《介质陶瓷》课件.ppt
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1、5 电容器介质陶瓷电容器介质陶瓷1)按介质分类按介质分类铁电介质陶瓷铁电介质陶瓷高频介质陶瓷高频介质陶瓷半导体介质陶瓷半导体介质陶瓷反铁电介质陶瓷反铁电介质陶瓷微波介质陶瓷微波介质陶瓷独石介质陶瓷独石介质陶瓷低频:高低频:高,较大的较大的tgtg高频高频低介低介(1012cm)为保证高温时能有效工作,要求为保证高温时能有效工作,要求v高高抗电强度抗电强度Ep要高要高a、小型化,使、小型化,使=V/db、陶瓷材料的分散性,即使、陶瓷材料的分散性,即使120120T55T-90TTTTc c,满足居里外斯定律,随温度升高。满足居里外斯定律,随温度升高。热滞现象,一级相变热滞现象,一级相变5.2.3
2、 BaTiO5.2.3 BaTiO3 3 基陶瓷的结构和性质基陶瓷的结构和性质如果与微位移计联如果与微位移计联动,可测得铁电体动,可测得铁电体的应变电场曲线的应变电场曲线在压电陶瓷研究在压电陶瓷研究中经常应用中经常应用电滞回线的测量电滞回线的测量:Sawyer-Tower 电路电路铁电体的电滞回线铁电体的电滞回线OAOA:电场弱,:电场弱,P P与与E E呈线性关系呈线性关系ABAB:P P迅速增大,电畴反转迅速增大,电畴反转B B 点:极化饱和,单畴点:极化饱和,单畴BCBC:感应极化增加,总极化增大:感应极化增加,总极化增大CBDCBD:电场减小,极化减小:电场减小,极化减小ODOD:电场
3、为零,剩余极化:电场为零,剩余极化P Pr rOEOE:自发极化:自发极化P Ps sOFOF:矫顽场:矫顽场E Ec c电滞回线的形成与电畴的反转有关,电滞回线的形成与电畴的反转有关,P P落后于落后于E,E,故称电滞回线故称电滞回线P P总总P P感感P Ps sPrEc 极化强度极化强度P P:垂直于电场方向的两个陶瓷平垂直于电场方向的两个陶瓷平面上的单位面积静电量面上的单位面积静电量C/cm2电畴电畴(domain):在铁电体中,固有电偶在铁电体中,固有电偶极矩在一定的子区域内取向相同的这些区极矩在一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴或畴。域就称为电畴或畴。畴壁畴壁(domain
4、wall):):畴的间界。畴的间界。铁电相变:铁电相与顺电相之间的转变。铁电相变:铁电相与顺电相之间的转变。当温度超过某一值时,自发极化消失,铁当温度超过某一值时,自发极化消失,铁电体变为顺电体。电体变为顺电体。居里温度居里温度(CurietemperatureorCuriepoint):):铁电相变的温度。铁电相变的温度。单晶与陶瓷的电滞回线单晶与陶瓷的电滞回线BaTiO3单晶和陶单晶和陶瓷的电滞回线瓷的电滞回线温度对电滞回线的影响温度对电滞回线的影响BaTiO3的电滞回线的电滞回线自发极化强度与温度的关系自发极化强度与温度的关系 电滞回线表明,铁电体的极化强度与外电场之电滞回线表明,铁电体
5、的极化强度与外电场之间呈现非线性关系,而且极化强度随外电场反间呈现非线性关系,而且极化强度随外电场反向而反向。回线面积对应每次极化反转所消耗向而反向。回线面积对应每次极化反转所消耗的能量。的能量。极化强度反向是电畴反转的结果,所以电滞回极化强度反向是电畴反转的结果,所以电滞回线表明铁电体中存在电畴。线表明铁电体中存在电畴。所谓电畴就是铁电体中自发极化方向一致的小所谓电畴就是铁电体中自发极化方向一致的小区域,电畴与电畴之间的边界称为畴壁。区域,电畴与电畴之间的边界称为畴壁。铁电晶体通常多电畴体,每个电畴中的自发极铁电晶体通常多电畴体,每个电畴中的自发极化具有相同的方向,不同电畴中自发极化强度化具
6、有相同的方向,不同电畴中自发极化强度的取向间存在着简单的关系。的取向间存在着简单的关系。l 陶瓷的陶瓷的介乎单晶的介乎单晶的a a轴和轴和c c轴轴的数值之间:的数值之间:多晶:晶粒随机取向多晶:晶粒随机取向 多畴:多种取向多畴:多种取向l 转变点处峰值不如单晶尖锐:转变点处峰值不如单晶尖锐:结构:多相体系结构:多相体系 应力:导致应力:导致T Tc c分散(居里区)分散(居里区)l T Tc c均为均为120120,第二转变点:,第二转变点:单晶:单晶:0 0 陶瓷:陶瓷:20 20 与交变电场强度的关系:与交变电场强度的关系:E弱时,弱时,1500E,E5kV/cm,5000趋趋于饱和于饱
7、和E继续增大,继续增大,下降下降(4)(4)介电常数介电常数与电场的关系(补充)与电场的关系(补充)16温度升高温度升高 与单晶类似与单晶类似 T T,能在更低,能在更低的场强下饱和的场强下饱和 温度升高有利于温度升高有利于电畴运动电畴运动交变电场测量同时施加直流偏置电场交变电场测量同时施加直流偏置电场 E Ed d不太大时,不太大时,比无偏置电场时大比无偏置电场时大 E Ed d太强时,太强时,下降下降(5)(5)介电常数介电常数与频率的关系(补充)与频率的关系(补充)新畴的成核与生长需要一定时间故新畴的成核与生长需要一定时间故与与f f有关有关f,tgBaTiOBaTiO3 3适合作低频电
8、容器瓷适合作低频电容器瓷介质损耗来源:介质损耗来源:电畴运动电畴运动 几何形变换向几何形变换向 弹性波弹性波 铁电体的电滞回线已直接作为铁电铁电体的电滞回线已直接作为铁电存储和铁电爆电换能的应用基础存储和铁电爆电换能的应用基础 非挥发铁电随机存储器非挥发铁电随机存储器FERAM(Ferroelectric FERAM(Ferroelectric Random Access MemoryRandom Access Memory)铁电爆电换能器高电能密度的大功率能量转换铁电爆电换能器高电能密度的大功率能量转换快速快速“读读”和和“写写”,可达可达10ns。小尺寸、高密度,单元尺寸可小尺寸、高密度,
9、单元尺寸可小于小于1 m 1 m。抗辐射和不受磁场影响抗辐射和不受磁场影响 与与SiSi集成工艺有很好的相容性集成工艺有很好的相容性非挥发性:铁电体的基本特性是非挥发性:铁电体的基本特性是电滞回线特性。回线上在零电场电滞回线特性。回线上在零电场处存在处存在 PrPr的两个状态是同样稳的两个状态是同样稳定的,所以要保持记忆态是不需定的,所以要保持记忆态是不需要外加电场或电压的。要外加电场或电压的。经极化的铁电陶瓷,内含定向的自发极化经极化的铁电陶瓷,内含定向的自发极化PrPr,储存的,储存的极化能为极化能为PZTPZT陶瓷,能量密度可达陶瓷,能量密度可达252530J/cm30J/cm3 3,比
10、高压电容器比高压电容器大大2 23 3个数量级,个数量级,很方便地产生千安以上的短路电流很方便地产生千安以上的短路电流和和1010万伏以上的开路电压万伏以上的开路电压 用冲击波诱导铁电陶瓷相变为反铁电或顺电可释放全用冲击波诱导铁电陶瓷相变为反铁电或顺电可释放全部储能部储能总结总结(1):(1):铁电体的特征与临界现象铁电体的特征与临界现象存在存在Ps,在在E 下下Ps可重行定向可重行定向,宏观表现为有电宏观表现为有电滞回线,即铁电体在铁电态下极化对电场关系滞回线,即铁电体在铁电态下极化对电场关系的典型回线。的典型回线。电畴与电畴结构电畴与电畴结构居里温度,居里温度,Tc,顺电相顺电相铁电相,对
11、称性降低铁电相,对称性降低P E非线性,电滞回线,介电常数依赖电场,非线性,电滞回线,介电常数依赖电场,Tc处介电反常处介电反常铁电相变铁电相变:一级相变和二级相变一级相变和二级相变T Tc时,介电常数满足时,介电常数满足Curie-Weiss 定律,定律,=C/T-To一级相变,一级相变,Tc To,二级相变,二级相变,Tc=To外加机械力的作用,将使外加机械力的作用,将使BaTiOBaTiO3 3的转变温度变化。的转变温度变化。PPPP单晶单晶BaTiO3BaTiO3单晶转变温度与等静压的关系单晶转变温度与等静压的关系等静压的压缩力,有利于等静压的压缩力,有利于保留小体积。体积膨胀型保留小
12、体积。体积膨胀型相变温度升高,体积收缩相变温度升高,体积收缩型相变温度降低。型相变温度降低。120:四方:四方立方,立方,V-90:三角:三角正交,正交,V0:正交:正交四方转变例外四方转变例外 陶瓷中,由于晶粒陶瓷中,由于晶粒取向不同和杂质、晶界取向不同和杂质、晶界等的作用,应力作用复等的作用,应力作用复杂,使转变温度分散和杂,使转变温度分散和偏离。偏离。BaTiO3陶瓷的陶瓷的与温度的关系与温度的关系(7)BaTiO3(7)BaTiO3陶瓷的改性机理(补充)陶瓷的改性机理(补充)BaTiOBaTiO3 3电容器的要求:电容器的要求:l 介介介介电电电电常常常常数数数数:要要求求在在工工作作
13、温温区区的的尽尽可可能能高高,但但随随温温度度的的变变化化率率(/25)要要小小。随随电电场场强强度度的的变变化化率也要尽可能小。率也要尽可能小。航空航空石油钻探石油钻探军事军事高介高稳定高介高稳定介电损耗介电损耗介电损耗介电损耗tgtg:由于由于BaTiO3电容器主要用于低频电路中电容器主要用于低频电路中起滤波,旁路,隔直流,耦合等作用,因起滤波,旁路,隔直流,耦合等作用,因而,只要而,只要tg3即可。即可。绝缘电阻绝缘电阻绝缘电阻绝缘电阻 v v:Tv特特别是工作在高温(别是工作在高温(85),高湿,长期在直),高湿,长期在直流电场下(流电场下(1000小时),小时),Ti4+Ti3+,造
14、成,造成v,故要求室温,故要求室温v1012.cm抗电强度抗电强度抗电强度抗电强度E Eb b:尽可能提高:尽可能提高Eb。(因为铁电瓷。(因为铁电瓷抗电强度本来低,分散性又大)。抗电强度本来低,分散性又大)。BaTiOBaTiO3 3电容器的要求:电容器的要求:(1)(1)居里区与相变扩散居里区与相变扩散(2)(2)铁电陶瓷居里峰的展宽效应铁电陶瓷居里峰的展宽效应(3)(3)铁电陶瓷居里峰移动效应铁电陶瓷居里峰移动效应(4)(4)铁电陶瓷居里峰重叠效应铁电陶瓷居里峰重叠效应BaTiOBaTiO3 3陶瓷的改性陶瓷的改性:置换和掺杂置换和掺杂原理:电价相同,离子半径和极化特性相近原理:电价相同
15、,离子半径和极化特性相近居里点居里点&居里区居里区异相共存异相共存相变扩散相变扩散展宽效应展宽效应移动效应移动效应重叠效应重叠效应掌握几个概念:掌握几个概念:理想的理想的-T关系曲线:关系曲线:TTc时,时,=0,顺电体,顺电体TTc时,时,max,铁电体,铁电体但实际上,不论陶瓷还是单晶,但实际上,不论陶瓷还是单晶,在在Tc处出现峰值(居里峰)处出现峰值(居里峰)居里区居里区。Why?T=Tc时,电畴定向激活能接近零,时,电畴定向激活能接近零,TTc时,铁电时,铁电顺电,顺电,(1)(1)居里区与相变扩散居里区与相变扩散按按居居里里区区展展开开的的现现象象,称称为为相相变变扩扩散散(diff
16、use diffuse phase phase transitiontransition)或或扩扩散散相相变。其原因通常归为变。其原因通常归为“异相共存异相共存”。异异相相共共存存TTc c分分散散居居里里区区相相变变扩扩散散(说说明明材材料料的的T Tc c或或maxmax都都是是一一个个统统计计结结果果。产产生生上上述述异异相相共共存存的的原原因因分分为为热热起起伏伏,应应力力起起伏伏,成成分分起起伏伏,结结构构起起伏伏等等。下下面面分分别别加加以讨论。以讨论。热起伏相变扩散热起伏相变扩散 温温度度是是分分子子运运动动的的平平均均动动量量的的量量度度,在在实实际际材材料料中中,各各微微区区
17、的的温温度度并并不不一一定定相相同同,存存在在“热热起起伏伏”或或“热热涨涨落落”现现象象。这这种种热热起起伏伏的的微微区区称称为为“坎坎茨茨格格区区”,其其线线度度约约1010100nm100nm,假假设设晶晶粒粒粒粒度度为为1 1mm,坎坎茨茨格格区区也也仅仅为为单单个个晶晶粒粒体体积积的的1010-3-31010-6-6,故故每每个个晶晶粒粒具具有有很很多多坎坎茨茨格区。格区。由由于于各各坎坎茨茨格格区区的的温温度度与与宏宏观观温温度度不不同同,故故T Tc c由一点变成一个区间由一点变成一个区间居里区。居里区。当当TTTTTTc c时时,大大部部分分微微区区属属顺顺电电相相,故故,但但
18、仍仍然然有有少少量量铁铁电电微微区区,由由于于定定向向容容易易,在在一一定定温温区区内内仍仍较大。但强电场作用也无法使较大。但强电场作用也无法使达到最大值。达到最大值。热热起起伏伏的的温温度度范范围围是是有有限限的的(不不超超过过几几),故热起伏引起的相变扩散极不明显。),故热起伏引起的相变扩散极不明显。因因此此,必必须须考考虑虑应应力力起起伏伏、成成分分起起伏伏和和结构起伏结构起伏三种相变扩散机制。三种相变扩散机制。B B 应力起伏相变扩散应力起伏相变扩散等等静静压压的的压压缩缩力力有有利利于于体体积减小的相变。积减小的相变。四方四方立方,立方,V,TcBaTiO3单晶转变点与等静压的关系单
19、晶转变点与等静压的关系 单单晶晶:如如果果外外加加压压应应力力在在介介质质各各个个方方向向上上均均衡衡一一致致,则居里峰将基本保留原有形状向低温平移。则居里峰将基本保留原有形状向低温平移。陶陶瓷瓷晶晶粒粒的的随随机机取取向向:各各晶晶粒粒受受力力并并不不相相同同,各各T Tc c移移动量不同,因此动量不同,因此T Tc c应随压应力应随压应力而展宽。而展宽。多多晶晶陶陶瓷瓷的的晶晶粒粒之之间间存存在在内内应应力力:晶晶相相,玻玻璃璃相相,杂杂质质,气气孔孔,晶晶界界的的热热膨膨胀胀系系数数不不同同;晶晶粒粒的的热热膨膨胀胀各各向向异性;各种缺陷的存在。异性;各种缺陷的存在。由由于于受受外外加加
20、压压应应力力作作用用,立立方方四四方方体体积积膨膨胀胀的的形形变变受到约束,电畴难以运动,故随压应力受到约束,电畴难以运动,故随压应力,峰值峰值。这这种种由由于于内内应应力力而而使使峰峰和和T Tc c展展宽宽的的现现象象称称为为应应力力起起伏伏相相变变扩扩张张,它它使使居居里里区区在在5 51010范范围围内内。陶陶瓷瓷晶晶粒粒的的应应力力愈愈大大,其其相相愈愈分分散散,愈愈复复杂杂,这这种种相相变扩散也愈明显。变扩散也愈明显。应应力力起起伏伏引引起起的的相相变变扩扩散散仍仍然然较较小小,要要展展宽宽居居里峰,必须考虑里峰,必须考虑成分起伏和结构起伏相变扩散。成分起伏和结构起伏相变扩散。(a
21、)(a)两种铁电相共存。两种铁电相共存。(b)(b)铁电相与非铁电相共存铁电相与非铁电相共存C C 成分起伏相变扩散成分起伏相变扩散(a)(a)两种铁电相共存两种铁电相共存在在BaTiOBaTiO3 3的的固固溶溶体体中中,采采用用SrSr2 2,PbPb2 2离离子子等等价价,等等数数,等等位位取取代代A A位位的的BaBa2+2+离离子子。BaTiOBaTiO3 3,SrTiOSrTiO3 3,PbTiOPbTiO3 3都都属属铁铁电电体体,但但它它们们的的居居里里点点不不同同,因因而而形形成成固固溶溶体体后后的的T Tc c与与其其组组成成有有关关。从从宏宏观观角角度度看看,BaBa2+
22、2+,SrSr2 2,PbPb2 2离离子子分分布布是是均均匀匀的的,但但从从微微区区来来看看并并不不均均匀匀,存存在在成成分分起起伏伏,因因而而各各微微区区T Tc c不不同同,结结果果使使居居里里点点T Tc c居居里里区区,峰展宽。峰展宽。两种铁电体共存时居里峰仍较明显。两种铁电体共存时居里峰仍较明显。(b)(b)铁电相与非铁电相共存铁电相与非铁电相共存若若加加入入HfHf4 4,SnSn4 4,ZrZr4 4等等离离子子取取代代BaTiOBaTiO3 3中中的的TiTi4+4+离离子子,由由于于BaHfOBaHfO3 3,BaSnOBaSnO3 3,BaZrOBaZrO3 3等等属属非
23、非铁铁电电体体,加加入入量量少少时时会会形形成成铁铁电电相相“海海”中中的的非非铁铁电电相相“岛岛”,因因而而使使铁铁电电性性有有所所下下降降,峰变低变宽。加入量多时材料失去铁电性。峰变低变宽。加入量多时材料失去铁电性。铁电体与非铁电体共存时相变扩散更加明显。铁电体与非铁电体共存时相变扩散更加明显。l当当整整个个固固溶溶体体均均为为铁铁电电体体时时,电电畴畴定定向向过过程程由由于于受受内内电电场场的的相相互互制制约约和和形形变变引引起起的的应应力力制制约约,电电畴畴运运动动的激活能很大,当温度略为偏离的激活能很大,当温度略为偏离T Tc c,便显著下降。便显著下降。l铁铁电电相相与与非非铁铁电
24、电相相共共存存时时,由由于于少少量量非非铁铁电电相相的的隔隔离离与与缓缓冲冲,使使上上述述电电场场制制约约和和应应力力不不同同程程度度的的削削弱弱,从从而而使使电电畴畴定定向向激激活活能能,因因而而T T偏偏离离T Tc c时时,下下降降慢慢,从从而而使使峰峰变变平平。并并且且,由由于于非非铁铁电电相相的的存存在在,有效自发极化强度下降,故居里峰下降。有效自发极化强度下降,故居里峰下降。l晶晶界界中中存存在在许许多多杂杂质质的的偏偏析析(富富集集),有有粒粒间间相相(如如玻玻璃璃相相)时时,晶晶界界是是一一种种非非铁铁电电相相,因因而而晶晶界能使界能使峰展宽。峰展宽。粒界缓冲展宽效应粒界缓冲展
25、宽效应D D 结构起伏相变扩散结构起伏相变扩散钙钙钛钛矿矿结结构构 ABOABO3 3钙钙钛钛矿矿结结构构的的A A位位或或B B位位分分别别为为两两种种以以上上不不同同电电价价的离子所占据;的离子所占据;具有固定的成分,不是固溶体;具有固定的成分,不是固溶体;这这些些不不同同电电价价的的原原子子的的分分布布是是“无无序序”的的,称称为为无无序序钙钛矿结构。钙钛矿结构。各各微微区区,甚甚至至是是各各元元胞胞的的TcTc不不同同,因因此此出出现现相相变变扩扩散散,它它与与成成分分起起伏伏相相变变扩扩散散类类似似,但但产产生生的的原原因因不不同同,并并且效果更显著,居里区可达数百度。且效果更显著,
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