模拟电子技术 场效应管优秀PPT.ppt

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1、模拟电子技术 场效应管你现在浏览的是第一页，共34页场效应管场效应管是一种利用电场效应来控制其电是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。流大小的半导体器件。特点：特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。好、抗辐射能力强。主要用于大规模和超大规模集成电路中。主要用于大规模和超大规模集成电路中。单极型晶体管单极型晶体管常用于数字集成电路常用于数字集成电路你现在浏览的是第二页，共34页N沟道沟道P沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘

2、栅型(IGFET)场效应管场效应管分类：分类：你现在浏览的是第三页，共34页5.3 结型场效应管结型场效应管 结构结构 工作原理工作原理 输出特性输出特性 转移特性转移特性 主要参数主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 (Junction type Field Effect Transisstor)你现在浏览的是第四页，共34页 源极源极，用用S或或s表示表示N型导电沟道型导电沟道漏极漏极，用用D或或d表示表示 P型区型区P型区型区栅极栅极，用用G或或g表示表示栅极栅极，用用G或或g表示表示符号符号符号符号5.1.

3、1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理5.1 结型结型场效应管场效应管1.结构结构#符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？你现在浏览的是第五页，共34页2.工作原理工作原理（以（以N沟道为例）沟道为例）vDS=0V时时NGSDvDSVGSNNPPiDPN结反偏，结反偏，VGS越越负负,则耗尽区越宽，则耗尽区越宽，导电沟道越窄。导电沟道越窄。VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用你现在浏览的是第六页，共34页VDSNGSDVGSPPiDVGS达到一定值时耗尽区达到一定值时耗尽区碰到一起，碰到一起，DS间的导电间的导电沟道被夹

4、断。沟道被夹断。当沟道夹断时，对应当沟道夹断时，对应的栅源电压的栅源电压VGS称为称为夹断夹断电压电压VP（或或VGS(off)）。）。VGS继续减小继续减小对于对于N沟道的沟道的JFET，VP 0。你现在浏览的是第七页，共34页NGSDVDSVGSNNiDVDS=0V时时PP VDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当VGS=0时，时，VDS iD G、D间间PN结的反向电压增结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。形分布。你现在浏览的是第八页，共34页NGSDVDSVGSPP越靠近漏端，越靠近漏端，PN结

5、反压越大结反压越大iD 当当VDS增加到使增加到使VGD=VP 时，时，在紧靠漏极处出现预夹断。在紧靠漏极处出现预夹断。此时此时VDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 ID基本不变基本不变你现在浏览的是第九页，共34页GSDVDSVGSPPiDN VGS和和VDS同时作用时同时作用时VGS越小耗尽区越宽，沟道越窄，越小耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。电阻越大。iD 减小。减小。当当VP VGS0时时VGS足够大时足够大时（VGSVT）感）感应出足够多电子，应出足够多电子，这里出现以电子这里出现以电子导电为主的导电为主的N型型导电沟道。导电沟道。感应出电子感应出电子VT称为阈值电或开启电压

6、：称为阈值电或开启电压：在在VDS 作用下开始导电的作用下开始导电的VGS。你现在浏览的是第二十三页，共34页VGS较小时，导较小时，导电沟道相当于电电沟道相当于电阻将阻将D-S连接起来，连接起来，VGS越大此电阻越大此电阻越小。越小。PNNGSDVDSVGSVDS0时时iD你现在浏览的是第二十四页，共34页PNNGSDVDSVGS当当VDS不太大不太大时，导电沟道时，导电沟道在两个在两个N区间区间是均匀的。是均匀的。当当VDS较大较大时，靠近时，靠近D区的导电区的导电沟道变窄。沟道变窄。（2 2）V VDSDS改变改变i iD D你现在浏览的是第二十五页，共34页PNNGSDVDSVGS夹断

7、后，即使夹断后，即使VDS 继续增加，继续增加，iD仍仍呈恒流特性呈恒流特性。iDVDS增加，增加，VGD=VT 时，时，靠近靠近D端的沟道被夹断，端的沟道被夹断，称为予夹断。称为予夹断。你现在浏览的是第二十六页，共34页（1）输出特性曲线）输出特性曲线iDV DS0VGS03.增强型增强型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线可变电阻区可变电阻区恒流区恒流区击穿区击穿区你现在浏览的是第二十七页，共34页3.增强型增强型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线(2)转移特性曲线转移特性曲线0iDvGSVTvDS=10V(3)计算公式计算公式你现在浏览的是第二十八页，共34页NPPgsdgsd

8、P 沟道增强型沟道增强型栅源端加负电压栅源端加负电压 漏源端加负电压漏源端加负电压你现在浏览的是第二十九页，共34页1.N 沟道耗尽型沟道耗尽型予埋了导电沟道予埋了导电沟道 （正离子），在（正离子），在P P型衬底表面形成反型衬底表面形成反型层（型层（N N型）。型）。在在vGS 0 0时，就有感生沟道，当时，就有感生沟道，当V DS 0 0时，则有时，则有iD通过。通过。gsdNgsdPNe e e5.1.2 耗尽型耗尽型MOSFET你现在浏览的是第三十页，共34页2.P 沟道耗尽型沟道耗尽型NPPgsdgsd予埋了导电沟道（负离子）予埋了导电沟道（负离子）你现在浏览的是第三十一页，共34页3.耗尽型耗尽型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线耗尽型的耗尽型的N沟道沟道MOS管管VGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。夹断。转移特性曲线转移特性曲线0iDVGSVP你现在浏览的是第三十二页，共34页输出特性曲线输出特性曲线iDvDS0vGS=0vGS0栅源电压可正可负。栅源电压可正可负。你现在浏览的是第三十三页，共34页本章结束你现在浏览的是第三十四页，共34页