高频西电教学课件:9高频电路新技术.ppt
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1、第9 章 高频电路的集成化与EDA第第9章章 高频电路新技术高频电路新技术9.1 高频电路的集成化9.2 高频集成电路9.3 高频电路EDA 9.4 软件无线电技术 第9 章 高频电路的集成化与EDA9.1 高频电路的集成化高频电路的集成化 一、一、高频集成电路的类型高频集成电路的类型 集集成成电电路路是是为为了了完完成成某某种种电电子子电电路路功功能能,以以特特定定的的工工艺艺在在单单独独的的基基片片之之上上或或基基片片之之内内形形成成并并互互连连有有关关元元器器件件,从而构成的微型电子电路。从而构成的微型电子电路。高频集成电路都可以归纳为高频集成电路都可以归纳为以下几种类型以下几种类型:第
2、9 章 高频电路的集成化与EDA (1)按按照照频频率率来来划划分分,有有高高频频集集成成电电路路、甚甚高高频频集集成成电电路和微波集成电路(路和微波集成电路(MIC)等几种。)等几种。(2)与与普普通通集集成成电电路路一一样样,高高频频集集成成电电路路可可分分为为单单片片高高频集成电路频集成电路(MHIC)和)和混合高频集成电路(混合高频集成电路(HHIC)。(3)从从功功能能或或用用途途上上来来分分,高高频频集集成成电电路路有有高高频频通通用用集集成电路和高频专用集成电路(成电路和高频专用集成电路(HFASIC)两种。)两种。第9 章 高频电路的集成化与EDA二、高频电路的集成化技术二、高
3、频电路的集成化技术 纷纷繁繁众众多多的的高高频频集集成成电电路路,其其实实现现方方法法和和集集成成工工艺艺除除薄薄/厚膜技术等混合技术外厚膜技术等混合技术外,通常有以下几种通常有以下几种:1传统硅(传统硅(Si)技术)技术 1958年年美美国国得得克克萨萨斯斯仪仪器器公公司司(TI)和和仙仙童童公公司司研研制制成成功功第第一一批批集集成成电电路路,接接着着在在1959年年发发明明了了制制造造硅硅平平面面晶晶体体管管的的“平平面面工工艺艺”,利利用用半半导导体体平平面面工工艺艺在在硅硅片片内内制制作作元元器器件件,并并按按电电路路要要求求在在硅硅片片表表面面制制作作互互连连导导体体,从从而而制制
4、成成高高密密度度平平面面化化的的集集成成电电路路,完完善善了了集集成成电电路路的的生生产产工工艺。艺。第9 章 高频电路的集成化与EDA 2砷化钾(砷化钾(GaAs)技术)技术 以以砷砷化化钾钾材材料料替替代代硅硅材材料料形形成成的的砷砷化化钾钾技技术术主主要要用用在在微微波波电电路路中中。砷砷化化钾钾集集成成电电路路自自1974年年由由HP公公司司首首创创以以来来,也也都都一一直直用用在在微微波波系系统统中中。作作为为无无线线通通信信用用高高频频模模拟集成电路的选择拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的事情。砷化钾器件也只是近几年的事情。第9 章 高频电路的集成化与EDA 砷砷化化钾钾M
5、ESFET的的结结构构如如图图9-1所所示示,它它是是在在一一块块半半绝绝缘缘的的砷砷化化钾钾衬衬底底上上用用外外延延法法生生长长一一层层N型型砷砷化化钾钾层层,在在其其两两端端分分别别引引出出源源极极和和漏漏极极,在在两两者者之之间间引引出出栅栅极极。对对于于砷砷化化钾钾MESFET,栅栅长长是是一一个个决决定定最最大大工工作作频频率率(fmax)的关键参数。)的关键参数。第9 章 高频电路的集成化与EDA图9-1 砷化钾MESFET的结构 第9 章 高频电路的集成化与EDA 首首 次次 出出 现现 于于 1980年年 的的 高高 电电 子子 迁迁 移移 率率 晶晶 体体 管管(HEMT)可
6、可以以最最大大限限度度地地利利用用砷砷化化钾钾的的高高电电子子迁迁移移率率的的特特性性。耗耗尽尽型型的的HEMT场场效效应应管管是是在在半半绝绝缘缘的的GaAs衬衬底底上上连连续续生生长长不不掺掺杂杂或或轻轻掺掺杂杂的的GaAs、掺掺硅硅的的n型型AlxGa1-xAs层层和和掺掺硅硅的的n型型GaAs层层,在在AlxGa1-xAs层层内内形形成成耗耗尽尽层层。再再利利用用AlGaAs和和GaAs电电子子亲亲和和力力之之差差,在在未未掺杂的掺杂的GaAs的表面之下形成二次电子气层的表面之下形成二次电子气层,如图如图9-2所示所示第9 章 高频电路的集成化与EDA 图9-2 耗尽型的HEMT场效应
7、管结构 第9 章 高频电路的集成化与EDA 另另一一种种GaAs异异质质结结器器件件GaAsHBT也也越越来来越越受受关关注注,它它属属于于改改进进型型的的双双极极晶晶体体管管,其其发发射射极极和和基基极极被被制制作作在在不同材料的禁带中不同材料的禁带中,如图如图9-3所示。所示。第9 章 高频电路的集成化与EDA 图9-3 GaAsHBT结构 第9 章 高频电路的集成化与EDA3、硅锗(、硅锗(SiGe)技术)技术 硅硅锗锗技技术术的的主主要要优优点点是是工工艺艺简简单单、低低功功耗耗、低低成成本本、一一致致性性好好,频频率率特特性性介介于于传传统统硅硅器器件件和和砷砷化化钾钾器器件件之之间
8、间。一一种种典典型型的的SiGeHBT的的电电特特性性参参数数示示于于表表9-1中。中。第9 章 高频电路的集成化与EDA表9-1 典型的SiGeHBT的电特性参数 第9 章 高频电路的集成化与EDA三、高频集成电路的发展趋势 1.高集成度(更细工艺)高集成度(更细工艺)集成电路发展的核心是集成度的提高。集成电路发展的核心是集成度的提高。集集成成度度的的提提高高依依赖赖于于工工艺艺技技术术的的提提高高和和新新的的制制造造方方法法。21世世纪纪的的IC将将冲冲破破来来自自工工艺艺技技术术和和物物理理因因素素等等方方面面的的限限制继续高速发展制继续高速发展,可以概括为可以概括为:1)(超)微细加工
9、工艺)(超)微细加工工艺 超微细加工的关键是形成图形的曝光方式和光刻方超微细加工的关键是形成图形的曝光方式和光刻方法。法。第9 章 高频电路的集成化与EDA 2)铜互连技术)铜互连技术 长长期期以以来来,芯芯片片互互连连金金属属化化层层采采用用铝铝。器器件件与与互互连连线线的的尺尺寸寸和和间间距距不不断断缩缩小小,互互连连线线的的电电阻阻和和电电容容急急剧剧增增加加,对对于于0.18m宽宽43m长长的的铝铝和和二二氧氧化化硅硅介介质质的的互互连连延延迟迟(大于(大于10ps)已超过了)已超过了0.18m晶体管的栅延迟(晶体管的栅延迟(5ps)。)。第9 章 高频电路的集成化与EDA 3)低介电
10、常数(低)低介电常数(低K介电)材料技术介电)材料技术 由由于于IC互互连连金金属属层层之之间间的的绝绝缘缘介介质质采采用用SiO2或或氮氮化化硅硅,其其介介电电常常数数分分别别接接近近4和和7,造造成成互互连连线线间间较较大大的的电电容容。因此研究与硅工艺兼容的低因此研究与硅工艺兼容的低K介质也是重要的课题之一。介质也是重要的课题之一。第9 章 高频电路的集成化与EDA 2.更大规模和单片化更大规模和单片化 集集成成工工艺艺的的改改进进和和集集成成度度的的提提高高直直接接导导致致集集成成电电路路规规模模的的扩扩大大。实实际际上上,改改进进集集成成工工艺艺和和提提高高集集成成度度的的目目的的也
11、也正正是为了制作更大规模的集成电路。是为了制作更大规模的集成电路。3.更高频率更高频率 随随着着无无线线通通信信频频段段向向高高端端的的扩扩展展,势势必必也也会会开开发发出出频频率率更高的高频集成电路。更高的高频集成电路。4.数字化与智能化数字化与智能化 随随着着数数字字技技术术和和数数字字信信号号处处理理(DSP)技技术术的的发发展展,越越来来越越多多的的高高频频信信号号处处理理电电路路可可以以用用数数字字和和数数字字信信号号处处理理技技术来实现术来实现,如数字上如数字上/下变频器、数字调制下变频器、数字调制/解调器等。解调器等。第9 章 高频电路的集成化与EDA9.2 高频集成电路高频集成
12、电路一、一、高频单元集成电路高频单元集成电路 这这里里的的高高频频单单元元集集成成电电路路,指指的的是是完完成成某某一一单单一一功功能能的的高高频频集集成成电电路路,如如集集成成的的高高频频放放大大器器(低低噪噪声声放放大大器器、宽宽带带高高频频放放大大器器、高高频频功功率率放放大大器器)、高高频频集集成成乘乘法法器器(可可用用做做混混频频器器、调调制制解解调调器器等等)、高高频频混混频频器器、高高频频集成振荡器等集成振荡器等,其功能和性能通常具有一定的通用性。其功能和性能通常具有一定的通用性。第9 章 高频电路的集成化与EDA二、二、高频组合集成电路高频组合集成电路 高高频频组组合合集集成成
13、电电路路是是集集成成了了某某几几个个高高频频单单元元集集成成电电路路和和其其它它电电路路而而完完成成某某种种特特定定功功能能的的集集成成电电路路。比比如如MC13155是是一一种种宽宽带带调调频频中中频频集集成成电电路路,它它是是为为卫卫星星电电视视、宽宽带带数数据据和和模模拟拟调调频频应应用用而而设设计计的的调调频频解解调调器器,具具有有很很高高的的中中频频增增益益(典典型型值值为为46dB功功率率增增益益),12MHz 的的视视频频/基基带带解解调调器器,同同时时具具有有接接收收信信号号强强度度指指示示(RSSI)功功能能(动动态态范范围围约约35dB)。MC13155的的内内部部框框图图
14、如如图图9-4所所示。示。第9 章 高频电路的集成化与EDA图9-4 MC13155的内部框图第9 章 高频电路的集成化与EDA AD607为为一一种种3V低低功功耗耗的的接接收收机机中中频频子子系系统统芯芯片片,它它带带有有自自动动增增益益控控制制(AGC)的的接接收收信信号号强强度度指指示示功功能能,可可广广泛泛应应用用于于GSM、CDMA、TDMA和和TETRA等等通信系统的接收机、卫星终端和便携式通信设备中。通信系统的接收机、卫星终端和便携式通信设备中。AD607的的引引脚脚如如图图9-5所所示示。它它提提供供了了实实现现完完整整的的低低功功耗耗、单单变变频频接接收收机机或或双双变变频
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