亳州汽车芯片项目申请报告_模板.docx
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1、泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告目录目录第一章第一章 项目建设背景及必要性分析项目建设背景及必要性分析.7一、CMOS:汽车智能化程度与传感器数量成正比,CMOS 兼具成本、性能优势,份额占比不断提高.7二、功率半导体:电能转换与电路控制的核心器件,关注 IGBT、SiC 器件的增量机遇.11三、汽车“三化”推动汽车电子规模不断扩张.16四、完善科技创新体制机制.19五、项目实施的必要性.21第二章第二章 总论总论.22一、项目概述.22二、项目提出的理由.23三、项目总投资及资金构成.24四、资金筹措方案.25五、项目预期经济效益规划目标.25六、项目建设进度规划.26七、环境影响.26八
2、、报告编制依据和原则.26九、研究范围.27十、研究结论.28十一、主要经济指标一览表.28主要经济指标一览表.28泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告第三章第三章 市场分析市场分析.31一、汽车电子位于产业链中游,相比普通消费电子具有更高行业门槛.31二、汽车电动化、智能化拉动汽车半导体需求.32第四章第四章 项目建设单位说明项目建设单位说明.36一、公司基本信息.36二、公司简介.36三、公司竞争优势.37四、公司主要财务数据.38公司合并资产负债表主要数据.38公司合并利润表主要数据.39五、核心人员介绍.39六、经营宗旨.41七、公司发展规划.41第五章第五章 产品方案与建设规划产品方案
3、与建设规划.47一、建设规模及主要建设内容.47二、产品规划方案及生产纲领.47产品规划方案一览表.47第六章第六章 建筑技术分析建筑技术分析.50一、项目工程设计总体要求.50二、建设方案.51三、建筑工程建设指标.52建筑工程投资一览表.52泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告第七章第七章 SWOT 分析分析.54一、优势分析(S).54二、劣势分析(W).55三、机会分析(O).56四、威胁分析(T).56第八章第八章 发展规划分析发展规划分析.62一、公司发展规划.62二、保障措施.66第九章第九章 法人治理结构法人治理结构.69一、股东权利及义务.69二、董事.74三、高级管理人员.7
4、9四、监事.81第十章第十章 原辅材料供应原辅材料供应.83一、项目建设期原辅材料供应情况.83二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.83第十一章第十一章 项目环保分析项目环保分析.84一、编制依据.84二、环境影响合理性分析.84三、建设期大气环境影响分析.85四、建设期水环境影响分析.89泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告五、建设期固体废弃物环境影响分析.89六、建设期声环境影响分析.89七、环境管理分析.90八、结论及建议.92第十二章第十二章 人力资源配置分析人力资源配置分析.94一、人力资源配置.94劳动定员一览表.94二、员工技能培训.94第十三章第十三章 节能分析节能分析.96一
5、、项目节能概述.96二、能源消费种类和数量分析.97能耗分析一览表.98三、项目节能措施.98四、节能综合评价.99第十四章第十四章 投资方案投资方案.101一、投资估算的编制说明.101二、建设投资估算.101建设投资估算表.103三、建设期利息.103建设期利息估算表.104四、流动资金.105流动资金估算表.105泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告五、项目总投资.106总投资及构成一览表.106六、资金筹措与投资计划.107项目投资计划与资金筹措一览表.108第十五章第十五章 项目经济效益项目经济效益.110一、经济评价财务测算.110营业收入、税金及附加和增值税估算表.110综合总成本
6、费用估算表.111固定资产折旧费估算表.112无形资产和其他资产摊销估算表.113利润及利润分配表.115二、项目盈利能力分析.115项目投资现金流量表.117三、偿债能力分析.118借款还本付息计划表.119第十六章第十六章 招标、投标招标、投标.121一、项目招标依据.121二、项目招标范围.121三、招标要求.122四、招标组织方式.124五、招标信息发布.128第十七章第十七章 总结总结.129泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告第十八章第十八章 附表附件附表附件.131建设投资估算表.131建设期利息估算表.131固定资产投资估算表.132流动资金估算表.133总投资及构成一览表.13
7、4项目投资计划与资金筹措一览表.135营业收入、税金及附加和增值税估算表.136综合总成本费用估算表.137固定资产折旧费估算表.138无形资产和其他资产摊销估算表.139利润及利润分配表.139项目投资现金流量表.140泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告第一章第一章 项目建设背景及必要性分析项目建设背景及必要性分析一、CMOS:汽车智能化程度与传感器数量成正比,:汽车智能化程度与传感器数量成正比,CMOS 兼具成兼具成本、性能优势,份额占比不断提高本、性能优势,份额占比不断提高图像传感器主要用于实现光学信息的感知与处理。图像传感器是利用感光单元阵列和辅助控制电路将光学信号转变为电学信号的一种
8、常见传感器。图像传感器的主要工作原理为利用感光二极管实现光电信号的转换,再对感光单元输出的电学信号进行加工处理,从而实现对色彩、亮度等光学信息的感知与处理。其中,每个感光单元对应图像传感器的一个像素,像素的数量与质量直接决定了图像传感器的最终成像效果。汽车智能化程度与搭载传感器数量成正比。一般来说,新能源汽车的智能化程度与汽车所搭载的传感器数量成正比,赛迪智库指出,L5 级无人驾驶车辆中的传感器数目可达 32 个。短期来看,传感器市场的需求主要为摄像头和毫米波雷达,未来单一种类传感器无法胜任 L4及 L5 完全自动驾驶的复杂情况与安全冗余,以激光雷达、毫米波雷达等为核心的多传感器融合成为必然趋
9、势。智能网联车渗透率提高驱动单车摄像头配置数量提升,进而拉动图像传感器需求。智能网联汽车技术路线图 2.0指出,市场应用方面,2020-2025 年 L2-L3 级的智能网联汽车销量占当年汽车总销量的比泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告例将超过 50%,L4 级智能网联汽车开始进入市场;2026-2030 年,L2-L3 级的智能网联汽车销量占当年汽车总销量的比例将超过 70%,L4 级车辆在高速公路广泛应用,在部分城市道路规模化应用;到 2031-2035年,各类网联汽车、高速自动驾驶车辆广泛运行。而汽车产业中长期规划指出,2025 年高度和完全自动驾驶将完全进入市场。报告显示,L1/2 级
10、别主要安装倒车或环视摄像头,L3 级还会安装前视摄像头;L4/5 级基本会囊括各种类型的摄像头。随着智能网联车渗透率迅速提高和自动驾驶技术路径的不断推进,车载镜头作为自动驾驶的重要组成部分,有望迎来快速发展的黄金时期。根据 Yole 数据显示,2018 年全球平均每辆汽车搭载摄像头数量为 1.7 颗,到 2023 年将增加至约 3 颗。图像传感器是车载摄像头的最大成本构成。从车载摄像头的成本构成看,图像传感器是车载摄像头的核心技术,成本占比高达 50%,常见的图像传感器包括 CMOS(互补金属氧化物半导体)和 CCD(电荷耦合器件),目前 CMOS 是主流的车载传感器;模组封装、光学镜头、红外
11、滤光片和音圈马达成本占比分别为 25%、14%、6%和 5%。CMOS 传感器是最重要的图像传感器类型,成本及性能优势凸显。图像传感器主要分为CCD图像传感器(ChargedCoupledDeviceImageSensor,电荷耦合器件图像传感器)和泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告CMOS图像传感器(ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorImageSensor,互补金属氧化物半导体图像传感器)两大类,二者区别主要在于在于二者感光二极管的周边信号处理电路和对感光元件模拟信号的处理方式不同。与 CCD 相比,CMOS 图像传感器中每个感光元件均能够直接集成放
12、大电路和数模转换电路,无需进行依次传递和统一输出,再由图像处理电路对信号进行进一步处理,CMOS 图像传感器具有成本低、功耗小等特点,且其整体性能随着产品技术的不断演进而持续提升。目前手机仍是 CMOS 图像传感器最主要的应用领域,汽车电子份额有望快速增长。目前,手机是 CMOS 图像传感器的主要应用领域,其他主要下游应用还包括平板电脑、笔记本电脑等其他电子消费终端,以及汽车电子、安防监控设备、医疗影像等领域。根据 Frost&Sullivan统计,2019 年,全球智能手机及功能手机 CMOS 图像传感器销售额占据了全球 73.0%的市场份额,平板电脑、笔记本电脑等消费终端 CMOS 图像传
13、感器销售额占据了全球 8.7%的市场份额。至 2024 年,以汽车为代表的新兴领域应用将推动 CMOS 图像传感器持续增长,份额占比有望提升。CMOS 成本&性能优势明显,预计市场规模将快速扩张。CMOS 图像传感器具有集成度高、标准化程度高、功耗低、成本低、体积小、图泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告像信息可随机读取等一系列优点,从 90 年代开始获得重视并获得大量研发资源,其下游应用场景较广,包括智能手机、汽车、安防、工业和医疗等,市场需求稳步扩张。根据 Omdia 统计,2019 年全球 CMOS 图像传感器市场规模为 157 亿美元,预计 2024 年全球 CMOS 图像传感器市场规模
14、将达到 215 亿美元;2019 年中国 CMOS 图像传感器市场规模为98 亿美元,占全球市场规模比重为 62.8%,预计 2024 年中国 CMOS 图像传感器市场规模将达到 125 亿美元。CMOS 图像传感器市场份额稳步提升。根据 Frost&Sullivan 统计,2012 年,全球图像传感器市场规模为 99.6 亿美元,其中 CMOS 图像传感器和 CCD 图像传感器占比分别为 4%和 44.6%。随着 CMOS 图像传感器设计水平及生产工艺的不断成熟,其性能及成本上的综合优势凸显,逐渐取代了部分 CCD 图像传感器的市场份额。至 2019 年,全球图像传感器市场规模增长至 198
15、.7 亿美元,而 CMOS 图像传感器占比增长至83.2%。预计到 2024 年,全球图像传感器市场规模将达到 267.1 亿美元,实现 6.1%的年均复合增长率,而 CMOS 图像传感器的市场份额也将进一步提升至 89.3%。从全球竞争格局来看,CMOS 图像传感器主要由索尼、三星、韦尔股份占据绝对主导地位,2019 年合计市场份额约 80%,其中,索尼、三星均采用 IDM 经营模式,在芯片设计和制造工艺方面均有一定积泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告累,韦尔股份采用 Fabless 经营模式,通过与代工厂深层次合作,缩小与 IDM 厂商在工艺方面的差距。目前,国内厂商加速布局,有望在高像素
16、技术、车载应用、产能扩张等方面实现新突破。二、功率半导体:电能转换与电路控制的核心器件,关注功率半导体:电能转换与电路控制的核心器件,关注 IGBT、SiC 器件的增量机遇器件的增量机遇功率半导体是电能转换与电路控制的核心器件。主要功能为改变电路中的电压、电流、频率、导通状态等物理特性,以实现对电能的管理。功率半导体在电子电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用,广泛应用于汽车、工业控制、轨道交通、消费电子、发电与配电、移动通讯等电力电子领域,其实现电力转换的核心目标是提高能量转换率、减少功率损耗。功率半导体从早起简单的二极管向高性能、集成化方向发展。按类别划分,功率半导体
17、可分为功率器件和功率 IC 两大类,其中功率器件主要包括二极管、晶体管和晶闸管,晶体管根据应用领域和制程不同又可分为 IGBT、MOSFET 和双极型晶体管等;功率 IC 属于模拟 IC,包含电源管理 IC、驱动 IC、AC/DC 和 DC/DC 等。为满足更广泛的应用需求和复杂的应用环境,器件设计及制造难度逐渐提高。功率半导体器件根据不同的器件特性分别应用于不同应用领域,二极管、晶闸管等器件生产工艺相对简单,在中低端领域大量使用;IGBT、MOSFET 等泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告器件更多应用于高压、高可靠性领域,器件结构相对复杂并且生产工艺门槛较高,成本较高,在新能源汽车、轨道交通
18、、工业变频等领域广泛使用。功率半导体下游应用广泛,几乎涵盖所有电子制造业。功率半导体的主要作用是电力转换和功率控制,核心目标为提高能量转换效率并减少功耗,其下游应用广泛,几乎涵盖所有电子制造业。从下游应用领域的占比来看,汽车是功率半导体最主要的下游应用领域,2019年全球功率半导体细分市场规模占比从高到低依次为:汽车(35%)、工业(27%)、消费电子(13%)和其他(25%)领域;国内市场方面,2019 年汽车、消费电子、工业电源、电力、通信等其他领域占功率半导体下游应用比重分别为 27%、23%、19%、15%和 16%。功率半导体市场结构:电源管理 IC、MOSFET 和 IGBT 位列
19、前三。从市场结构来看,电源管理 IC、MOSFET 和 IGBT 为我国功率半导体占比最高的三个分支。根据 IHS 数据,截至 2018 年,我国电源管理 IC市场规模为 84.3 亿美元,份额占比达 61%,MOSFET 和 IGBT 份额分别为 20%和 14%,三者占比合计达 95%。近几年,受益下游消费电子、通讯行业和新能源汽车的快速发展,电源管理 IC 市场维持稳健增长态势,而未来随着新能源汽车行业快速发展,IGBT 和 MOSFET 有望步入快速发展期。而在功率器件方面,MOSFET、功率二极管和 IGBT 是功率器泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告件中最重要的三个细分领域。从市场
20、份额看,根据 Yole 数据,2017 年全球 MOSFET 规模占功率器件市场的 35.4%,位列第一,功率二极管和IGBT 市场份额分别为 31.3%和 25.0%,分列第二、三位。汽车是功率最主要的下游应用领域,新能源汽车驱动功率市场发展。从下游应用领域看,汽车是功率半导体最主要的下游应用领域,2019 年细分市场规模占比达 35%。随着社会经济的快速发展及技术工艺的不断进步,新能源汽车及充电桩、智能装备制造、物联网、新能源发电、轨道交通等新兴应用领域逐渐成为功率半导体的重要应用市场,带动功率半导体需求快速增长。以新能源汽车为例,电驱系统是新能源汽车的动力源,相当于传统汽车的发动机和变速
21、箱,是新能源汽车的核心部件。随着新能源汽车逐步渗透,对应功率半导体市场规模也有望迎来快速增长。根据 Omdia 统计,预计 2024 年功率半导体全球市场规模将达到 538 亿美元,中国作为全球最大的功率半导体消费国,预计 2024 年市场规模达到 197 亿美元,占全球场比重为 36.6%。IGBT是工控领域的核心。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)全称为绝缘栅双极晶体管,结构上由 BJT 和 MOSFET 组合而成,兼具 MOSFET 输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和 BJT 通态电流大、导通压降低、损耗小等优点,是未来功率半导体应用
22、的主要发展方向之一。IGBT 是一泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告个非通即断的开关器件,通过栅源极电压的变化控制其关断状态,能够根据信号指令来调节电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的,是能量变换与传输的核心器件。行业格局:英飞凌保持领先,国内企业合计市场份额较低。根据Omdia 统计,全球 IGBT 市场竞争格局较为集中,2019 年全球前五大IGBT 标准模块厂商分别为英飞凌、三菱电机、富士电机、赛米控和日立功率半导体,合计市场份额约 70%,其中英飞凌市场份额接近 37%;在中国 IGBT 市场中,英飞凌仍保持领先的市场份额,国内企业合计市场份额较低,有巨大的发展空间。新能源汽
23、车拉动 IGBT 需求。IGBT 模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用,是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分显著,根据英飞凌年报显示,新能源汽车中功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的 5 倍以上。其中,IGBT 约占新能源汽车电控系统成本的37%,是电控系统中最核心的电子器件之一,因此,未来新能源汽车市场的快速增长,有望带动以 IGBT 为代表的功率半导体器件的价值量显著提升,从而有力推动 IGBT 市场的发展。EVTank 指出,2018 至 2025年我国新能源汽车 IGBT 市场规模将从 38 亿元增长至 165 亿元
24、,2018-2025 年复合增长率为 23.33%。泓域咨询/亳州汽车芯片项目申请报告IGBT 模块方面,从 2020 年全球 IGBT 模块应用占比来看,工业控制占比 33.5%,是目前 IGBT 最大的应用领域,新能源汽车占比14.2%。Omdia 指出,未来,汽车电动化、智能化推动车规级 IGBT 成为增长最快的细分领域,新能源汽车在 2024 年将超过工业控制成为 IGBT最大的下游应用领域,年均复合增长率达到 29.4%,远超行业平均增速。SiC:SiC 为代表的第三代半导体具有较高功率密度,适用于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。目前车规级半导体主要采用硅基材料,但受自身性能极限
25、限制,硅基器件的功率密度难以进一步提高,硅基材料在高开关频率及高压下损耗大幅提升。与硅基半导体材料相比,以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。SiC 器件整体成本仍处于较高水平,未来有望逐步下降。与传统硅基材料相比,SiC 在能量损耗、封装尺寸和工作频率等方面优势明显,但由于在生产成本但由于生产设备、制造工艺、良率与成本的劣势,碳化硅基器件过去仅在小范围内应用。目前国际主流 SiC 衬底尺寸为 4英寸和 6 英寸,晶圆面积较小、芯片裁切效率较低、单晶衬底及外延良率较低导致 SiC 器件成本高昂
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