模拟电子技术基础-知识点总结.pdf
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1、模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一、半导体得基础知识 1、半导体-导电能力介于导体与绝缘体之间得物质(如硅i、锗 G)。、特性-光敏、热敏与掺杂特性。3、本征半导体-纯净得具有单晶体结构得半导体。4、两种载流子-带有正、负电荷得可移动得空穴与电子统称为载流子。、杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导体。体现得就就是半导体得掺杂特性。P 型半导体:在本征半导体中掺入微量得三价元素(多子就就是空穴,少子就就是电子)。*N 型半导体:在本征半导体中掺入微量得五价元素(多子就就是电子,少子就就是空穴)。6、杂质半导体得特性 *载流子得浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温
2、度有关。体电阻-通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7、PN 结 *PN 结得接触电位差-硅材料约为 0、6、8V,锗材料约为、20、3。*P结得单向导电性-正偏导通,反偏截止。8、PN 结得伏安特性 二、半导体二极管 *单向导电性-正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同 PN 结。正向导通压降-硅管、60、,锗管、20、V。*死区电压-硅管、5V,锗管 0、1V。、分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位得高低:若 V阳 V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳 V 阴(正偏),二极管导通(短路);若 V 阳 。2
3、.放大电路得动态分析 *放大倍数 输入电阻 *输出电阻 七.分压式稳定工作点共射 放大电路得等效电路法 1、静态分析 2、动态分析 电压放大倍数 在两端并一电解电容C后 输入电阻 在Re 两端并一电解电容C后 输出电阻 八、共集电极基本放大电路 、静态分析 2、动态分析 电压放大倍数 *输入电阻 *输出电阻 3、电路特点 *电压放大倍数为正,且略小于,称为射极跟随器,简称射随器。*输入电阻高,输出电阻低。第三章 场效应管及其基本放大电路 一、结型场效应管(JT)1、结构示意图与电路符号 2、输出特性曲线 (可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)转 移 特 性 曲 线 UP -截 止 电 压 二、
4、绝缘栅型场效应管(MSET)分为增强型(EMS)与耗尽型(DMS)两种。结构示意图与电路符号 2、特性曲线*N-EOS 得输出特性曲线 N-EM得转移特性曲线 式中,IO就就是UGS=2UT时所对应得iD值。*N-DMOS 得输出特性曲线 注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD0 处得值就就是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。三、场效应管得主要参数 1、漏极饱与电流IDS 2、夹断电压p 3、开启电压T 4、直流输入电阻RGS、低频跨导gm (表明场效应管就就是电压控制器件)四、场效应管得小信号等效模型 MS 得跨导gm-五、共源极基本放大电路 1、自偏压式偏置放大电路
5、静态分析 动态分析 若带有Cs,则 2、分压式偏置放大电路 静态分析 *动态分析 若源极带有C,则 六、共漏极基本放大电路*静态分析 或 动态分析 第五章 功率放大电路 一、功率放大电路得三种工作状态 1、甲类工作状态 导通角为0o,CQ大,管耗大,效率低。、乙类工作状态 ICQ0,导通角为 18,效率高,失真大。3、甲乙类工作状态 导通角为 180360o,效率较高,失真较大。二、乙类功放电路得指标估算、工作状态 任意状态:UomUim 尽限状态:mVC-UCS 理想状态:omVCC 2、输出功率、直流电源提供得平均功率 4、管耗 Pcm、2Pom 5、效率 理想时为78、5%三、甲乙类互补
6、对称功率放大电路 1.问题得提出 在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上就就是截止失真)。2、解决办法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL-利用二极管、三极管与电阻上得压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL-电容 C2 上静态电压为VCC/2,并且取代了 OL 功放中得负电源-VCC。动态指标按乙类状态估算,只就就是用CC代替。四、复合管得组成及特点 1.前一个管子-e 极跨接在后一个管子得 b-c 极间。2.类型取决于第一只管子得类型。3、=2 第六章 集成运算放大电路 一、集成运放电路得基本组成、输入级-采用差放电路,以减小零漂。2、中间级-多采
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