214讨论增益对信号电平的依赖关系导致了非线性n n增大增大W/LW/L、或增大、或增大V VRDRD、或减小、或减小I IDD，都可以提高，都可以提高A Av v。但是，但是，n n较大的器件尺寸，导致较大的器件电容。较大的器件尺寸，导致较大的器件电容。n n较高的较高的V VRDRD会限制最大电压摆幅。会限制最大电压摆幅。n

2、n若若V VRDRD保持常数，减小保持常数，减小I IDD，则必须增大，则必须增大R RDD，导致更大的，导致更大的输出节点时间常数。输出节点时间常数。第4页/共36页2023/2/2151.2 MOS二极管连接做负载的共源级MOS二极管连接二极管连接的阻抗为二极管连接的阻抗为考虑体效应时第5页/共36页2023/2/216增益NMOS二极管连接做负载其中没有体效应PMOS二极管连接做负载第6页/共36页2023/2/217另一种二极管连接nmos管做负载的结构优点？缺点？第7页/共36页2023/2/218另一种二极管连接nmos管做负载的结构电流镜只采用nmos没有体效应增益精确好的PSR

3、R两倍功耗第8页/共36页2023/2/219讨论增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。高增益要求会造成晶体管的尺寸不均衡。例：为了达到10倍增益，则(W/L)1=50(W/L)2在这个例子中，M2的过驱动电压应该是M1的过驱动电压的10倍。若VGS1-VTH1=200mV，|VTH2|=0.7V，|VGS2|=2.7V，严重制约输出电压摆幅。允许的输出电压摆幅减小。第9页/共36页2023/2/21101.3 电流源负载的共源级放大器讨论获得更大的增益M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。长沟器件可以产生高的电压增益。同时增加W、L将引入更大的

4、节点电容。ID AV 考虑沟道长度调制，第10页/共36页2023/2/21111.4 带源级负反馈的共源级放大器小信号直接分析方法这里，没有考虑体效应和沟道长度调制效应讨论增加源级负反馈电阻，使增益是gm的弱函数，实现线性的提高。线性化的获得是以牺牲增益为代价的。当gmRS1,AVRD/RS第11页/共36页2023/2/2112考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为第12页/共36页2023/2/2113小信号等效分析辅助定理：在线性电路中，电压增益等于-GmRout，其中Gm表示输出与地短接时电路的跨导；Rout表示当输入电压为零时电路的输出电阻。线性电路的输出端口可用诺顿定

5、理来等效，可得，输出电压为-IoutRout，定义Gm=Iout/Vin，可得Vout=-GmVinRout。Gm?Rout?诺顿定理：线性有源单口网络等效电流源的恒流源等于有源单口网络的短路电流，内阻等于网络中所有独立源不激励时的端口电阻。第13页/共36页2023/2/2114计算Gm（考虑沟道长度调制及体效应（考虑沟道长度调制及体效应)由于 ，所以因此，第14页/共36页2023/2/2115计算Rout计算流经ro的电流,带入V1，得到：得到所以，输出电阻增大！第15页/共36页2023/2/2116计算AvAv=-Gm(Rout|RD)若忽略rO和gmb的影响，即rO和gmb=0,第

6、16页/共36页2023/2/21172、共漏级放大器（源跟随器）大信号分析当VinVTH时，M1处于截止状态，Vout等于零；Vin增大并超过VTH，M1导通进入饱和区；Vin进一步增大，Vout跟随Vin的变化，且两者之差为VGS。第17页/共36页2023/2/2118小信号分析考虑体效应讨论增益1；当VinVTH时，增益从零开始单调增大；随gm变大，Av接近gm/(gm+gmb)=1/(1+)，=gm/gmb随Vout增大而减小(VSB增加)，所以Av趋近1。第18页/共36页2023/2/2119采用电流源的源跟随器戴维南等效小信号分析（另外一种方法）当rO2=，即考查本征增益本征增

7、益第19页/共36页2023/2/2120考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载，更一般的情况，考虑晶体管的输出电阻、体效应以及输出负载的情况第20页/共36页2023/2/2121讨论即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现。源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。第21页/共36页2023/2/21223、共栅级放大器大信号分析（Vin从某一个大值开始减少）当VinVbVTH时，M1处于关断状态，VoutVDD当Vin较小时，且M1处于饱和区，当Vin即一步减

8、小，Vout也逐步减小，最终M1进入线性区，此时，第22页/共36页2023/2/2123由大信号分析得到小信号增益当M1处于饱和区时（忽略沟道长度调制）讨论：增益是正值；体效应使共栅极的等效跨导变大了；共栅极放大器的输入阻抗较小。因此，因此，而而得到，得到，第23页/共36页2023/2/2124小信号分析（考虑晶体管的输出电阻rO及信号的阻抗Rs）增益第24页/共36页2023/2/2125输入阻抗有，因为若则，第25页/共36页2023/2/2126输出阻抗与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。因此，输出电阻，第26页/共36页2023/2/21274、共源共栅级放大器偏置条件

9、使M1，M2都处于饱和区，大信号分析VinVTH1，M1，M2处于截止状态，Vout=VDD，且VxVbVTH2（忽略亚阈值导通）VinVTH1，开始出现电流，Vout下降，Vx下降。如果Vin足够大，M1或M2将进入线性区。（与器件尺寸、RD及Vb有关）第27页/共36页2023/2/2128小信号分析增益两个集体管均工作在饱和区；若0，由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅极电路，所以，Av=Vout/Vin=-gm1V1RD/Vin当忽略沟道长度调制效应时，共源共栅级放大器的电压增益与共源级放大器的电压增益相同。Av=Vout/Vin=-gm1RD而V1=Vin，所以第28页/共36

10、页2023/2/2129输出阻抗（考虑两管的沟道长度调制效应）电路可以看成带负反馈rO1的共源级，因此，第29页/共36页2023/2/2130讨论精确电压增益计算见教材例3.15，留给同学自学。Rout（gm2gmb2）rO1rO2，可见M2将M1的输出电阻提高了（gm2gmb2）rO2倍。具有屏蔽特性。屏蔽输入器件，不受输出结点影响。根据线性电路电压增益等于-GmRout，增大Rout可以提高增益。例子：粗略计算，得到第30页/共36页2023/2/2131n n讨论（续）讨论（续）n可用来构成恒定电流源。高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。采用PMOS的共源共栅结构，电流源的表现的输出阻抗为因此，而Gmgm1，所以，电压增益近似等于n消耗较大的电压余度，采用共源共栅电流源的共源共栅放大器的最大输出摆幅第31页/共36页2023/2/2134小结小信号增益输出电阻输入电阻摆幅线性度共源级电阻负载二极管负载忽略忽略小较好带源级负反馈忽略好共漏极（电流源负载）忽略忽略小差共栅极忽略共源共栅级（电流源负载）小直流或低频下！第34页/共36页2023/2/2135小结电路仿真是必不可少的！不要让计算机替你去思考！第35页/共36页2023/2/2136感谢您的欣赏！第36页/共36页