光电传感技术论文热释电探测器及其应用.pdf
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1、 光电传感技术论文热释电探测器及其应用 Modified by JEEP on December 26th,2020.光电传感技术 热释电探测器及其应用 院系 电子工程学院光电子技术系 班级 光信息 0802 姓名 xxxx 学号 xxxxx 班内序号 08 考核成绩 摘要 论述了热释电电探测器的结构及工作原理。推导出热释电电流,电流响应率,电压响应率的解析表达式,介绍了热点是探测器的红外探测,图像装置及其他应用,推导了热点是探测器在线开关和离走开关的工作原理、电路设计及应用。对热释电材料进行了分类,对热释电材料、热释电传感器、热释电探测器的性能作了介绍。关键词 热释电探测器、在线开关、离走开
2、关、热释电材料。热释电探测器是本世纪 70 年代迅速发展起来的新型探测器,这种探测器具有室温工作、不需制冷、光谱响应无波长选择性、探测度高等特点,现已广泛应用于入侵报警、火灾报警、气体分析、自动门风诸多领域。1.热释电传感器 热释电探测器的结构由热释电晶体、电极、吸收层、底衬、FET和负载电阻组成吸收层上方的硅窗口材料只允许特定波段的红外辐射入射到吸收层上 热释电探测器具有自极化效应,晶体处于低于Curie温度的恒温环境时,其自极化强度保持不变,即极化电荷面密度保持不变,这些电荷被空气中的带电离子中和,当红外辐射入射晶体,被晶体吸收后,晶体温度升高,自极化强度变小,即电荷面密度变小这样,晶体表
3、面存在多余的中和电荷,这些电荷以电压或电流的形式输出,该输出信号可用来探测辐射相反,当截断该辐射时,晶体温度降低,自极化强度增大,有相反方向的电流或电压输出。若在dt时间内,热释电晶体温度变化dAT所引起的极化强度变化为dP,则与极轴垂直的晶体表面产生的电流面密度可表达为 dtTddtJdpthw1 (1)Tddp称热电系数,用P表示,这样,J可表示为 dtTdpJ (2)入射辐射是角频率为w 的正弦调制光,功率幅度为0W,该辐射可表示为jwteWtW0,探测器吸收率为n此时,探测器温度上升量T由下式确定 TGdtTdCeaWjwt0 (3)其中,C为晶体的热容量,G为晶体与周围环境的热导率,
4、用Lap1ace变换方法解方程并 利用初始条件0t,0T得 jwtejwCGaWtT0 (4)因此热释电晶体产生的电流可表示为 jwtjwejwCGpAaWdtTdpAI0 (5)式中,A 为电极面积。电流响应度 电流响应度定义为探测器的输出信号电流与入射光功率之比,它可表示为 2201|thiwGpAawWIR (A/W)(6)当thw1时,(6)式简化为 CpAaIR (7)(7)式在频率为几Hz已经成立,因此它通常作为R,的表达式用d表示晶体厚度,f表示 比热,则上式可写为 cdpaRI (8)决定R,的材料参数可定义为材料电流响应度cpRtm,这样 daRRIIm (9)因此对一定材料
5、的探测器,可通过选择a,d来设计电流响应度。(8)式指出,当调制频率 thw1 时,电流响应度与调制频率无关,但它跟热释电材料的厚度成反比 12 电压响应度 电压响应度定义为探测器的输出信号电压与入射光功率之比,它可表示为 2122212811|thdthVwGwGapAwRddIddvjwCGRjwCGWWVR001 (10)其中 dC,dG 分别为热释电元的等效电容、等效电导,GCCCthdde,当 1,12222ethww时,上式简化为 dIdVwCRwCCapAR (11)由此可知,VR与调制角频率 w及探测器的电容成反比,dC可写为 dACd0 (12)2 热释电传感器的材料选择及原
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- 光电 传感 技术 论文 热释电 探测器 及其 应用
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