运动学理论学习.pptx
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1、1运动学理论:采用荷电质点模型来研究电子注在电磁场中的运动,即速度调制、群聚和换能过程。基本概念:将电子视为带有电荷e的力学质点,忽略电子之间的库仑作用力(空间电荷力和电子注周围导体壁上诱生的镜像电荷力),研究电子注的运动就简化为研究单个电子在电磁力作用下的运行。运动学理论在各种微波电子管中都曾得到成功的应用,我们以速调管为例来进行研究。第1页/共62页2 速调管的速度调制、群聚、换能是分别进行的。速调管结构示意图间隙区漂移区电子注产生加速速度调制群聚 换能 收集 第2页/共62页32.1 重入式(reentrant cavity)谐振腔简介 优点:(1)电场集中在间隙,轴向高频电场强;(2)
2、通道对电子束是透明的,对高频场是截至的,一般电子半径b与孔半径a相比 b/a=0.50.7;(3)电子注通道内高频电场均匀(孔小,加网)。重入式谐振腔第3页/共62页4 从等效电路的角度来看,谐振腔可以等效为一个谐振回路。其谐振频率为:GLC第4页/共62页52.2 理想间隙的速度调制假设:(1)间隙很短(相对高频周期而言)因而其中的群聚现象略去不计;(2)小信号(小振幅),即V1V0;(3)不计空间电荷效应;(4)一维运动;(5)不考虑非相对论效应;(6)电子的直流速度是均匀的。第5页/共62页6分析稳态情况,设电压随sin t变化。设间隙上所加交变电压为:(2.2.1)根据能量守恒,则电子
3、在t=t0时通过间隙后能量为:(2.2.2)解得:(2.2.3)第6页/共62页7(2.2.3)由于小信号假设:V1/V01,故有:(2.2.4)式中 ,为电压调制系数。由(2.2.4)可知,不同时刻t0,即不同相位t0,通过间隙的电子具有不同的速度,有的被加速,有的被减速,此现象为速调管的速度调制效应。后面进入的电子经过调制后如被加速,有可能经过一段时间后能赶上前面减速的电子,即出现群聚现象。第7页/共62页8 有的电子被减速,有的电子被加速,可以预计,在继续运动一段时间后,会以“4”为中心聚在一起,“4”为群聚中心。第8页/共62页92.3 间隙有限宽度效应从物理上来说,有限渡越角效应有:
4、(1)渡越过程中电子感受到的高频电压是变的;(2)在间隙内产生了群聚,有能量交换。一、均匀场情况(有栅间隙)电场的横向分布是均匀的,简化为一维问题,运动方程为:(2.3.1)积一次分得:(2.3.2)第9页/共62页10积分常数c由初值条件定,tt0时,(2.3.2)故:(2.3.3)小讯号时 ,则出口处的时刻为:(2.3.4)代入(2.3.3)得:第10页/共62页11(2.3.5)式中:间隙直流渡越角加速电压 间隙耦合系数 第11页/共62页12(2.3.5)结论:(1)耦合系数是电子感受到的调制电压幅值与实际电压幅值之比。(2)当渡越角为有限时,电子受到的电压的相角具有一个滞后 。(3)
5、一个具有有限渡越角 的间隙可以等效为置于间隙中心处 的小渡越角()间隙,其上所加的正弦电压幅值为 。(2.2.4)第12页/共62页13二、非均匀场情况(无栅间隙)1.场的轴向非均匀性 轴向场表为:(2.3.6)其中,f(z)为轴向分布,为某一参考值,可以间隙边缘平均场表示,因此(2.3.7)在电场作用下,电子在间隙内前进dz,动能改变为:(2.3.8)穿过间隙动能的总增量为:(2.3.9)第13页/共62页14(2.3.9)进行解析延拓:(2.3.10)积分的理解:它是追踪一个电子的积分,因此在电子沿z运动的同时,场的相位(t)在变化,故其中的z和t不是独立变量,其关系是(2.3.11)所以
6、 不能移到积分号外。电子到达z的渡越时间 :(2.3.12)(2.3.13)第14页/共62页15在小讯号情况下:(2.3.14)直流渡越时间交变场引起的渡越时间(2.3.15)电子直流传播常数 取零级近似,只考虑直流渡越时间。的一级近似或交变次中含有 ,即对每个电子不同,M将无明确定义)。(2.3.16)第15页/共62页16定义:对一定形状的间隙,f(z)确定,这时M只与 有关。讨论:时,对应均匀场,(2.3.17)第16页/共62页17如果对f(z)作傅氏变换:(2.3.18)(2.3.19)结论:(1)式(2.3.18)表明场可分解为无数行波场之和。驻波看为正反行波之和。(2)电子仅与
7、同步行波有充分的能量交换,同步条件 是 ,因此耦合系数正比于其幅值 。故:(2.3.20)第17页/共62页182.场的横向不均匀性 在圆柱对称的重入式谐振腔,间隙区麦克斯韦方程的可能存在的解可表为:(2.3.21)其中:(2.3.22)I0为零阶修正Bessel函数 在此系统中的任意场分布可表成:(2.3.23)通解,其展开系数 决定于边界条件。第18页/共62页19由傅里叶变换可知,正是场分布 的傅里叶变换,即:(2.3.23)(2.3.24)以r=a(间隙边缘场)代入,则(2.3.25)于是场分布为:(2.3.26)表明:只要知道边缘场 ,就能确定系统内任意点的场分布 。第19页/共62
8、页20(2.3.20)(2.3.27)其中:边缘耦合系数 因此,知道边缘耦合系数后就可以求出任意位置的耦合系数 。第20页/共62页21 M(r)为“线耦合系数”,描述某一电子轨迹(平行于轴线)上间隙的调速特性,具有实际意义的是描述间隙内整个电子注的平均调速特性,即“平均耦合系数”。设实心电子注半径为b,M(r)在电子注截面上平均得:(2.3.28)第21页/共62页22(2.3.28)已求得任意圆轴对称系统的平均耦合系数,剩下的问题是针对不同具体结构的模型求出其M(a)。例如:第22页/共62页232.4 漂移管内的群聚现象 间隙后为漂移管,其中E0=0,E1=0,则电子以(2.2.4)式的
9、速度为初速度在其中漂移运动,经过l长后,在tt2时到达zz2,显然(2.4.1)第23页/共62页24(2.4.1)表成相位形式:(2.4.2)其中:(到达l的直流渡越角)(2.4.3)(群聚参数)(2.4.4)第24页/共62页25(2.4.2)(1)当X=0时,不同时刻进入的电子,到达l处的相位变化相同,没有群聚发生(2)当X1时,与不一一对应,t1是t2的多值函数,但t2是t1的单值函数,有超越现象发生 漂移区的相位关系图第25页/共62页26(2.4.2)在漂移区入口(z=0)处电子是均匀的,但速度是不均匀的,所以经过一定距离后,后面快电子将追上前面的慢电子,从而产生群聚,形成群聚块。
10、在电场由减速变为加速经过零值瞬间离开间隙的电子(如图中电子1,2)速度不变,形成群聚中心。在某一位置,某些快电子已经赶上并了超过慢电子,出现了“超越现象”。漂移区的时空图第26页/共62页27 由于速度调制的结果,在dt1内从间隙出口z=0出发的电子,在到达z=l时已不再在dt1内,而在dt2内。由电荷守恒定律:或:(2.4.5)(2.4.6)电子流强度:(2.4.7)或:(2.4.8)i1对第一腔后漂移管为直流电流i1=i0,多腔速调管后面腔为预群聚电流。第27页/共62页28(2.4.8)(2.4.9)(2.4.10)第28页/共62页29令:(2.4.15)(2.4.11)(2.4.12
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