模电第三章三极管及放大电路优秀PPT.ppt
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1、模电课件第三章三极管及放大电路你现在浏览的是第一页,共89页BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型BECNPN型三极管型三极管BECPNP型三极管型三极管表示发射结正偏时流过发射结表示发射结正偏时流过发射结的电流方向的电流方向第三章 半导体三极管及放大电路基础3.1 半导体BJT 双极结型晶体管又称晶体管、三极管或BJT。一、结构及分类(P.6769)1、结构(三层两结)你现在浏览的是第二页,共89页基区(基区(B区):区):较薄(微米级)、掺杂较薄(微米级)、掺杂浓度低浓度低集电区(集电区(C区):区):面积较大面积较大发
2、射区(发射区(E区):区):掺杂浓度较高掺杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极ICIEIBIB:基极电流:基极电流IC:集电极电流:集电极电流IE:发射极电流:发射极电流E区和区和C区不可互换区不可互换结构特点结构特点 2、结构特点 基区很薄;发射区掺杂浓度高;集电区面积大。这三点决定了BJT具有独特的特点。你现在浏览的是第三页,共89页发射结发射结(JE)集电结集电结(JC)BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极+_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _+你现在浏览的是第四页,共89页3、分类 按结构分:N
3、PN型、PNP型 按频率分:高频、中频、低频 按功率分:大功率(3W)、中功率(0.5 3W)、小功率(0.5W)按材料分:硅(Si)、锗(Ge)按制造工艺分:平面型和合金型。二、BJT各电极电流分配关系及放大作用(P.6973)BJT具有放大作用的条件:内部条件:满足 结构要求;外部条件:发射结(Je)正偏,集电结(Jc)反偏。三极管可组成三种不同组态的电路,分别称为:共基极电路、共集电极电路和共发射极电路,如图 你现在浏览的是第五页,共89页 发射区向基区发射电子因浓度差,且在JE正偏下,电子扩散运动产生IE。电子在基区扩散与复合复合的空穴产生IB(复合少扩散 多),复合的空穴由VBB提供
4、,形成基极电流IB,由基极流入、发射极流出,形成输入回路中的电流。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动,形成的电流为IEP。但其数量小,可忽略。所以发射极电流所以发射极电流I E I EN。进入进入P区的电子少部分与基区的空穴合区的电子少部分与基区的空穴合形成电流形成电流IB,基区很薄基区很薄,多数电子很快多数电子很快扩散到集电结。扩散到集电结。1、BJT的电流分配的传输过程(以的电流分配的传输过程(以NPN型型Si三极管共发射极电路为例)三极管共发射极电路为例)因复合少因复合少,扩散多扩散多;对于制成的三对于制成的三极管复合与扩散的比例就一定如极管复合与扩散的比例就一定如:扩扩/复复=100
5、.复合的空穴由复合的空穴由EB提提供供.按此原则接成电路:UBUE UCUBUCC约十几伏UBB约几伏你现在浏览的是第六页,共89页(2)集电区收集电子,在JC反偏下收集多数扩散到集电结的电子,产生IC。由Vcc提供大量的空穴在集电区;形成输出回路中的电流。(3)根据KCL可知:流入BJT的电流为IB、Ic,流出的电流为IE,IE IB+Ic。(4)集电结反向偏置,由于温度的影响,集电区的少子空穴与基区的少子电子也产生漂移运动,形成极小的穿透电流(又称反向饱和电流)ICBO,该电流虽不大,但对电路的性能影响极大。要尽量克服。=IC(扩扩)/IB(复复)IB变化引起IC按比例变化,小电流引出大电
6、流,这就是电流放大的作用.电流放大倍数.你现在浏览的是第七页,共89页 2、BJT的电流分配关系(P.71)有很小的IB,就可形成较大的Ic,IB与Ic都是从e极流出形成IE。IB+IcIE,IBIEIc 集电极收集到的电子(Ic)是发射极发出来的电子(IE)的一部分,Ic占IE的比例是多少?用来表示:Ic/IE。称为共集电极电流放大系数。1。由上式可得:Ic IE,代入:IBIEIcIE(1),又可得到基极电流与集电极电流的关系,用来表示:Ic/IB /(1)Ic IB 称为共发射极电流放大系数,1 IcIB,此式说明:电流IB能控制电流Ic,控制能力为倍。(常称IB放大了倍,形成Ic,此说
7、法是错误的)。实际BJT是一个CCCS。你现在浏览的是第八页,共89页3、BJT的放大作用(P.7172)BJT具有“放大”的前提:集电结反向偏置,发射结正向偏置。为输入回路,VI特性:为输出回路,VI特性:IB=(VBBVBE)/RB IC=IB VBE=VBBIB*RB VCE=VCCIC*RC =VCCIB*RC 输入回路和输出回路共接到发射极,故称为“共发射极”放大电路,简称“共射放大电路”。总结:P.72你现在浏览的是第九页,共89页40 死区电压,硅死区电压,硅管管Vth=0.5V 工作压降工作压降:硅管硅管:UBE 0.7V 输入特性方程输入特性方程:iB=f(uBE)uCE=c
8、onstIB(A)UBE(V)2060800.5UCE 1V0.7 当当uCE 1V后,后,JE反偏内电场足够大反偏内电场足够大,可将绝大部分电子拉入集可将绝大部分电子拉入集电区再增大电区再增大UCE,IB无明显变化。无明显变化。锗管:Vth=-0.1V锗管工作电压:UBE -0.3V当当UCE=0 时,为二极管的正向特性时,为二极管的正向特性 三、BJT的特性曲线(P.7476)1、输入特性(P.74)BJT的输入回路只有一个PN结(发射结),当正向偏置时,就相当二极管的正向特性,所以输入特性如图.输入回路中的IB由式IB=(VBBVBE)/RB决定。由式可知:改变RB,可以得到不同的IB。
9、你现在浏览的是第十页,共89页 2 输出特性曲线输出特性曲线 iC=f(uCE)iB=const 现以现以iB=60uA一条加以说明。一条加以说明。(1)当)当uCE=0 V时,因集电极无收集作用,时,因集电极无收集作用,iC=0。(2)uCE Ic 。(3)当当uCE 1V后,收集电子后,收集电子的能力足够强。这时,发射到的能力足够强。这时,发射到基区的电子都被集电极收集,基区的电子都被集电极收集,形成形成iC。所以。所以uCE再增加,再增加,iC基基本保持不变。本保持不变。同理,可作出同理,可作出iB=其他值的曲线。其他值的曲线。输出回路中的VCE由IC决定:VCE=VCCIC*RC;IC
10、又由式IC=IB决定,所以不同的IB,就有不同的IC,也就有不同的VCE。输出回路的特性曲线是根据输入回路中的IB而定的。它是由一组IB组成的曲线你现在浏览的是第十一页,共89页3.输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区饱和区iC受受uCE显著控制的区域,该区域内显著控制的区域,该区域内uCE0.7 V。此时发射结正偏,集电结也正偏。此时发射结正偏,集电结也正偏。截止区截止区iC接近零的区域,相当接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。的曲线的下方。此时,发射结反偏,集电结反偏。此时,发射结反偏,集电结反偏。放大区放大区 曲线基本平行等曲线基本平行等 距。距。此时,发
11、此时,发 射结正偏,集电射结正偏,集电 结反偏。结反偏。该区中有:该区中有:饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区你现在浏览的是第十二页,共89页 怎样判断BJT电路处于什么工作状态?(以NPN型硅管为例)工作状态截止放大饱和条件偏置情况VBE0.5V,JE反偏VBC0.5V,JC反偏0.5VVBE0.7V,JE正偏,VBC0 JC反偏VBE 0.7V,JE正偏VBC0,JC正偏基极电流IBIB 0IBSIB0特点ICIC0ICIBVCEVCEVCCVCEVCCICRC 1/2VCCVCEVCES0.3VRCE很大()受控电流源内阻(可变)很小(0)你现在浏览的是第十三页,共89页思考题:根据测
12、量三个管脚对地的电位可判断管子的工作情况。JC反偏JE正偏JC正偏JE正偏JC反偏JE反偏JC反偏JE正偏放大饱和截止放大你现在浏览的是第十四页,共89页例1:测得各管子各极电位如图。判断管子类型,区分e b c解:依据1)UBE=0.7V (或UBE=0.2V)确定是硅管还是锗管。2)UC最低是PNP管,UC最高是NPN管。3)NPN管:UCUB UE PNP管:UCUB UENPN硅PNP硅PNP锗ebccbeebc你现在浏览的是第十五页,共89页四、BJT的主要参数(P.7681)1、电流放大系数(共射极)、(共基极)直流工作状态下的电流放大系数;两者相差不大,常用表示。一般=50150
13、为好。交流工作状态下的电流放大系数,2、极间反向电流(P.78)3、极限参数(P.79)ICM、PCM、击穿电压等是设计电路、选择BJT时必须要考虑的。例:判断管子类型.你现在浏览的是第十六页,共89页 半导体三极管的型号半导体三极管的型号第二位:第二位:A锗锗PNP管、管、B锗锗NPN管、管、C硅硅PNP管、管、D硅硅NPN管管 第三位:第三位:X低频小功率管、低频小功率管、D低频大功率管、低频大功率管、G高频小功率管、高频小功率管、A高频大功率管、高频大功率管、K开关管开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的种类用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用数字表示同种器件型
14、号的序号用字母表示同一型号中的不同规格用字母表示同一型号中的不同规格三极管三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下:国家标准对半导体器件型号的命名举例如下:3DG110B作业:P1403.1.1,3.1.2预习:3.3节2/22/2023你现在浏览的是第十七页,共89页3.2 共射极放大器共射极放大器电路放大的条件是:电路放大的条件是:1)1)发射结正向偏置,发射结正向偏置,2)2)集电结反向偏置。集电结反向偏置。一一.电路的组成及各元件的作电路的组成及各元件的作用用放大要求放大要求:1)幅度放大幅度放大,2)波形不失真波形不失真放大对象放大对象:交流量交流量.放大实质放大实质:实现能量的
15、转换与控制实现能量的转换与控制.你现在浏览的是第十八页,共89页二三极管的放大原理二三极管的放大原理三极管工作在放大区:三极管工作在放大区:发射结正偏,发射结正偏,集电结反偏。集电结反偏。UCE(-ICRc)放大原理:放大原理:UBEIBIC(IB)电压放大倍数:电压放大倍数:u uo o u ui i你现在浏览的是第十九页,共89页1.各元件的作用:各元件的作用:保证保证JC反偏,反偏,JE正偏。正偏。整个放大电路的能源整个放大电路的能源UCC RC集电极电阻,将变化的集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压,以实现电压放大电流转变为变化的电压,以实现电压放大。RB 提供适当的基流,使放大器
16、工作在放大区提供适当的基流,使放大器工作在放大区。晶体管晶体管T是放大电路的核心是放大电路的核心ui变化变化 ib变化变化 按比例按比例ic变化变化 icRc变化,变化,ic受受ui的控制。的控制。输入小能量信号输入小能量信号,通过三极管的控制作用,去控制通过三极管的控制作用,去控制UCC所能提供的能量,所能提供的能量,以在输出端获得以在输出端获得一个能量较大的信号一个能量较大的信号。这就是放大作用的实质,。这就是放大作用的实质,晶体管是能量控制器晶体管是能量控制器,能量不能放大。只能守恒。能量不能放大。只能守恒。C C1 1、C C2 2:耦合电容:耦合电容,对对交流近似短路交流近似短路.信
17、号可通过放大器信号可通过放大器。而对本而对本级的直流电、信号源与负载相隔离。便于调整静态工作点。级的直流电、信号源与负载相隔离。便于调整静态工作点。你现在浏览的是第二十页,共89页单电源供电单电源供电2.放大电路的习惯画法用电位表示用电位表示:合为一个电源合为一个电源输入输入.输出与发射极有一个公共点输出与发射极有一个公共点,以它作为参以它作为参考点考点,故此放大电路叫发射极放大电路故此放大电路叫发射极放大电路规定:1)以公共端为地电位,其余各端为正.2)电流的参考方向:NPN:iB、ic 流入为正,iE流出为正。PNP:iB、ic 流出为正,iE流入为正。3.组成原则:1)保证)保证JC反偏
18、,反偏,JE正偏正偏2)交流信号畅通。)交流信号畅通。你现在浏览的是第二十一页,共89页1.静态工作点静态工作点Ui=0时电路的工作状态时电路的工作状态 三三.静态工作点静态工作点ui=0时时由于电源由于电源的存在,的存在,电路中存电路中存在一组直在一组直流量。流量。ICIEIB+UBE-+UCE-你现在浏览的是第二十二页,共89页由于由于(IB,UBE)和和(IC,UCE)分别对应于输入、输出特性分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点,所以称为曲线上的一个点,所以称为静态工作点静态工作点。IBUBEQIBUBEQUCEICICUCEIB为什么要设置静态工作点?为什么要设置静态工作点?放大电路
19、建立正确的静态工作点,是为了使三极管工放大电路建立正确的静态工作点,是为了使三极管工作在线性区,以保证信号不失真。作在线性区,以保证信号不失真。你现在浏览的是第二十三页,共89页不设置静态工作点的工作情况不设置静态工作点的工作情况说明产说明产生了非生了非线性失线性失真真(钟形钟形波波)原因原因:1).输入特性存在死区输入特性存在死区 2)负半周负半周Je反偏反偏只有交流通路的情况只有交流通路的情况.你现在浏览的是第二十四页,共89页输出波形失真输出波形失真你现在浏览的是第二十五页,共89页 由此可见,在交流放大电路中,如果不设置合适的由此可见,在交流放大电路中,如果不设置合适的静态工作点,就不
20、能正常放大交流信号(失真)。静态工作点,就不能正常放大交流信号(失真)。静态工作点的设置静态工作点的设置:当当ui=0时预先给一个电流时预先给一个电流.2.静态计算静态计算直流通路直流通路:C C1 1和和C C2 2开路开路.你现在浏览的是第二十六页,共89页1)估算法估算法RB称为称为偏置电阻偏置电阻,IB称为称为偏置电流偏置电流。1)由基极回路求由基极回路求IBQ2)由由IBQ求求ICQ3)由集电极回路求由集电极回路求:你现在浏览的是第二十七页,共89页例:用估算法计算静态工作点。例:用估算法计算静态工作点。已知:已知:VCC=12V,RC=4K,Rb=300K ,=37.5。解:解:请
21、注意电路中请注意电路中IB和和IC的数量级的数量级你现在浏览的是第二十八页,共89页 四、如何判断放大电路具有放大功能 1、必须具有静态工作点,即发射结正偏、集电结反偏。静态工作点必须学会计算:输入回路计算IB、VBE,硅管的VBE0.60.7V;锗管的VBE0.10.2V。2、交流输入信号必须能够加入到放大器的输入回路中,而不被旁路(短路)。3、放大后的交流输出信号必须能够送出去(加到负载上),而不被旁路(短路)。举例:作业:P140:3.2.1你现在浏览的是第二十九页,共89页利用BJT的输入、输出特性曲线求放大电路的静态工作点Q。方法:先由放大器的输入回路用估算法求出IB;在BJT的输出
22、特性曲线图中,用VCE=VCCICRC直线,交坐标轴于M (VCC,0)、N(0,VCC/RC),连接M、N,这一直线称为“直流负载线”;直流负载线交IB于Q点,该点称为“静态工作点”;由Q点向坐标轴作垂线,分别得到IC、VCE。直流负载线静态工作点3.3 3.3 图解分析法图解分析法一一.用图解法分析放大器的静态工作点用图解法分析放大器的静态工作点你现在浏览的是第三十页,共89页举例:P.142,T3.3.4 3.3.4 若将图题若将图题3.3.1所示输出特性的所示输出特性的BJT接成图题接成图题3.3.3所示的电路,并设所示的电路,并设VCC12V,RC1k,在基极电路中用在基极电路中用V
23、BB2.2V和和Rb50k串联以代替电流源串联以代替电流源iB。求电路中的求电路中的IB、IC和和VCE的值,设的值,设VBE 0.7V。解:解:由已知条件可求出:IB(VBBVBE)/Rb (2.20.7)/50 0.03mA30A,在输出特性图中,作直流负载线M(12V,0)、N(0,12/1k),与IB30A交于Q点,由Q点分别向坐标轴作垂线,得:VCE6V,IC6mA,见左图。你现在浏览的是第三十一页,共89页iBuBEQuiibic假设在静态工作点的基础上,输入假设在静态工作点的基础上,输入一微小的正弦信号一微小的正弦信号 uiib静态工作点静态工作点二二.放大电路动态分析iCiCE
24、uce注意:注意:uce与与ui反相!反相!1、不负载电阻的情况 在放大器的输入端加入微小正弦信号,放大器处于动态工作状态。用图解法分析动态的步骤是:P.87你现在浏览的是第三十二页,共89页uiiBiCuCEuo各点波形各点波形uo比比ui幅度放幅度放大且相位相反大且相位相反IBUCEIC你现在浏览的是第三十三页,共89页结论:结论:(1)放大电路中的信号)放大电路中的信号是交直流共存,可表示成:是交直流共存,可表示成:虽然交流量可正负变化,但瞬时虽然交流量可正负变化,但瞬时量方向始终不变量方向始终不变(2 2)输出)输出u uo o与输入与输入u ui i相比,幅度被相比,幅度被放大了,频
25、率不变,但相位相反。放大了,频率不变,但相位相反。uituBEtiBtiCtuCEtuot你现在浏览的是第三十四页,共89页 2、带负载电阻的情况电路图直流通路交流通路等效图交流通路 直流工作情况:求静态工作点,方法同前。也可画出直流通路求IB、IC、VBE。交流工作情况:先画出电路的交流通路,原则是:耦合C、旁路C对交流信号相当于短路,直流电压源内阻很小,也视为短路。交流负载电阻为:在输出特性图中画出交流负载线。过Q点作斜率为1/RL的直线,此线为交流负载线。按前述方法,可作出uce、ic的波形及动态范围。Uce的动态范围:负半周为VR,正半周为VF。由图看出:VRVF,负半周VR大于正半周
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