《光敏电阻》课件.ppt
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1、第第3 3章章 光电导探测器光电导探测器Photoconductive-光敏电阻光敏电阻(PC)利用具有光电导效应的材料利用具有光电导效应的材料(如(如SiSi、GeGe等本征半导体等本征半导体与杂质半导体,以及与杂质半导体,以及CdSCdS、CdSeCdSe、PbSPbS等)等)可以制成电导率可以制成电导率随入射光辐射量变化而变化的器件,这类器件被称为随入射光辐射量变化而变化的器件,这类器件被称为光电光电导器件或光敏电阻导器件或光敏电阻,简称简称PC。问题:什么是光电导效应?问题:什么是光电导效应?物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收,引起载流子
2、浓度的变化,从而改变了物质电导收,引起载流子浓度的变化,从而改变了物质电导率的现象称为光电导效应。率的现象称为光电导效应。第第3 3章章 光电导探测器光电导探测器3.1 3.1 结构及工作原理结构及工作原理3.2 3.2 主要特性参数主要特性参数3.4 3.4 偏置电路和应用偏置电路和应用3.1.1 3.1.1 材料及分类材料及分类本征型光敏电阻:本征型光敏电阻:杂质型光敏电阻:杂质型光敏电阻:本征光电导探测器本征光电导探测器利用利用本征光电导本征光电导效应效应制成的器件,如硫化镉制成的器件,如硫化镉(CdS)(CdS)、碲镉、碲镉汞汞(Hg(Hg1-1-x xCdCdx xTe)Te)、硫化
3、铅、硫化铅(PbS)(PbS)等。一般等。一般在室温下工作,适用于可在室温下工作,适用于可见光和近红外见光和近红外辐射探测。辐射探测。杂质光电导探测器杂质光电导探测器利用利用杂质光电杂质光电导效应导效应制成的器件,如锗掺汞制成的器件,如锗掺汞(Ge:Hg)(Ge:Hg)、锗掺铜锗掺铜(Ge:Cu)(Ge:Cu)、和硅掺砷、和硅掺砷(Si:As)(Si:As)等。等。通常通常必须在低温必须在低温下工作,常用于下工作,常用于中、中、远红外远红外辐射探测辐射探测 多晶光电导探测器多晶光电导探测器(自学自学)杂质型光敏电阻:极低温度下工作杂质型光敏电阻:极低温度下工作?以以N N型为例:型为例:Ed
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