自动控制原理课件4.pptx
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1、第4章 根轨迹法 主要内容n根轨迹的基本概念n根轨迹的绘制法则n用根轨迹法分析系统的暂态特性n小结第1页/共98页第4章 根轨迹法 学习重点v了解根轨迹的基本特性和相关概念;v了解根轨迹的类型划分,熟练掌握根轨迹的分类原则;v掌握根轨迹的绘制法则,并能够熟练地应用到根轨迹的绘制过程中;v学会应用主导极点、偶极子等概念近似分析系统的性能。第2页/共98页第4章 根轨迹法根轨迹法 一种由开环开环传递函数求闭环闭环特征根的简便方法。它是一种用图解方法表示特征根与系统参数的全部数值关系的方法。1948年,由伊文思(W.R.Evans)提出。根轨迹法的任务 由已知的开环零极点和根轨迹增益,用图解方法确定
2、闭环极点。第3页/共98页4.1 根轨迹法的基本概念根轨迹 系统开环传递函数的每一个参数从零变化到无穷大时,闭环系统特征方程的根在 S 平面上的变化轨迹。第4页/共98页例4.1二阶系统的根轨迹闭环传递函数特征方程闭环极点4.1 根轨迹法的基本概念第5页/共98页 研究开环放大系数K与闭环特征根的关系。当取不同K值时,算得闭环特征根如下:K00-20.5-1-11-1+j-1-j2-1+j-1-j-1+j-1-j4.1 根轨迹法的基本概念第6页/共98页4.1 根轨迹法的基本概念K K由00变化时,闭环特征根在S S平面上移动的轨迹如下图所示。这就是该系统的根轨迹。根轨迹直观地表示了参数K变化
3、时,闭环特征根的变化,并且还给出了参数K对闭环特征根在S平面上分布的影响。第7页/共98页根轨迹方程控制系统结构图开环传递函数4.1 根轨迹法的基本概念第8页/共98页式中:开环零点;开环极点。闭环系统特征方程式为或可写作4.1 根轨迹法的基本概念第9页/共98页这个方程式表达了开环传递函数与闭环特征方程式的关系,该方程的解即为闭环特征根,因此该式又称为根轨迹方程。令s=+j代入可得4.1 根轨迹法的基本概念第10页/共98页上式是一个复数,可表示成幅值和辐角的形式,则根轨迹方程又可分别表示成幅值条件:4.1 根轨迹法的基本概念第11页/共98页辐角条件:(充分必要条件)4.1 根轨迹法的基本
4、概念式中:开环有限零点到s点的矢量辐角;开环极点到s点的矢量辐角;满足幅值条件和辐角条件的s值,就是特征方程式的根,也就是闭环极点。第12页/共98页4.1 根轨迹法的基本概念因为在0范围内连续变化,总有一个值能满足幅值条件。所以,绘制根轨迹的依据是辐角条件。利用幅值条件计算 值比较方便,它可以作为计算 值的依据。第13页/共98页绘制根轨迹的一般步骤(1)出 =0 和 =时的特征根(2)根据绘制法则大致画出0 m时,则有(n-m)条根轨迹分支终止于无限零点。这些趋向无穷远的根轨迹分支的渐近线由与实轴的夹角和交点来确定。第28页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 无穷远处的特征根,到S平面上所
5、有开环有限零点和极点的矢量辐角都相等,均为,即独立的渐近线只有(n-m)条(1)渐近线的倾角代入辐角条件得即渐近线的倾角为第29页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 当 时,即得(2)渐近线的交点由幅值条件第30页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 令上式中等式两边的项系数相等,即得渐近线的交点由于 和 是实数或共轭复数,故 必为实数,因此渐近线交点总在实轴上。第31页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 例4-3 4-3 设开环传递函数为试确定其根轨迹渐近线。解 (1 1)计算渐近线倾角。因为m=0,n=3,m=0,n=3,所以可得渐近线倾角为第32页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 因为
6、n=3,m=0;所以渐近线交点为(2)计算渐近线交点。第33页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 7根轨迹的出射角和入射角出射角:根轨迹离开S平面上开环极点处的切线与实轴的夹角。入射角:根轨迹进入S平面上开环零点处的切线与实轴的夹角。第34页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 例4-4已知开环传递函数为试计算起点(-1+j1)的斜率。第35页/共98页把以上诸值代入辐角条件,即得起点(-1+j1)的出射角为4.2 根轨迹的绘制法则 解令稍为增大,在(-1+j1)附近的特征根应满足辐角条件,即解得第36页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 同理可得入射角的计算公式为通过这个例子,可以得到计算出射
7、角的公式为第37页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 8根轨迹与虚轴的交点根轨迹与虚轴相交时,特征方程式的根,此时系统处于临界稳定状态,令此时的。由此可计算对应的临界放大系数值。确定交点的方法:(1 1)把 代入特征方程式;(2 2)利用劳斯判据。第38页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 例4-5设有开环传递函数为 试确定根轨迹与虚轴的交点,并计算临界放大系数。假设 时根轨迹与虚轴相交,于是令上式中解 方法(1 1)根据给定的开环传递函数,可得特征方程式为第39页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 则得 亦即解得:,对应根轨迹的起点;,对应根轨迹与虚轴相交。交点处的(临界放大系数)为 第40
8、页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 方法(2 2)用劳斯判据计算交点和临界放大系数劳斯表特征方程第41页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 在第一列中,令行等于零,则得临界放大系数根轨迹与虚轴的交点可根据行的辅助方程求得,即令上式中,即得根轨迹与虚轴的交点为第42页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 9根轨迹的走向 如果特征方程的阶次 ,则一些根轨迹右行时,另一些根轨迹必左行。说明:把特征方程式改为式中:是一个常数,它是各特征根之和。这表明,随着值改变,一些特征根增大时,另一些特征根必减小。第43页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 根轨迹绘制法则归纳如下:(1 1)起点()。开环传递函数的
9、极点即根轨迹的起点。(2 2)终点()。根轨迹的终点即开环传递函数的零点(包括m个有限零点和(n-m)个无限零点)。(3 3)根轨迹数目及对称性。根轨迹数目为,根轨迹对称于实轴。(4 4)实轴上的根轨迹。实轴上根轨迹右侧的零点、极点之和应是奇数。第44页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则(5 5)分离点与会合点。分离点与会合点满足方程 (6)根轨迹的渐近线。渐近线的倾角 渐近线交点 第45页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则(9)根轨迹走向。如果特征方程的阶次 ,则一些根轨迹右行时,另一些根轨迹必左行。(8)根轨迹与虚轴交点。把 代入特征方程式,即可解出交点处的临界值和交点坐标。入射角出射角(
10、7)根轨迹的出射角与入射角。第46页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 4.2.2 4.2.2 自动控制系统的根轨迹1.1.二阶系统设二阶系统的结构图如下图所示。它的开环传递函数为第47页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 二阶系统的根轨迹图如右图所示。如果要使得系统的阻尼比为 则从原点作阻尼线0R,交根轨迹于R(见右图)。开环放大系数 应为 上式和第三章第三节用分析法所得的二阶工程最佳参数相同 第48页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 2 2开环具有零点的二阶系统 二阶系统增加一个零点时,系统结构图如下图所示。它的开环传递函数为第49页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 由下图知,复平面上
11、的根轨迹是一个圆(证明详见教材)。这个圆与实轴的交点即为分离点和会合点:本例说明:正向通道内适当引进零点,将使根轨迹向左偏移,能改善系统动态品质。时的根轨迹图 第50页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 3.三阶系统二阶系统附加一个极点的系统的结构图如下图所示。它的开环传递函数为在时,分离点为和。因为在-1-4之间不可能有根轨迹,故分离点应为。第51页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 当时,根轨迹与虚轴交点为对应的根轨迹放大系数为考虑到,于是得临界开环放大系数为根轨迹绘于右图。本例说明:在二阶系统中附加一个极点,随着 增大,根轨迹会向右变化,并穿过虚轴,使系统趋于不稳定。第52页/共98页4
12、.2 根轨迹的绘制法则 4 4具有时滞环节的系统假设,时滞系统的结构如图所示,其开环传递函数为闭环系统的特征方程式为第53页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 假设特征根,则满足特征根的幅值和辐角条件为与前面介绍的根轨迹绘制法则相对比可知,时滞系统的根轨迹绘制法则要有所变化。第54页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 时滞系统的根轨迹绘制法则:(1)起点()。当时,除开环极点是起点外,也是起点。(2)终点()。当时,除开环有限零点是终点外,也是终点。(3)根轨迹数目及对称性。根轨迹有无限多条分支。根轨迹对称于实轴。(4)实轴上的根轨迹。实轴上根轨迹右侧的开环零、极点之和为奇数。第55页/共98
13、页4.2 根轨迹的绘制法则(5)分离点与会合点。(6)渐近线。水平线,与虚轴交点为第56页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则(7 7)出射角与入射角。(8)根轨迹与虚轴交点。临界根轨迹放大系数 第57页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则(9)复平面上的根轨迹。由辐角条件,假设 得例4-6 设系统的开环传递函数为 试绘制其根轨迹。第58页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 解 (1)起点 为:,;其他起点为 ,其渐近线为 (2)终点 为:,其渐近线同上。(3)在实轴的 0-1区间有根轨迹。(4)分离点位置按式(4-25)计算,得第59页/共98页4.2 根轨迹的绘制法则 由此算得当时,得,。因根
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