晶闸管触发电路优秀PPT.ppt
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1、晶闸管触发电路你现在浏览的是第一页,共123页4.1 对触发电路的要求对触发电路的要求 图图4-1 晶闸管门极伏安特性晶闸管门极伏安特性 你现在浏览的是第二页,共123页1)对触发信号功率的要求 触发信号应有足够的功率(电压与电流)。由晶闸管原理可知,门极与阴极之间可近似看成一个PN结,其典型伏安特性曲线如图4-1所示。由于同一型号元件的门极伏安特性分散性很大,因此规定元件的门极阻值在某高阻(曲线OD)和低阻(曲线OG)之间,才可能算合格产品。你现在浏览的是第三页,共123页元件出厂时,给出的触发电流IGT和触发电压UGT不是元件的触发容许值,而是指该型号的所有合格元件都能被触发的最小门极电流
2、、电压值。因此,在接近坐标原点以IGT、UGT为界划出OABCO区域,在此区域内为不可靠触发区。在元件门极极限电流、电压和功率曲线包围下,面积ABCDEFG(图中剖面线部分)为允许可靠触发区,所有合格的元件其触发电流与触发电压均应落在这个区域。在正常使用时,触发电路送至门极的触发电流与触发电压均应处于这个区域。你现在浏览的是第四页,共123页另外,即使是同一个元件,在温度不同时,其触发电流与触发电压也不同。通常可这样估算,在100高温时,其触发电流与触发电压值比约为室温时的1/21/3;在-40低温时,其触发电流与触发电压比室温时高23倍。因此,为使所有合格的元件在各种可能的工作条件下都能可靠
3、触发,触发电路送出的触发电流与触发电压必须大于元件门极规定触发电流IGT与触发电压UGT的最大值,并留有足够的裕量。当触发电压为脉冲形式时,只要触发功率不超过规定值,则电压、电流的幅值短时间内可大大超过额定值。你现在浏览的是第五页,共123页)对触发信号波形的要求触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,以使元件在触发导通后阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。对于大电感负载,由于电感的阻碍作用,电流上升较慢,当触发脉冲宽度不够而阳极电流还没有上升到掣住电流时,脉冲就已经消失,因此触发脉冲通常要大于1 ms,相当于工频50 Hz、18电度角。即使是电阻性负载,因受元件动态参数上升时间的影响
4、,脉宽也要大于2050 s。为了快速而可靠地触发大功率晶闸管,通常在窄脉冲的前沿叠加上一个强触发脉冲,波形如图4-2所示。强触发脉冲前沿t1时间内的电流上升率应大于0.5 A/s,强脉冲宽度t2应大于50 s,脉冲持续时间t3应大于550 s,以达到快速触发与准时触发的目的。对于三相全控桥电路,脉宽要大于60或采用双窄脉冲。你现在浏览的是第六页,共123页图4-2 理想触发脉冲波形你现在浏览的是第七页,共123页图4-3 整流装置图 你现在浏览的是第八页,共123页3)触发脉冲的同步及移相范围为使晶闸管在每个周期都在相同的控制角触发导通,触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压(也就是电源)同步,且脉冲
5、与电源波形保持固定的相位关系。移相触发的结构如图4-3所示,触发电路同时受控制电压Uc与同步电压us(同步电压与晶闸管的阳极电压同频率且有一定的相位关系)控制。控制电压Uc使脉冲在要求范围内移相,同步电压us使脉冲与电源电压同步,保证每一个周期内控制角恒定,以得到稳定的直流电压。为了使电路在给定范围内工作,必须保证触发脉冲能在相应范围内进行移相。例如三相半波电路带电阻性负载,要求移相范围为0150;带大电感负载(电流连续)时若只要求整流,则要求移相范围为090,若既要整流又要逆变,则移相范围为0180;三相全控桥式整流电路若带电阻性负载,则移相范围为0120,若既要整流又要逆变,则移相范围为0
6、180。为保证逆变工作可靠,对最小逆变角min应加以限制。你现在浏览的是第九页,共123页图4-3整流装置图你现在浏览的是第十页,共123页4)防止干扰与误触发晶闸管的误导通往往是由于干扰信号进入门极电路而引起的,因此需要对触发电路进行屏蔽、隔离等抗干扰措施。你现在浏览的是第十一页,共123页4.2 单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路 4.2.1 单结晶体管的结构与工作原理单结晶体管的结构与工作原理1 结构结构单结晶体管结构示意图如图4-4(a)所示。在一块高电阻率的N型硅半导体基片上引出两个电极:第一基极b1与第二基极b2。这两个基极之间的电阻Rbb即是基片的电阻,约212 k。在两基极之
7、间,靠近b2极处设法掺入P型杂质铝,引出电极称为发射极e。所以,它是一种特殊的半导体器件,有三个引出端,只有一个PN结,故称单结晶体管,又称双基极二极管。其等效电路、符号与管脚如图4-4(b)、(c)、(d)所示,Rb1、Rb2分别为e极与b1、b2之间的基片电阻。你现在浏览的是第十二页,共123页图4-4 单结晶体管的构造与符号 你现在浏览的是第十三页,共123页2 2特性及工作原理特性及工作原理将单结晶体管接成如图4-5所示的实验电路,称Ubb为基极电压,Ue随发射极电流变化,称为发射极电压。图4-5 单结晶体管试验电路 你现在浏览的是第十四页,共123页(1)当S1断开、S2闭合时,外加
8、基极电压Ubb由Rb1、Rb2分压,则管子中A点对b1点之间的电压UA为(A点在管子内部,无法直接测量)(4-1)式中单结晶体管分压比,由管子内部结构决定,通常在0.30.9之间。你现在浏览的是第十五页,共123页 (2)当Ubb断开,Ibb=0,S1闭合加上Ue时,二极管VD与Rb1组成串联电路。发射极电压与电流的伏安特性如图4-6中最下边一条曲线所示,与二极管正向特性接近。(3)若管子加上一定的基极电压Ubb(10 V),Ue从零开始增大,当UeUA=Ubb时,二极管VD反偏,只有很小的反向漏电流,Ie为负值。当Ue增大到与UA相等时,二极管VD零偏,Ie=0,对应于图4-6中曲线上b点。
9、当Ue再增大,UeUP后,单结晶体管从截止区迅速经过负阻区到达谷点V,在负阻区不能停留。你现在浏览的是第十八页,共123页当Ie再继续增大,空穴注入N区增大到一定程度时,部分空穴来不及与基区电子复合而出现空穴剩余,使空穴继续注入遇到阻力,相当于Rb1变大。因此在谷点V之后,元件又恢复正阻特性,Ue随Ie的增大而缓慢增大,工作由负阻区进入饱和区。显然,UV是维持管子导通时的最小发射极电压,一旦出现UeUV时,管子将重新截止。当Ubb改变时,UP也随之改变,由此可以得到一组伏安特性。在触发电路里,通常选用分压比较大、谷点电压UV小一些以及IV大的管子,这样可使输出脉冲幅值大,调节电阻范围宽。你现在
10、浏览的是第十九页,共123页表表4-1 单结晶体管参数表单结晶体管参数表 你现在浏览的是第二十页,共123页4.2.2 单结晶体管自激振荡电路单结晶体管自激振荡电路利用单结晶体管的负阻特性与RC电路的充放电特性可组成自激振荡电路,产生频率可变的脉冲,其电路如图 4-7(a)所示。当加上直流电压U后,一路经R2、R1在单结晶体管两个基极之间按分压比分压;另一路经Re对电容C充电。发射极电压ue为电容两端电压uC,按指数曲线渐渐上升,如图4-7(b)所示。当uC Up时,管子e、b1之间处于截止状态。随着uC(ue)值的增大,电容电压uC充到刚开始大于Up的瞬间,管子e、b1间的电阻突然变小(降为
11、20 左右)而开始导通,电容上的电荷通过e、b1迅速向电阻R1放电。由于放电回路电阻很小,放电时间很短,因此在R1上得到很窄的尖脉冲。当uC(ue)小于谷点电压UV时,管子从导通又转为截止,电容C又开始充电,电路不断振荡,在电容上形成锯齿波电压,在R1上输出前沿很陡的尖脉冲。振荡频率为 你现在浏览的是第二十一页,共123页(4-2)改变Re可方便地改变振荡频率,波形如图4-7(b)所示。你现在浏览的是第二十二页,共123页图4-7 单结晶体管振荡电路与波形 你现在浏览的是第二十三页,共123页4.2.3 4.2.3 单结晶体管同步触发电路单结晶体管同步触发电路触发电路送出的触发脉冲必须与晶闸管
12、阳极电压同步,保证管子在阳极电压的每个正半周内以相同的控制角触发,从而获得稳定的直流电压。图4-8(a)为单相半控桥式单结晶体管同步触发电路。同步变压器一次侧与晶闸管整流桥路接在同一交流电源上,同步变压器二次侧正弦交流电压经桥式整流与稳压管削波,得到梯形波电压uV,它与晶闸管阳极电压过零点一致,作为触发电路的电源,波形如图4-8(b)所示。因此,每当电源波形半周过零时,uV=ubb=0,单结晶体管A点电压UA=0,可使电容上的电荷很快放掉。在下一半周开始时,基本上从零开始充电,这样才能保证每周期触发电路送出第一个脉冲距离过零点的时刻(即)一致,起到同步作用。你现在浏览的是第二十四页,共123页
13、图4-8 单相半控桥单结晶体管触发电路及波形 你现在浏览的是第二十五页,共123页为了保证脉冲电压的正确产生,需要合理地选择电路参数。其中,满足振荡条件的关键是充电电阻Re的取值。由Re决定的负载线应该与单结晶体管的负阻特性相交,即Re的取值应满足:(4-3)当Re增大时,单结晶体管充电到峰点电压的时间t充增大,第一个脉冲出现的时刻推迟,即增大,桥路输出直流电压Ud下降。所以,这个触发电路既能保证同步,又能在一定范围内移相。为了简化电路,单结晶体管输出脉冲同时触发晶闸管VT1、VT2,因只有阳极电压为正的管子才能触发导通,所以能保证桥式半控整流两个晶体管轮流导通。为了扩大移相范围,要求同步电压
14、梯形波uV的两腰边尽量接近垂直,这时可提高同步变压器二次电压U2,如稳压管V选用20V,U2电压通常要大于60 V。你现在浏览的是第二十六页,共123页触发脉冲可直接由R1上取出,这种方式简单、经济,但触发电路与主电路的电源有直接电联系,不安全,对于晶闸管串联接法的半控桥电路,就无法工作。因此,很多场合采用脉冲变压器输出。从以上分析可知,单结晶体管触发电路只能产生窄脉冲。对于电感较大的负载,由于晶闸管在触发导通时阳极电流上升较慢,在阳极电流还未上升到掣住电流IL时,触发脉冲已经消失,使晶闸管在触发期间导通后又重新关断。所以,单结晶体管如不采取脉冲扩展措施,是不宜触发感性负载的晶闸管整流电路的,
15、而只能用于要求不太高的单相整流装置场合。你现在浏览的是第二十七页,共123页图4-9 单结晶体管实用电路 你现在浏览的是第二十八页,共123页4.3 锯齿波同步触发电路锯齿波同步触发电路 4.3.1 4.3.1 叠加原理叠加原理叠加原理的方法是,将同步电压与一个或几个直流控制电压叠加,改变晶体管从截止到导通的时刻,达到触发脉冲移相的目的。根据信号叠加的方式不同,可分为串联叠加和并联叠加。下面以正弦波电压作为同步电压来介绍其工作原理。你现在浏览的是第二十九页,共123页串联叠加是将同步电压与各直流电压通过串联相加来控制晶体管的导通时刻。图4-10(a)为串联叠加控制原理图。晶体管V1的基极由正弦
16、波同步电压uS与直流控制电压Uc的不同交点来实现移相,当Uc=0时,近似可认为在t2时刻V1管正偏导通,其集电极输出经电容微分产生负脉冲,再由脉冲形成放大电路产生触发脉冲;当Uc=+Uc1时(左“+”右“-”),V1管在t3时刻导通,输出触发脉冲;当Uc=-Uc2时(左“-”右“+”),V1管在t4时刻输出触发脉冲。如果Uc在UsM范围变化,则触发脉冲将会在t1t5区间内移相,波形如图4-10(b)所示。你现在浏览的是第三十页,共123页图4-10 串联叠加控制原理(a)原理图;(b)波形 你现在浏览的是第三十一页,共123页图4-11 并联叠加控制原理及转换等效电路 你现在浏览的是第三十二页
17、,共123页4.3.2 锯齿波同步触发电路锯齿波同步触发电路图4-12为锯齿波同步触发电路,具有强触发、双脉冲和脉冲封锁等环节,可触发200 A 的晶闸管。同步电压采用锯齿波时,不直接受电网波动与波形畸变的影响,移相范围宽,在大、中容量中得到广泛应用。锯齿波同步触发电路由锯齿波形成、同步移相与脉冲形成放大两个环节组成,下面分别叙述。你现在浏览的是第三十三页,共123页图4-12 同步电压为锯齿波的触发电路 你现在浏览的是第三十四页,共123页1 脉冲形成放大部分脉冲形成放大部分图4-12中右下部为脉冲形成放大环节,受同步移相控制,当晶体管V4截止时,V5、V6分别经R14、R13供给足够的基极
18、电流使之饱和导通,因此点电位为-13.7 V(二极管正向压降以0.7 V,晶体管饱和压降以0.3 V计算),V7、V8处于截止状态,无触发脉冲输出。此时,电容C3经R11C3V5发射结V6VD4充电至接近30 V,极性为左正右负。你现在浏览的是第三十五页,共123页2 锯齿波形成、同步移相环节锯齿波形成、同步移相环节锯齿波同步移相的原理是利用受正弦同步信号电压控制的锯齿波电压作为同步电压,再与直流控制电压Uc和直流偏移电压Ub组成并联控制,进行电流叠加,去控制晶体管V4的截止与饱和导通来实现的。图4-12左面即为锯齿波形成、同步移相电路。电路中采用恒流源(V1、V9、R3、R4)对电容C2充电
19、来形成锯齿波电压。当V2截止时,恒流源电流IC1对C2恒流充电,电容两端电压为你现在浏览的是第三十六页,共123页其充电斜率为,恒流充电电流。因此,调节电位器RP1即可调节锯齿波斜率。晶体管V2饱和导通时,由于R5阻值小,电容C2经R5、V2管迅速放电,因此,只要V2管周期性关断导通,电容C2两端就能得到线性很好的锯齿波电压。为了减小锯齿波电压与控制电压Uc、偏移电压Ub之间的影响,锯齿波电压uC2经射极输出与Uc、Ub进行并联叠加,分别通过R7、R8、R9与V4管基极相连。你现在浏览的是第三十七页,共123页根据电路基础的叠加原理,在分析V4管基极电位时,可看成锯齿波电压ue3()、控制电压
20、Uc(正值)、偏移电压Ub(负值)三者单独作用的叠加。当V4基极b4断开,只考虑锯齿波电压ue3时,其等效电路如图4-13(a)所示。直接作用到b4点的电压为 (4-4)你现在浏览的是第三十八页,共123页图4-13 移相控制的等效电路 你现在浏览的是第三十九页,共123页由此可见,ue3仍为锯齿波,但斜率比ue3小。同理,只考虑Uc与Ub时,等效电路如图4-13(b)所示,其数值为(4-5)(4-6)所以,V4基极电流有三个分量,即 你现在浏览的是第四十页,共123页式中:Rbe4V4发射结正向电阻;ub4合成电压,由时间函数的锯齿波电压与直流电压(Uc-Ub)叠加。你现在浏览的是第四十一页
21、,共123页图4-14 锯齿波触发电路各点电压波形 你现在浏览的是第四十二页,共123页3 3 其它环节其它环节1)强触发晶闸管采用强触发时,可缩短开通时间,提高管子承受电流上升率的能力,有利于改善串、并联元件的动态均压与均流,增加触发的可靠性。因此,在大、中容量系统的触发电路中都带有强触发环节。图4-12中,右上角的强触发环节由单相桥式整流获得近50 V的直流电压作电源,在V8导通前,50 V直流电源经R19对C6充电,N点电位为50 V。当V8导通时,C6经脉冲变压器一次侧、R17与V8迅速放电,由于回路电阻很小,N点电位迅速下降,当N点电位下降到14.3 V时,VD10导通,脉冲变压器T
22、P改由+15 V稳压电源供电。这时,虽然50 V 电源也在向C6充电,使C6的电位回升,但由于充电回路时间常数很大,因此N点电位只能被15 V电源箝制在14.3 V。电容C5的作用是为了提高强触发脉冲前沿。你现在浏览的是第四十三页,共123页2)双脉冲形成双脉冲触发是三相全控桥式或带平衡电抗器双反星形电路的特殊要求,要求接连送出两个间隔为60的窄脉冲去触发晶闸管。产生双脉冲的方法有两种。一种是每个触发电路在每个周期内只产生一个脉冲,而其输出同时触发两个桥臂的晶闸管,这种方法称为“外双脉冲”法。每个触发电路的负载是两个桥臂的晶闸管门极,输出功率与脉冲变压器均要求增大。另一种是每个触发电路在每个周
23、期内连续送出两个间隔为60的窄脉冲,只供给一个桥臂的晶闸管门极,称为“内双脉冲”法,此种方法应用较多。你现在浏览的是第四十四页,共123页对于三相全控桥式整流主电路,电源a、b、c为正相序时,则元件触发的次序为VT1VT2VT3VT4VT5VT6,彼此相隔60。为了得到内双脉冲,6块触发板的X、Y端可按图4-15所示方式连接,使后相的X端与前相的Y端相连。这样,当2CF触发电路工作,对VT2管发出第一个脉冲Ug2的同时,由X端到1CF的Y端送出负跳变,使1CF对VT1补发一个滞后60的附加脉冲。依此类推,每一块触发块都能输出相隔60的两只窄脉冲,保证三相桥式电路正常工作。你现在浏览的是第四十五
24、页,共123页图4-15 触发电路X、Y端的连接 你现在浏览的是第四十六页,共123页需要特别强调的是:使用这种触发电路的晶闸管装置,要求三相电源有确定的相序。在新装置安装使用时,必须先确定电源的相序,按照装置要求正确连接后才能正常使用。如电源的相序接反了,虽然装置的主电路与同步变压器同时反相序,同步没有破坏,但因主电路晶闸管的导通次序在管子下标不变时,改为VT6VT5VT4VT3VT2VT1,与原来正好相反,即原来先导通的管子变成后导通。此时,6个触发电路的X、Y端之间的连接关系未变。由于管子先后导通次序反了,使得原来由后相对前相补发附加脉冲变为前相对后相补发附加脉冲,使补发的附加脉冲变为触
25、发脉冲,导致原来调整好的脉冲移相范围向左(前)移60,因此出现控制电压Uc减小时,Ud仍有较大数值,Uc增大时,Ud出现间隔为60的两次最大值,使装置不能正常工作。你现在浏览的是第四十七页,共123页3)脉冲封锁在事故情况下或在可逆逻辑无环流系统中,要求一组晶闸管桥路工作,另一组桥路封锁,这时可将脉冲封锁引出端接零电位或负电位,则晶体管V7、V8就无法导通,触发脉冲无法输出。串接二极管VD5是为了防止封锁引出端接地时,经V5、V6和VD4到-15 V端之间产生大电流通路。从以上分析可知,锯齿波同步触发脉冲不受电网电压波动与波形畸变的直接影响,抗干扰能力强,而且移相范围宽。它的缺点是:整流装置的
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