三极管3学习教程.pptx

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1、半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。图形符号文字符号 D内容回顾第1页/共31页二极管的伏安特性开启电压：使二极管开始导通的临界电压Si :0.5VGe:0.1V导通压降：Si :0.60.8V 一般取0.7VGe:0.10.3V 一般取0.2V内容回顾第2页/共31页二极管的等效电路一、由伏安特性折线化得到的等效电路 在近似分析中，三个等效电路中图（a）误差最大，图（c）误差最小，一般情况下多采用图（b）所示电路。内容回顾第3页/共31页P69 1.2 电路如图所示，已知ui10sint(v)，试画出ui与

2、uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。第4页/共31页稳压二极管 稳压二极管的伏安特性及主要参数主要参数：稳定电压UZ稳定电流IZ额定功耗PZM动态电阻rz=UZ/IZ温度系数=UZ/T稳压区：IZIDZIZM第5页/共31页第6页/共31页P67-68 四、已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。UO16V，UO25V。1）假设稳压管在稳压区，求其电流IDz2）若IDz在IZ和IZM之间，则假设正确，Uo=Uz,若IDz小于IZ，则稳压管未击穿，Uo按R和RL分压计算，若IDz大于IZM，则稳压管过流烧毁。步骤：第7页/共31

3、页8 掌握二极管的单向导电性 小结：稳压管的稳压作用第8页/共31页1.3 晶体三极管晶体三极管又称双极型晶体管，半导体三极管等。第9页/共31页晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构特点：基区很薄且杂质浓度很低；发射区掺杂浓度高；集电区面积很大。第10页/共31页晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。输入回路输出回路共射放大电路第11页/共31页一、晶体管内部载流子的运动1.发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流I

4、E2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC第12页/共31页二、晶体管的电流分配关系第13页/共31页三、晶体管的共射电流放大系数共射直流电流放大系数一般情况下，IBICBO,1第14页/共31页共射交流电流放大系数在近似分析中,不对二者加以区分共基直流电流放大系数共基交流电流放大系数第15页/共31页晶体管的共射特性曲线一、输入特性曲线 输入特性曲线描述了在管压降一定的情况下，基极电流与发射结压降之间的函数关系。第16页/共31页二、输出特性曲线 输出特性曲线描述基极电流为一常量时，集电极电流与管压降之间的函数关系。1.截止区

5、发射结电压小于开启电压，集电结反偏。发射结电压小于开启电压，集电结反偏。电压关系：电流关系：第17页/共31页2.放大区 发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。电压关系：电流关系：第18页/共31页3.饱和区 发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。电压关系：电流关系：第19页/共31页 对于小功率管，可以认为当uCE=uBE，即uCB=0时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界放大状态。在模拟电路中，绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。在数字电路中，晶体管工作在截止状态或饱和状态。第20页/共31页 直流参数：、ICBO、ICEOc-e间击穿电压最大集电极电流最大集电

6、极耗散功率，PCMiCuCE安全工作区 交流参数：、fT（使1的信号频率）极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO晶体管的主要参数第21页/共31页温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响温度升高时，ICBO增大，温度每升高10C，ICBO增加一倍。二、温度对输入特性的影响 温度每升高1C,正向压降减小22.5mV。第22页/共31页三、温度对输出特性的影响温度升高，iC明显增大。第23页/共31页例1 现已测得某电路中几只NPN晶体管三个极的直流电位如下，各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。放大放大饱和截止放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。饱和区：发射结和

7、集电结均正向偏置。截止区：发射结电压小于开启电压，集电结 反向偏置。第24页/共31页P70 1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。第25页/共31页P70-71 1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。第26页/共31页三极管均处于放大状态(1)找出相差0.2V或0.7V的两个极，为基极和发射极；并确定三极管为硅管还是锗管。(2)根据第三极是最高还是最低确定为NPN型还是PNP型。(3)正确画出三极管。硅管ube=0.7V锗管ueb=0.2V第27页/共31页28 1、掌握三极管的电流分配关系。、掌握三极管的电流分配关系。2、掌握三极管的外特性曲线。、掌握三极管的外特性曲线。3、掌握三极管三种工作状态的、掌握三极管三种工作状态的 电压和电流关系及工作状态的判别。电压和电流关系及工作状态的判别。小结：第28页/共31页29 重点掌握二极管、三极管的外特性。即 二极管的单向导电性；三极管的电流放大作用，三个工作区的条件及特点。本章小结：第29页/共31页作业：p69-71 1.3 1.9第30页/共31页感谢您的观看。第31页/共31页